практика. Содержание практики Общее ознакомление с учреждением, предприятием, организацией
 Скачать 129.85 Kb.
|
|
Содержание практики Общее ознакомление с учреждением, предприятием, организацией Ростелеком - Российская телекоммуникационная компания. Является крупнейшим национальным провайдером цифровых сервисов. Предоставляет услуги широкополосного доступа в Интернет, интерактивного телевидения, сотовой связи, местной и дальней телефонной связи и др. Занимает лидирующие позиции на российском рынке высокоскоростного доступа в интернет, платного ТВ, хранения и обработки данных, а также кибербезопасности. «Ростелеком» организован по принципу территориальных подразделений - филиалов: Главный центр управления междугородными связями, 17 региональных и 7 функциональных филиалов. Региональные филиалы - территориальные центры междугородных связей и телевидения (ТЦМС), - это основа "Ростелекома". Здесь обеспечивается функционирование сети ОАО "Ростелеком" на всей территории России, производятся подключения региональных сетей связи к магистральной сети компании, производятся взаиморасчеты с региональными операторами связи. Сеть связи ОАО "Ростелеком" обеспечивает предоставление основных услуг речевой телефонии, телеграфной и телексной связи, передачи данных и видеоконференцсвязи. Доступ абонентов к междугородной и международной сети, принадлежащей ОАО "Ростелеком", осуществляют 89 российских региональных операторов электросвязи (РОЭ). Передача сигнала между абонентами и местными станциями осуществляется в основном по медным кабелям. Практически всем РОЭ принадлежат автоматические междугородные телефонные станции (АМТС), которые коммутируют трафик между сетями РОЭ и междугородной магистральной сетью ОАО "Ростелеком". Перед тем как начать выполнение своих обязанностей, каждый работник обязан получить несколько видов инструктажей по охране труда: вводный, первичный, повторный, целевой и внеплановый. Вводный инструктаж по безопасности труда проводится в первый трудовой день: Со всеми принимаемыми на работу лицами. С командированными в организацию работниками. С рабочими сторонних организаций, выполняющими работы на территории предприятия. С практикантами и т. д. Проведение вводного инструктажа по безопасности труда возлагается на специалиста по ОТ или работника, назначенного указом руководителя. Во время него рабочие изучают: Основные положения законодательства, касающегося ОТ. Правила поведения на производстве. СИЗ. Информацию о ЧП в фирме или на аналогичных предприятиях. Порядок допуска к самостоятельному труду и т. д. Первичный инструктаж по безопасности труда на рабочем месте осуществляется руководителем подразделения или, по его поручению, мастером. Он проводится до самостоятельной работы: Со всеми новичками. Сезонными рабочими. С работниками, с которыми заключен срочный контракт на срок до 2 месяцев. Перемещенными или переведенными сотрудниками. С командированными работниками. Со стажерами. С лицами, которым поручается выполнение новой для них работы и т. д. Могут быть освобождены от проведения данного инструктажа лица, труд которых не связан с опасностями. Программа инструктажа предусматривает: Общее ознакомление с технологическим процессом на данном участке работы. Знакомство с оборудованием. Порядок подготовки к труду. Требования к СИЗ. Случаи производственного травматизма и их причины. Требования безопасности при работе с электрооборудованием. осветительными приборами. Меры оказания первой медпомощи. Ответственность за нарушение правил ОТ. Вводный инструктаж и первичный на рабочем месте проводятся по специально разработанным и утвержденным нанимателем программам. Повторный - закрепление ранее полученных знаний. Проводится по программам первичного инструктирования на рабочем месте. Повторный инструктаж по безопасности труда проходят все работники, указанные в предыдущем пункте. Проводится он не реже 1 раза в 6 месяцев. С рабочими, обслуживающими оборудование повышенной опасности, его проводят не реже 1 раза в 3 месяца. Работники, деятельность которых не связана с опасностями, от данного мероприятия могут быть освобождены. Но чтобы это подтвердить документально, начальник обязан издать соответствующее распоряжение. Внеплановый инструктаж по безопасности труда необходим: При введении в действие новых или изменении норм, содержащих требования ОТ, а также инструкций по ОТ. При изменении технологических процессов, замене или модернизации оборудования и других факторов, влияющих на безопасность труда. При нарушении рабочими требований ОТ, если это стало причиной несчастного случая либо аварии. По требованию контролирующих органов. При перерывах в работе. Для работ с вредными и(или) опасными условиями — более 30 календарных дней, а для остальных — более 2 месяцев. По решению нанимателя. Целевой проводят для определенных заданий: