Главная страница

курсач по микропроцам. Саратовский государственный технический университет балаковский институт техники технологии и управления


Скачать 1.95 Mb.
НазваниеСаратовский государственный технический университет балаковский институт техники технологии и управления
Дата06.10.2019
Размер1.95 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлакурсач по микропроцам.docx
ТипКурсовая
#88725
страница8 из 15
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   15


Рисунок 11 — Микросхема ПЗУ К541РТ2

Таблица 5 — Описание выводов БИС ПЗУ К541РТ2

Обозначение вывода

Номер контакта

Назначение вывода,

Состояние

D(0-7); (-)

17; 16; 15; 14; 13; 11; 10; 9;

Выход данных

0,1

А (0-10); (а)

8; 7; 6; 5; 4; 3; 2; 1; 23; 22; 19

Входы данных с локальной шины МП

0,1

CS(1-3); (ВМ)

18

Выбор микросхемы; L-уровень сигнала подключает ПЗУ к системной шине

0,1

UCC; (UНП)

26

Напряжение питания (+5 В)

1

GND (Общ)

7

Общий вывод микросхемы

0

Программирование микросхемы, матрица которой в исходном состоянии заполнена 0, заключается в пережигании перемычек в тех ЭП, где должны храниться 1. Если матрица в исходном состоянии заполнена 1, то пережигают перемычки в ЭП, где должны храниться 0.

Типичный вариант реализации микросхемы ППЗУ представлен на
рисунке 12.



Рисунок 12 – Структурная схема микросхемы К451РТ2

Микросхемы ППЗУ потребляют большую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации. Особенности применения микросхем ППЗУ в этом режиме состоят; в следующем: во-первых, на управляющие входы должны быть поданы уровни, разрешающие доступ к микросхеме: если необходим 0, то данный вывод соединяют с общим выводом, если 1, то с шиной через резистор с сопротивлением 1 кОм; в этом случае функции сигнала выбора микросхемы выполняет импульс напряжения питания Ucc; во-вторых, для обеспечения 1 режима импульсного питания применяют транзисторные ключи, на переходах которых падает часть напряжений, поэтому напряжение, подаваемое к внешним ключам, должно быть выбрано с учетом требования иметь на выводе питания микросхемы номинальное напряжение 5 В; в-третьих, из-за инерционности процессов коммутации цепи питания время выборки адреса микросхемы увеличивается в 2-3 раза.

При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потребляемой мощности существенно уменьшаются.
3.3 Многорежимный буферный регистр К589ИР12
Для подключения дополнительных микросхем ПЗУ и ОЗУ выберем многорежимный буферный регистр (МБР) К589ИР12.

Корпус микросхемы пластмассовый прямоугольный типа 239.24-2.

Основные параметры микросхемы приведены в таблице 5.

Таблица 4 – Основные параметры микросхемы К589ИР12

Название параметра

Значение

Напряжение источника питания

5 В ± 5%

Диапазон рабочих температур

-10 ... +70 °С

Предельное напряжение источника питания (кратковременно в течение 5 мс), не более

7 В

Предельное напряжение источника питания, не более

6 В

Предельное напряжение на выходе (закрытой ИС), не более

5,25 В

Предельное входное напряжение, не более

5,5 В

Предельный ток на входе, не менее

-5 мА

Условное обозначение микросхемы К589ИР12 представлена на рисунке 13.

Структурная схема многорежимного буферного регистра приведена на рисунке 14.

1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   15


написать администратору сайта