Главная страница
Навигация по странице:

  • Цель работы.

  • Основные теоретические положения.

  • Инверсный База-эммитерный переход подключен обратно, а база-коллекторный прямо. Насыщения

  • Отсечки Оба перехода смещены обратно.Биполярный транзистор может быть включен тремя различными способами: С общей базой

  • С общим коллектором

  • С общем эмиттером

  • Полученное техническое задание.

  • Моделирование биполярного транзистора. 9206_Краснокутский_Дорошенко_Ремеле_ПР4. Схемотехническое моделирование интегрального биполярного транзистора


    Скачать 452.32 Kb.
    НазваниеСхемотехническое моделирование интегрального биполярного транзистора
    АнкорМоделирование биполярного транзистора
    Дата13.04.2023
    Размер452.32 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файла9206_Краснокутский_Дорошенко_Ремеле_ПР4.docx
    ТипОтчет
    #1059288

    МИНОБРНАУКИ РОССИИ

    Санкт-Петербургский государственный

    электротехнический университет

    «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

    Кафедра МНЭ


    отчет

    по практической работе №4

    по дисциплине «ОМиПМЭК»

    Тема: «Схемотехническое моделирование интегрального биполярного транзистора»


    Студент гр. 9206



    Краснокутский Д. С.
    Дорошенко С. В.

    Ремеле В. Е.

    Преподаватель




    Рындин Е. А.



    Санкт-Петербург

    2023

    Цель работы.

    Расчет и построение семейства выходных ВАХ интегрального биполярного транзистора на основе модели Эберса-Молла и исходных данных, указанных в варианте задания.

    Основные теоретические положения.

    Биполярный транзистор – прибор, состоящий из трех полупроводниковых областей с чередующимся типом проводимости с двумя p-n-переходами, пригодный для усиления, генерации и переключения электрических сигналов.

    Биполярные транзисторы бывают с n-p-n и с p-n-p структурой (рисунок 1).

    Рисунок 1 – Структура n-p-n и p-n-p транзисторов

    Более детально структура биполярного транзистора.



    Рисунок 2 – Планарная структура биполярного транзистор n-p-n типа

    Совершенно аналогично выглядит и транзистор p-n-p типа.

    Транзистор изготавливают посредством легирования подложки нужными типами примесей в определенной последовательности: сначала коллектор, затем формируется базовая область, после чего формируется эмиттерная область. При этом профиль легирования имеет вид.



    Рисунок 3 – Профиль легирования n-p-n транзистора

    Рассмотрим принцип действия биполярного транзистора. Биполярный транзистор можно представить, как два последовательных p-n перехода, при подаче напряжения на транзистор переход БЭ открывается, из-за чего происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу. Поскольку инжектированные носители заряда не являются основным в базе они частично рекомбинируют с носителями заряда в базе, но из-за малой толщины база число актов рекомбинации мало и рекомбинационный ток мал. Затем инжектированные в базу носители продвигаются к коллектору вследствие градиента концентрации, т.к переход КБ смещен в обратном направлении. Эти носители и составляют коллекторный ток.

    Стоит отметить что выделяют четыре режима работы транзистора:

    1. Нормальный

    В нормальном режиме работы база-эммитерный переход подключен прямо, а база-коллекторный обратно. В этом режиме работают подавляющее большинство транзисторов.

    1. Инверсный

    База-эммитерный переход подключен обратно, а база-коллекторный прямо.


    1. Насыщения

    Оба перехода смещены прямо.

    1. Отсечки

    Оба перехода смещены обратно.

    Биполярный транзистор может быть включен тремя различными способами:

    1. С общей базой



    Рисунок 4 – Схема включения с общей базой

    Схема с общей базой обладает малым входным сопротивлением (десятки Ом), т.к. входная цепь представляет собой БЭ-переход транзистора. У подобной схемы включения очень хорошие частотные свойства и хорошая термостабильность, однако ценой этому является отсутствие какого-либо усиления по току.

    1. С общим коллектором



    Рисунок 5 – Схема включения с общим коллектором

    Схема включения с общим коллектором обладает наибольшим входным сопротивлением т.к входная цепь – это закрытый переход КБ, также она обладает низким выходным сопротивлением, а также высоким коэффициентом усиления. Однако у схемы есть и недостаток – она не усиливает напряжение.