При выполнении разовых работ. При ликвидации последствий аварий, ЧС. При выполнении работ, на которые оформляются наряд-допуск или разрешение. При проведении на предприятии массовых мероприятий. Организационная структура управления филиала. Директор филиала: организует всю работу предприятия и несет полную ответственность за его состояние и деятельность перед государством и ОАО «Ростелеком». Директор представляет предприятие во всех учреждениях и организациях, распоряжается имуществом предприятия, заключает договора, издает приказы по предприятию, в соответствии с трудовым законодательством принимает и увольняет работников, применяет меры поощрения и налагает взыскания на работников предприятия, открывает в банках счета предприятия ведет работу по оперативному руководству филиалом, занимается планированием, координацией работы всех отделов и служб филиала, принимает решения по текущей деятельности филиала. Главный инженер (он же является первым заместителем директора филиала) курирует следующие вопросы: эксплуатация линий, работа ТУСМ (технических узлов союзных магистралей), охрана труда и техника безопасности на предприятии, патентно-изобретательскую работу, вопросы метрологии (соблюдения стандартов). Заместитель директора по общим вопросам. Ему подчиняется: отдел материально-технического снабжения и служба главного механика, включающая в себя: автотранспортный цех, базу флота, хозяйственный отдел. Главный бухгалтер: решает вопросы бухгалтерского учета, несет ответственность совместно с директором за правильность данных, предоставленных в налоговую инспекцию и бухгалтерию ОАО «Ростелеком». Главный экономист руководит работой по планированию и экономическому стимулированию на предприятии, повышению производительности труда, выявлению и использованию производственных резервов улучшению организации производства, труда и заработной платы, и др. Ему подчиняется экономический отдел, который разрабатывает годовые, квартальные планы филиала и отдельных ТУСМ, контролирует их выполнение, определяет пути устранения недостатков, организует и совершенствует внутризаводское и внутрицеховое планирование, разрабатывает нормативы для образования фондов экономического стимулирования, ведет оперативный статистический учет, анализ показателей работы основных агрегатов, цехов, разрабатывает и представляет на утверждение проекты, изучает и внедряет передовой опыт в организации планово-экономической работы и др. Заместитель директора по чрезвычайным ситуациям - проводит работу по подготовке и реализации программ для предоставления каналов связи в интересах обороны, государственного управления, безопасности и правопорядка страны в чрезвычайных ситуациях. Заместитель директора по капитальному строительству и ремонту. Ему подчинены: отдел капитального строительства, проектно-конструкторский отдел, строительный участок «Глобал стар» (элемент матричной структуры), ремонтная группа. Также напрямую директору подчинены: отдел безопасности, отдел кадров, служба маркетинга. На основе изучения организационной структуры филиала ОАО «Ростелеком» можно сделать следующий вывод: организационная структура спроектирована неэффективно, так как не полностью отвечает задачам, целям и факторам, от которых зависит успешная деятельность предприятия. Во-первых, в филиале ОАО «Ростелеком» -15 отдел маркетинга не наделен достаточными полномочиями и ресурсами для выполнения программ, запланированных головным предприятием, его иерархическая значимость невелика, численность отдела 3 человека. Во-вторых, согласно существующей организационной структуре не соблюдается правило «нормы управляемости», так как, например, директор филиала, как видно из приложения, имеет в своем непосредственном подчинении 10 человек, главный инженер (второй человек в организации) - 12, что совершенно недопустимо на таком высоком уровне управления, где норма управляемости равна максимум 7 человек. В-третьих, хозяйственный отдел дублирует функции отдела материально - технического снабжения. 1.2 Правила разработки и оформления технической документации, чертежей, схем Технические чертежи и схемы, выполняемые в организациях и учебных заведениях, оформляются с учетом требований Единой системы конструкторской документации (ЕСКД) и Единой системы программной документации (ЕСПД). ЕСКД – это комплекс государственных стандартов (ГОСТ), устанавливающих единые правила и положения по разработке и оформлению конструкторской документации. Каждый ГОСТ имеет свое наименование и год утверждения. Например, ГОСТ 2.301-68 «Форматы» определяет размеры листов. Здесь 2.301 – номер стандарта, где цифра 2 указывает класс стандарта (стандарты ЕСКД), 3 – шифр классификационной группы стандартов (общие правила выполнения чертежей), 01 – порядковый номер стандарта в группе, последние две цифры означают год его