Моделирование биполярного транзистора. 9206_Краснокутский_Дорошенко_Ремеле_ПР4. Схемотехническое моделирование интегрального биполярного транзистора
Скачать 452.32 Kb.
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра МНЭ отчет по практической работе №4 по дисциплине «ОМиПМЭК» Тема: «Схемотехническое моделирование интегрального биполярного транзистора»
Санкт-Петербург 2023 Цель работы. Расчет и построение семейства выходных ВАХ интегрального биполярного транзистора на основе модели Эберса-Молла и исходных данных, указанных в варианте задания. Основные теоретические положения. Биполярный транзистор – прибор, состоящий из трех полупроводниковых областей с чередующимся типом проводимости с двумя p-n-переходами, пригодный для усиления, генерации и переключения электрических сигналов. Биполярные транзисторы бывают с n-p-n и с p-n-p структурой (рисунок 1). Рисунок 1 – Структура n-p-n и p-n-p транзисторов Более детально структура биполярного транзистора. Рисунок 2 – Планарная структура биполярного транзистор n-p-n типа Совершенно аналогично выглядит и транзистор p-n-p типа. Транзистор изготавливают посредством легирования подложки нужными типами примесей в определенной последовательности: сначала коллектор, затем формируется базовая область, после чего формируется эмиттерная область. При этом профиль легирования имеет вид. Рисунок 3 – Профиль легирования n-p-n транзистора Рассмотрим принцип действия биполярного транзистора. Биполярный транзистор можно представить, как два последовательных p-n перехода, при подаче напряжения на транзистор переход БЭ открывается, из-за чего происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу. Поскольку инжектированные носители заряда не являются основным в базе они частично рекомбинируют с носителями заряда в базе, но из-за малой толщины база число актов рекомбинации мало и рекомбинационный ток мал. Затем инжектированные в базу носители продвигаются к коллектору вследствие градиента концентрации, т.к переход КБ смещен в обратном направлении. Эти носители и составляют коллекторный ток. Стоит отметить что выделяют четыре режима работы транзистора: Нормальный В нормальном режиме работы база-эммитерный переход подключен прямо, а база-коллекторный обратно. В этом режиме работают подавляющее большинство транзисторов. Инверсный База-эммитерный переход подключен обратно, а база-коллекторный прямо. Насыщения Оба перехода смещены прямо. Отсечки Оба перехода смещены обратно. Биполярный транзистор может быть включен тремя различными способами: С общей базой Рисунок 4 – Схема включения с общей базой Схема с общей базой обладает малым входным сопротивлением (десятки Ом), т.к. входная цепь представляет собой БЭ-переход транзистора. У подобной схемы включения очень хорошие частотные свойства и хорошая термостабильность, однако ценой этому является отсутствие какого-либо усиления по току. С общим коллектором Рисунок 5 – Схема включения с общим коллектором Схема включения с общим коллектором обладает наибольшим входным сопротивлением т.к входная цепь – это закрытый переход КБ, также она обладает низким выходным сопротивлением, а также высоким коэффициентом усиления. Однако у схемы есть и недостаток – она не усиливает напряжение. С общем эмиттером Рисунок 6 – Схемы включения с общим эмиттером Эта схема наиболее популярна в связи с тем, что она позволяет достичь наибольшего усиления по мощности. Также эта схема обладает большим входным сопротивлением чем схема с общей базой. Но у схемы есть недостатки – у нее плохие температурные и частотные свойства. Важнейшими характеристиками транзистора являются семейства проходных и выходных характеристик. Каждой схеме включения соответствует свое семейство выходных и проходных характеристик: Рисунок 7 – Проходные и выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой» (а- выходные, б – проходные). Рисунок 8 – Проходные и выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (а- выходные, б – проходные). Помимо этого, транзистор обладает несколькими важными статическими параметрами, выделим три наиболее важных из них, которые будут использоваться в дальнейшем: 1.Коэффициент передачи тока эмиттера 2.Коэффициент передачи тока базы При моделировании биполярного транзистора можно пользоваться различными моделями разной степени сложности. Наиболее простой и при этом сравнительно точной является модель Эберса-Молла. Рассмотрим эту модель подробнее. В модели Эберса-Молла биполярный транзистор представляется в виде эквивалентной схемы. В модели Эберса—Молла используется большинство допущений классической теории Шокли идеализированного полупроводникового диода малость поперечных размеров по сравнению с продольными (перпендикулярными плоскостям р-п переходов), однородность легирования областей базы и эмиттера, низкий уровень инжекции, пренебрежение токами генерации—рекомбинации носителей заряда в р-п переходах и диффузионный механизм токов неосновных носителей. Дополнительными допущениями являются: эквипотенциальность базы в плоскостях р-п переходов; постоянство нормального и инверсного коэффициентов передачи тока Рисунок 9 – Модель Эберса-Молла Модель Эберса-Молла в таком виде не учитывает переходные процессы, протекающие в транзисторе, в случае же если нужно учитывать переходные процессы необходимо рассматривать эквивалентную схему с конденсаторами. Ограничимся статическими зависимостями и получим при помощи этой модели семейство проходных и выходных характеристик. По законам Кирхгофа: Тогда используя выражение для тока диода : Где с другой стороны , тогда Окончательно имеем: и В схеме с общей базой Такая модель широко используется при моделировании различных схем, устройств. Эквивалентная модель “подгоняется” под эксперимент и с необходимой точностью позволяет предсказать поведение той или иной схемы, включающей в себя транзисторы. Вычислительная работа небольшая, скорость моделирования высокая. Полученное техническое задание. Таблица 1 – Параметры биполярного транзистора
Для выполнения расчетов напишем код в среде Matlab. clear all; close all; clc; aN=0.85; Uk=[-0.5:0.01:3]; Ik0=1e-8; Ie=[0:1e-3:4e-3]; kB=1.38e-23; T=300; q=1.6e-19; ft=kB*T/q; for j=1:length(Ie) for i=1:length(Uk) Ik(i,j)=aN*Ie(j)-Ik0*(exp(-Uk(i)/ft)-1); end end plot(Uk,Ik.*(1e3),'LineWidth',2); xlabel('Collector voltage, V','FontSize', 14) ylabel('Collector current, mA','FontSize', 14) grid on ylim([-0.5 max(max(Ik.*(1e3)))*1.1]) legend('I_e=0mA','I_e=1mA','I_e=2mA','I_e=3mA', 'I_e=4mA') print(gcf,'-djpeg','VAH') В результате выполнения программы получим выходную характеристику. Рисунок 10 – Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме с общей базой Вывод. В ходе данной практической работы было проведено моделирование интегрального биполярного транзистора в схеме с общей базой. В качестве модели была выбрана модель Эберса-Молла. Для расчета выходных характеристик использовалась программа, написанная в среде MatLab. Результатом работы программы является график семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой. Анализ результатов показывает, что данная модель является достаточно компактной и точной. Модель может быть изменена под определенные результаты эксперименты. Скорость расчетов очень высокая и затраты на оперативную память минимальные, что позволяет применять такие модели в схемах, где транзисторов достаточно большое количество. |