    1. С общем эмиттером



    Рисунок 6 – Схемы включения с общим эмиттером

    Эта схема наиболее популярна в связи с тем, что она позволяет достичь наибольшего усиления по мощности. Также эта схема обладает большим входным сопротивлением чем схема с общей базой. Но у схемы есть недостатки – у нее плохие температурные и частотные свойства.

    Важнейшими характеристиками транзистора являются семейства проходных и выходных характеристик. Каждой схеме включения соответствует свое семейство выходных и проходных характеристик:



    Рисунок 7 – Проходные и выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой» (а- выходные, б – проходные).



    Рисунок 8 – Проходные и выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (а- выходные, б – проходные).

    Помимо этого, транзистор обладает несколькими важными статическими параметрами, выделим три наиболее важных из них, которые будут использоваться в дальнейшем:

    1.Коэффициент передачи тока эмиттера

    2.Коэффициент передачи тока базы

    При моделировании биполярного транзистора можно пользоваться различными моделями разной степени сложности. Наиболее простой и при этом сравнительно точной является модель Эберса-Молла. Рассмотрим эту модель подробнее. В модели Эберса-Молла биполярный транзистор представляется в виде эквивалентной схемы.

    В модели Эберса—Молла используется большинство допущений классической теории Шокли идеализированного полупроводникового диода малость поперечных размеров по сравнению с продольными (перпендикулярными плоскостям р-п переходов), однородность легирования областей базы и эмиттера, низкий уровень инжекции, пренебрежение токами генерации—рекомбинации носителей заряда в р-п переходах и диффузионный механизм токов неосновных носителей. Дополнительными допущениями являются:

    • эквипотенциальность базы в плоскостях р-п переходов;

    • постоянство нормального и инверсного коэффициентов передачи тока



    Рисунок 9 – Модель Эберса-Молла

    Модель Эберса-Молла в таком виде не учитывает переходные процессы, протекающие в транзисторе, в случае же если нужно учитывать переходные процессы необходимо рассматривать эквивалентную схему с конденсаторами. Ограничимся статическими зависимостями и получим при помощи этой модели семейство проходных и выходных характеристик.

    По законам Кирхгофа:







    Тогда используя выражение для тока диода :





    Где с другой стороны , тогда



    Окончательно имеем: и

    В схеме с общей базой







    Такая модель широко используется при моделировании различных схем, устройств. Эквивалентная модель “подгоняется” под эксперимент и с необходимой точностью позволяет предсказать поведение той или иной схемы, включающей в себя транзисторы. Вычислительная работа небольшая, скорость моделирования высокая.

    Полученное техническое задание.

    Таблица 1 – Параметры биполярного транзистора

    αN

    Uк, В

    Iк0, A

    Iэ, мA

    0,85

    -0,5 – 3

    110-8

    0 – 4



    Для выполнения расчетов напишем код в среде Matlab.

    clear all;

    close all;

    clc;
    aN=0.85;

    Uk=[-0.5:0.01:3];

    Ik0=1e-8;

    Ie=[0:1e-3:4e-3];
    kB=1.38e-23;

    T=300;

    q=1.6e-19;

    ft=kB*T/q;
    for j=1:length(Ie)

    for i=1:length(Uk)

    Ik(i,j)=aN*Ie(j)-Ik0*(exp(-Uk(i)/ft)-1);

    end

    end
    plot(Uk,Ik.*(1e3),'LineWidth',2);

    xlabel('Collector voltage, V','FontSize', 14)

    ylabel('Collector current, mA','FontSize', 14)

    grid on

    ylim([-0.5 max(max(Ik.*(1e3)))*1.1])

    legend('I_e=0mA','I_e=1mA','I_e=2mA','I_e=3mA', 'I_e=4mA')

    print(gcf,'-djpeg','VAH')

    В результате выполнения программы получим выходную характеристику.



    Рисунок 10 – Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме с общей базой

    Вывод.

    В ходе данной практической работы было проведено моделирование интегрального биполярного транзистора в схеме с общей базой. В качестве модели была выбрана модель Эберса-Молла. Для расчета выходных характеристик использовалась программа, написанная в среде MatLab. Результатом работы программы является график семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой.

    Анализ результатов показывает, что данная модель является достаточно компактной и точной. Модель может быть изменена под определенные результаты эксперименты. Скорость расчетов очень высокая и затраты на оперативную память минимальные, что позволяет применять такие модели в схемах, где транзисторов достаточно большое количество.


    написать администратору сайта