регистрации (1968). Техническая документация – это набор текстовых, графических и визуализированных (макеты, рисунки) материалов, определяющих функциональные, технологические, инженерные и дизайнерские решения для реализации производства каких-либо товаров либо для проведения строительных работ и реконструкции. Под понятием «оформление технических документов» подразумевают оформление следующих документов: — технические условия; — аттестация рабочих мест; — поверка и калибровка; — разработка СТО; — разработка рецептур; — технологический регламент; — каталожный лист; — руководство по эксплуатации; — удостоверение повышения квалификации; — технологическая инструкция. Во избежание разночтений все документы создаются по установленному шаблону. Более того, международная интеграция все более диктует условия для работы инженеров всех отраслей. Современная проектная документация составляется таким образом, чтобы у специалистов из разных стран не возникало разночтений. В огромной степени этому способствует автоматизированная разработка технической документации. Всевозможные компьютерные программы используются по всему миру. Проектно-техническая документация разрабатывается совместно с отделом техники безопасности. Любая инновационная конструкторская идея должна быть подвергнута здоровой критике или пройти тестирование на практике. Вся техническая документация должна быть изучена специалистами отдела охраны труда. О том, что такая работа проведена, говорит отметка о согласовании на титульных страницах чертежей либо пояснительной записки. Система технической документации служит для определенных целей: для облегчения проектирования (сформулированы и рассчитаны основные требования, нормы и показатели); для конкретной привязки к местности (определены допуски и отклонения); во избежание ошибочного прочтения чертежной документации (разработаны единые условные обозначения и требования). Оформление технической документации (набора документов) — необходимое условие проектирования, создания и эксплуатации любых технических объектов: зданий, строений, сооружений, промышленных товаров, оборудования, программного обеспечения. Для оформления технической документации необходимо пройти процедуру инвентаризации (технического учета), по результатам которой объекту исследования присваиваются определенные, выделяющие его из ряда аналогов свойства и характеристики, официально утверждаемые в соответствующем документе: паспорте, технической литературе, руководстве по эксплуатации. ГОСТ 24.301-80 "Система технической документации на АСУ. Общие требования к выполнению текстовых документов" Настоящий стандарт распространяется на техническую документацию на автоматизированные системы управления (АСУ) всех видов, разрабатываемые для всех уровней управления (кроме общегосударственного) и устанавливает общие требования к выполнению текстовых документов, перечень которых установлен ГОСТ 34.201. Стандарт не распространяется на программные и организационно-распорядительные документы АСУ, правила выполнения которых регламентированы государственными стандартами других систем документации. Все технические документы выполняются на листах определенного формата (размера). Формат определяется размерами внешней рамки листа, которую выполняют сплошной тонкой линией. Стандартные размеры форматов листов чертежей и схем (конструкторских документов) определены ГОСТ 2.301-68. Допускается применять формат А5 с размерами сторон 148х210 мм. 1.3 Трехфазные электрические цепи. Трехфазная цепь – это совокупность трех электрических цепей, в которых действуют синусоидальные ЭДС, одинаковые по амплитуде и частоте. Каждую отдельную цепь, входящую в трехфазную цепь принято называть фазой. Таким образом, термин "фаза" имеет в электротехнике два значения: первое – аргумент синусоидально изменяющейся величины, второе – часть многофазной системы электрических цепей. Трехфазная цепь является частным случаем многофазных систем переменного тока. Широкое распространение трехфазных цепей объясняется рядом их преимуществ по сравнению как с однофазными, так и с другими многофазными цепями: • экономичность производства и передачи энергии по сравнению с однофазными цепями; • возможность сравнительно простого получения кругового вращающегося магнитного поля, необходимого для трехфазного асинхронного двигателя; • возможность получения в одной установке двух эксплуатационных напряжений – фазного и линейного. Каждая фаза трехфазной цепи имеет стандартное наименование: первая фаза – фаза "А"; вторая фаза – фаза "В"; третья фаза – фаза "С". Начала и концы каждой фазы также имеют стандартные обозначения. Начала первой, второй и третьей фаз обозначаются соответственно А, В, С, а концы фаз – X, Y, Z. Основными элементами трехфазной цепи являются: трехфазный генератор, преобразующий механическую энергию в электрическую; линии электропередач; приемники (потребители), которые могут быть как трехфазными (например, трехфазные асинхронные двигатели), так и однофазными (например, лампы накаливания). Приемники, включаемые в трехфазную цепь, могут быть либо однофазными, либо трехфазными. К однофазным приемникам относятся электрические лампы накаливания и другие осветительные приборы, различные бытовые приборы, однофазные двигатели и т.