Главная страница

курсач по микропроцам. Саратовский государственный технический университет балаковский институт техники технологии и управления


Скачать 1.95 Mb.
НазваниеСаратовский государственный технический университет балаковский институт техники технологии и управления
Дата06.10.2019
Размер1.95 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлакурсач по микропроцам.docx
ТипКурсовая
#88725
страница7 из 15
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   15


Рисунок 9 – Цоколевка БИС ОЗУ К537РУ8

Основные характеристики К537РУ8, приведены в таблице 4
Таблица 3 – Назначение выводов БИС ОЗУ К537РУ8

Обозначение вывода

Номер контакта

Назначение вывода

Состояние

D(0-7); (-)

9-11; 13-17

Выход данных

0,1

А (0-10); (а)

1-8; 19;22;23

Выходы адреса

0,1

CS; (ВМ)

18

Выбор микросхемы

0,1

OE; (-)

20

Разрешение по выходу (считывания)

0,1

W/R; (ЗП/СЧ)

21

Запись – считывание

0,1

UCC; (UНП)

26

Напряжение питания (+5 В)

1

GND (Общ)

7

Общий вывод микросхемы

0

Для микросхемы памяти К537РУ8 характерно сравнительно невысокое быстродействие, высокая помехоустойчивость, малая потребляемая мощность, способность сохранять записанную информацию при напряжении питания 1,5 ... 3 В.

Таблица 4 – Статические характеристики К537РУ8



















L

H

L

H

L

H

5±5%

-

36

1

-

0,4

4,1

0,4

2,4

1,6

0,1

Таблица истинности К537РУ8, приведена в таблице 5.

Таблица 5 - Таблица истинности К537РУ8











Режим работы

1

Х

Х

Х

Z

Хранение

0

Х

0

А

0

Запись 0

0

Х

0

А

1

Запись 1

0

1

1

А

Z

Чтение без выдачи

0

0

1

А



Считывание

Микросхема КР537РУ8 имеет словарную организацию Эти микросхемы допускают запись и считывание информации 8-разрядными словами. Информационные входы и выходы в этих микросхемах совмещены, поэтому записываемая информация вводится в микросхему, а считываемая выводится из нее по одним линиям, что обусловливает мультиплексный режим их работы.

Другой особенностью названных микросхем является наличие у них дополнительного сигнала управления ОЕ состоянием выхода. Он может подаваться одновременно с сигналом выбора CS или с некоторой задержкой. Отсутствие разрешающего состояния этого сигнала, как можно видеть из таблиц истинности, не позволяет вывести считанную информацию из микросхемы. В этом режиме выходы находятся в Z-состоянии. При наличии всех необходимых для считывания сигналов выходы переходят в функциональное состояние только по сигналу ОЕ = 0. Считываемые данные появятся на выходах спустя время выборки сигнала разрешения выхода.

Структурная схема БИС приведена на рисунке 15.



Рисунок 10 - Структурная схема БИС ОЗУ К537РУ8

Она содержит матрицу запоминающих элементов 128х128 М, представляющую собой накопитель емкостью 16384 бит, дешифраторы адреса строк DCF и столбцов DCS, блок управления СИ, адресные и выходные формирователи BF и разрядные усилители записи/считывания DD.

Чтение и запись информации ведутся словами, размерностью в 1 байт. Дешифратор адреса строки, реализует функцию одной линии из 128, а столбца - функцию выбора 8-ми линий из 128. Выходной формирователь содержит восемь усилителей считывания и следующих за ними оконченных каскадов, осуществляющих усиление и передачу данных на выход. Адресный код А0 - А11 запоминается в регистре адреса и не зависит от состояния внешних адресных шин.

На функциональной схеме БИС ОЗУ изображена в виде микросхемы ОЗУ (приложение А).
3.2 Модуль ПЗУ К541РТ2
Микросхемы программируемых ПЗУ по принципу построения и функционирования аналогичны масочным ПЗУ, но имеют существенное отличие в том, что допускают программирование на месте своего применения пользователем. Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выполнения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем. Это обстоятельство в сочетании с низкой стоимостью и доступностью микросхем ПЗУ обусловило их широкое распространение в радиолюбительской практике.

В данном курсовом проекте рассматривается применение микросхемы ПЗУ К541РТ2, представленной на рисунке 9. Микросхемы ПЗУ серии К541 выполнены по технологии ИИЛ.

Матрица до программирования, т. е. в исходном состоянии, содержит однородный массив проводящих перемычек, соединяющих строки и столбцы во всех точках их пересечений. Перемычки устанавливают из поликристаллического кремния. Перемычка в матрице выполняет роль ЭП. Наличие перемычки кодируют логической 1, если усилитель считывания является повторителем, и логическим 0, если усилитель считывания - инвертор. Следовательно, микросхема ПЗУ в исходном состоянии перед программированием в зависимости от характеристики выходного усилителя может иметь заполнение матрицы либо логическим 0, либо логической 1.

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   15


написать администратору сайта