д. К трехфазным приемникам относятся трехфазные асинхронные двигатели и индукционные печи. Обычно комплексные сопротивления фаз трехфазных приемников равны между собой Трехфазная цепь состоит из трех основных элементов: Трехфазного генератора, в котором механическая энергия преобразуется в электрическую с трехфазной системой ЭДС; Линии передачи со всем необходимым оборудованием; Приемников (потребителей), которые могут быть как трехфазными (например, трехфазные асинхронные двигатели), так и однофазными (например, лампы накаливания). Трехфазный генератор представляет собой синхронную машину двух типов: турбогенератор и гидрогенератор. 1.4 Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых элементов, аналоговых электронных устройств Основным материалом, на основе которого изготовляют полупроводниковые ИМС, является кремний, так как на его основе можно получить пленку двуокиси кремния с высокими показателями и сравнительно простыми способами. Кроме того, следует иметь в виду и другие достоинства кремния по сравнению с германием: большая ширина запрещенной зоны, и, следовательно, меньшее влияние температуры, меньшие обратные токи неосновных носителей заряда; меньшая диэлектрическая проницаемость, следовательно, меньшие барьерные емкости при прочих равных условиях. Для придания кремнию определенного типа проводимости в кристалл вводят донорные и акцепторные примеси, в результате чего в каждой области Р- или N-кремния имеются основные и неосновные носители заряда. Движение носителей заряда в полупроводниковых структурах ИМС происходит как обычно: либо в виде диффузии за счет разности концентрации носителей заряда, либо в виде дрейфа под действием сил электрического поля. В образующихся PN-переходах происходят обычные явления, описанные ранее. Основная технология изготовления полупроводниковых ИМС — планарная. Свойства ИМС во многом определяются технологией их создания. В зависимости от разновидности полупроводниковой технологии (локализация и литография, вакуумное напыление и гальваническое осаждение, эпитаксия, диффузия, легирование и травление) получают области с различной проводимостью, которые эквивалентны емкости, либо активным сопротивлениям, либо различным полупроводниковым приборам. Изменяя концентрацию примесей, можно получить в кристалле многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую схему. В настоящее время применяют групповые способы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, позволяющие за один технологический цикл получить несколько сотен заготовок микросхем. Наибольшее распространение получил групповой планарный способ, заключающийся в том, что элементы микросхем (конденсаторы, резисторы, диоды и транзисторы) располагаются в одной плоскости или на одной стороне подложки. основные технологические процессы, применяемые при изготовлении полупроводниковых микросхем (термическое оксидирование, литография, эпитаксия, диффузия и ионное легирование). Термическое оксидирование мало чем отличается от типовых технологических процессов, известных при производстве полупроводниковых приборов. В технологии кремниевых полупроводниковых микросхем оксидные слои служат для изоляции отдельных участков полупроводникового кристалла (элементов, микросхемы) при последующих технологических процессах. Литография является самым универсальным способом получения изображения элементов микросхемы на кристалле полупроводника и делится на три вида: оптическая, рентгеновская и электронная. В производстве полупроводниковых интегральных микросхем самый универсальный технологический процесс — это оптическая литография или фотолитография. Сущность процесса фотолитографии основана на использовании фотохимических явлений, происходящих в светочувствительных покрытиях (фоторезистах) при экспонировании их через маску. На рис. 22, а показан процесс негативного, а на рис. 22, б — позитивного переноса изображений с помощью фоторезистов, а на рис. 23 приведена схема технологического процесса фотолитографии. Весь процесс фотолитографии с помощью фоторезистивной маски состоит из трех основных этапов: формирования на поверхности подложки фото-резистивного слоя 1, фоторезистивной контактной маски II и передачи изображения с фотошаблона на фоторе-зистивный слой III. Фотолитография может производиться бесконтактным и контактным способами. Бесконтактная фотолитография по сравнению с контактной дает более высокую степень интеграции более высокие требования к фотообо-рудованию. Процесс получения рисунка микросхемы фотолитографическим способом сопровождается рядом контрольных операций, предусмотренных соответствующими картами технологического контроля. Рентгеновская литография позволяет получить более высокую разрешающую способность (большую степень интеграции), так как длина волны рентгеновских лучей короче, чем световых. иднако рентгенолитография требует более сложного технологического оборудования. Электронная литография (электронно-лучевое экспонирование) выполняется в специальных вакуумных установках и позволяют получить высокое качество рисунка микросхемы. Этот вид литографии легко автоматизируется и имеет ряд преимуществ при получении больших интегральных микросхем с большим (более 105) числом элементов. В настоящее время полупроводниковые элементы и компоненты микросхем получают тремя методами: эпитаксии, термической диффузии и ионного легирования. Эпитаксия—процесс выращивания слоев с упорядоченной кристаллической структурой путем реализации ориентирующего действия кристалла подложки. Ориентированно выраженные слои нового вещества, закономерно продолжающие кристаллическую решетку подложки, называют эпитаксиальными слоями. Эпитаксиальные слои на кристалле выращивают в вакууме. Процессы эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев аналогичны получению тонких пленок. Эпитаксию можно разделить на следующие этапы: доставка атомов или молекул вещества слоя на поверхность кристалла подложки и миграция их по поверхности; начало группирования частиц вещества около поверхностных центров кристаллизации и образование зародышей слоя; рост отдельных зародышей до их слияния и образования сплошного слоя. Термическая диффузия — это явление направленного перемещения частиц вещества в сторону убывания их концентрации, которое определяется градиентом концентрации. Термическую диффузию широко используют для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины или в выращенные на них эпитаксиальные слои с целью получения элементов микросхемы противоположного по сравнению с исходным материалом типа проводимости, либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. В первом случае получают, например, эмиттеры, во втором— коллекторы. Ионное легирование также получило широкое применение при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плоскостью переходов, солнечных батарей и др. Процесс ионного легирования определяется начальной кинетической энергией ионов в полупроводнике и выполняется в два этапа. Сначала в полупроводниковую пластину на вакуумной установке с дуговым разрядом внедряют ионы, а затем проводят отжиг при высокой температуре, в результате чего восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решетки. Метод получения полупроводниковых элементов наиболее перспективен при изготовлении различных СВЧ-структур. Этапы эволюционного развития интегральных схем. К интегральным схемам (микросхемам, ИС) относятся электронные устройства различной сложности, в которых все однотипные элементы изготавливаются одновременно в едином технологическом цикле, т.е. по интегральной технологии. В отличие от печатных плат (в которых в едином цикле по интегральной технологии одновременно изготавливаются все соединительные проводники) в ИС аналогично формируются и резисторы, и конденсаторы, и (в полупроводниковых ИС) диоды и транзисторы. Кроме того, одновременно изготавливается много ИС, от десятков, до тысяч. Различают две основные группы ИС: гибридные и полупроводниковые. В гибридных ИС (ГИС) на поверхности подложки микросхемы (как правило, из керамики) по интегральной технологии формируются все проводники и пассивные элементы. Активные элементы в виде бескорпусных диодов, транзисторов и кристаллов полупроводниковых ИС, устанавливаются на подложку индивидуально, вручную или автоматами. В полупроводниковых ИС соединительные, пассивные и активные элементы формируются в едином технологическом цикле на поверхности полупроводникового материала (обычно кремния) с частичным вторжением в его объём методами диффузии. Одновременно на одной пластине полупроводника, в зависимости от сложности устройства и размеров его кристалла и пластины, изготавливается от нескольких десятков до нескольких тысяч ИС. Промышленность полупроводниковые ИС выпускает в стандартных корпусах, в виде отдельных кристаллов или в виде неразделенных пластин. 1. Первый период (1945–1955 гг.) Ламповые машины. Операционных систем нет. В середине 40-х были созданы первые ламповые вычислительные устройства и появился принцип программы, хранящейся в памяти машины (John Von Neumann, июнь 1945 г.). Программирование осуществлялось исключительно на машинном языке. Об операционных системах не было и речи, все задачи организации вычислительного процесса решались вручную каждым программистом с пульта управления. За пультом мог находиться только один пользователь. Программа загружалась в память машины в лучшем случае с колоды перфокарт, а обычно с помощью панели переключателей. Вычислительная система выполняла одновременно только одну операцию (ввод-вывод или собственно вычисления). Отладка программ велась с пульта управления с помощью изучения состояния памяти и регистров машины. 2. Второй период (1955 г.–начало 60-х) Компьютеры на основе транзисторов. Пакетные операционные системы С середины 50-х годов начался следующий период в эволюции вычислительной техники, связанный с появлением новой технической базы – полупроводниковых элементов. Применение транзисторов вместо часто перегоравших электронных ламп привело к повышению надежности компьютеров. Снижается потребление вычислительными машинами электроэнергии, совершенствуются системы охлаждения. Размеры компьютеров уменьшились. Снизилась стоимость эксплуатации и обслуживания вычислительной техники. Началось использование ЭВМ коммерческими фирмами. Одновременно наблюдается бурное развитие алгоритмических языков (LISP, COBOL, ALGOL-60, PL-1 и т.д.). Появляются первые настоящие компиляторы, редакторы связей, библиотеки математических и служебных подпрограмм. Упрощается процесс программирования. Пропадает необходимость взваливать на одних и тех же людей весь процесс разработки и использования компьютеров. Именно в этот период происходит разделение персонала на программистов и операторов, специалистов по эксплуатации и разработчиков вычислительных машин. 3. Третий период (начало 60-х – 1980 г.) Компьютеры на основе интегральных микросхем. Первые многозадачные ОС Следующий важный период развития вычислительных машин относится к началу 60-х – 1980 г. В это время в технической базе произошел переход от отдельных полупроводниковых элементов типа транзисторов к интегральным микросхемам. Вычислительная техника становится более надежной и дешевой. Растет сложность и количество задач, решаемых компьютерами. Повышается производительность процессоров. Повышению эффективности использования процессорного времени мешает низкая скорость работы механических устройств ввода-вывода (быстрый считыватель перфокарт мог обработать 1200 перфокарт в минуту, принтеры печатали до 600 строк в минуту). Вместо непосредственного чтения пакета заданий с перфокарт в память начинают использовать его предварительную запись, сначала на магнитную ленту, а затем и на диск. Когда в процессе выполнения задания требуется ввод данных, они читаются с диска. Точно так же выходная информация сначала копируется в системный буфер и записывается на ленту или диск, а печатается только после завершения задания. Появление электронно-лучевых дисплеев и переосмысление возможностей применения клавиатур поставили на очередь решение этой проблемы. Первым семейством программно совместимых компьютеров, построенных на интегральных микросхемах, стала серия машин IBM/360. Разработанное в начале 60-х годов, это семейство значительно превосходило машины второго поколения по критерию цена/производительность. За ним последовала линия компьютеров PDP, несовместимых с линией IBM, и лучшей моделью в ней стала PDP-11. 4. Четвертый период (с 1980 г. по настоящее время) Персональные компьютеры. Классические, сетевые и распределенные системы Следующий период в эволюции вычислительных систем связан с появлением больших интегральных схем (БИС). В эти годы произошло резкое возрастание степени интеграции и снижение стоимости микросхем. Компьютер, не отличающийся по архитектуре от PDP-11, по цене и простоте эксплуатации стал доступен отдельному человеку, а не отделу предприятия или университета. Наступила эра персональных компьютеров. Первоначально персональные компьютеры предназначались для использования одним пользователем в однопрограммном режиме, что повлекло за собой деградацию архитектуры этих ЭВМ и их операционных систем (в частности, пропала необходимость защиты файлов и памяти, планирования заданий и т. п.). Компьютеры стали использоваться не только специалистами, что потребовало разработки «дружественного» программного обеспечения. Переход к нанотехнологиям производства интегральных схем, тенденции развития. Основная проблема, связанная с уменьшением размеров транзистора, упирается даже не в технологические сложности литографического процесса, который требует использования новых коротковолновых источников излучения, а в то, что экспоненциальное увеличение числа транзисторов на кристалле приводит к экспоненциальному росту потребляемой мощности и, как следствие, к перегреву микросхемы. Главными барьерами на пути миниатюризации транзисторов являются выделение тепла при работе транзистора и утечка электрического тока в том же процессе. Чем меньше транзистор, тем выше тепловыделение и больше ток утечки. |