Таблица 3.16. Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит
Тип
| Информационная емкость (битХ разряд)
| Время выборки адреса, но
| Время цикла записи, не
| рпот- мВт
| Тип корпуса и количество выводов
|
| n-МОП-типа
|
|
|
| TMS4045-15JDL (JL, NL)
| 1024x4
| 150
| 150
| 550
| КД-18, ПД-18
| TMS40L45-20JL(NL)
| 1024X4
| 200
| 200
| 330
| ПД-18
| TMS40L47-20JDL
| 1024X4
| 200
| 200
| 330
| ПД-20, КД-18
| (JL, NL)
|
|
|
|
|
| TMS4047-20JDL(JL, NL)
| 1024X4
| 200
| 200
| 550
| КД-20, ПД-20
| TMS40L45-25JDL (JL, NL)
| 1024X4
| 250
| 250
| 330
| КД-18, ПД-18
| TMS40L47-25JDL (JL, NL)
| 1024X4
| 250
| 250
| 330
| КД-20, ПД-20
| TMS4047-25JDL(JL, NL)
| 1024x4
| 250
| 250
| 550
| КД-20, ПД-20
| TMS4045-45JDL(JL, NL)
| 1024X4
| 450
| 450
| 550
| КД-18, ПД-18
| C2142-2
| 1024X4
| 200
| 200
| 475
| КД-18
| C2142L-2
| 1024X4
| 200
| 200
| 325
| КД-18
| D2114-2
| 1024x4
| 200
| 200
| 525
| КД-18
| D2114L-2
| 1024X4
| 200
| 200
| 370
| КД-18
| P2114-2DC, (2PC)
| 1024X4
| 200
| 200
| 500
| КД-18, ПД-18
| P2114-3 D2114-3
| 1024X4
| 300
| 300
| 525
| ПД-18
| P2114L-3 D2114L-3
| 1024X4
| 300
| 300
| 385
| ПД-18
| C2142
| 1024X4
| 450
| 450
| 475
| КД-20
| AM9130DDC (DPC)
| 1024X4
| 250
| 395
| 578
| КД-22, ПД-22
| AM9131CDM, (CPC, CDC)
| 1024x4
| 300
| 470
| 578
| КД-22, ПД-22
| AM9131BPC,
| 1024X4
| 400
| 620
| 578
| КД-22, ПД-22
| (BDC, BDM)
|
|
|
|
|
| D2 147-3
| 4096 X 1
| 55
| 55
| 850
| ПД-18
| D2147
| 4096 X 1
| 70
| 70
| 750
| ПД-18
| D2147L
| 4096X1
| 70
| 70
| 675
| ПД-18
| D2141-2
| 4096 X 1
| 120
| 120
| 350
| ПД-18
| D2141-3
| 4096X1
| 150
| 150
| 350
| ПД-18
| D2141L-3
| 4096X1
| 150
| 150
| 200
| ПД-18
| D2141-4
| 4096X1
| 200
| 200
| 275
| ПД-18
| D2141-5
| 4096X1
| 250
| 250
| 275
| КД-18
| D2141L-5
| 4096 X 1
| 250
| 250
| 200
| КД-18
| TMS4044-15JDL(JL, NL)
| 4096X1
| 150
| 150
| 440
| ПД-18, КД-18
| TMS40L44-20JDL (JL, NL)
| 4096 X 1
| 200
| 200
| 275
| ПД-18, КД-18
| TMS4046-20JDL(JL, NL)
| 4096 X 1
| 200
| 200
| 440
| ПД-20, КД-20
| TMS40L44-25JDL(JL NL)
| 4096 X 1
| 250
| 250
| 275
| КД-18 ПД-18
| TMS4046-25JDL(JL, NL)
| 4096 X 1
| 250
| 250
| 440
| КД-20, ПД-20
| Продолжение табл. 3.16
|
|
|
|
|
| TMS4044-45JDUJL, NL)
| 4096 X 1
| 450
| 450
| 440
| КД-18, ПД-18
| MK4104J-4, J-34, N-4
| 4096 X 1
| 250
| 385
| 150
| ПД-18
| MK4104J-35 }
|
|
|
|
|
| MK4104N-5
| 4096X1
| 300
| 460
| 150
| ПД-18
| MK4104N-35 j
|
|
|
|
|
| MK4104J-6, (N-6)
| 4096 X 1
| 350
| 535
| 150
| ПД-18
| ЭСЛ-типа
| MB 7077
| 1024X4
| 25
| 20
| 625
| КД-22
| F 10470 DC
| 4096 X1
| 30
| 25
| 1000
| ПД-18
| F100470DC, (PC)
| 4096X1
| 35
| 25
| 877
| ПД-18, КП-18
| КМОП-типа
| HMI-6514-2 HMI-6519-9
| 1024x4
| 270
| 240
| 0,25
| ПД-18
| NMC-6514J-2 NMC-6514J-9
| 1024X4
| 300
| 420
| 0,25
| —
| HMI-6514-5
| 1024X4
| 320
| 420
| 2,5
| ПД-18
| HMI-6533-2 HMI-6533-9
| 1024X4
| 350
| 475
| 0,5
| ПД-22
| HM9-6533-2
| 1024X4
| 350
| 475
| 0,5
| КП-22
| MWS5H4-5D, (5E)
| 1024X4
| 650
| 500
| 0,5
| КД-18, ПД-18
| MWS5114-D, (E)
| 1024X4
| 650
| 500
| 0,25
| КД-18, ПД-18
| HMI-6504-2 HM I -6504-9
| 4096 X 1
| 270
| 350
| 0,25
| ПД-18
| HM9-6504-2
| 4096X1
| 270
| 350
| 0,25
| КП-18
| NMC-6504J-2 NMC-6504J-9
| 4096X1
| 300
| 420
| 0,25
| —
| HMI -6504-5
| 4096-X 1
| 320
| 420
| 2,5
| ПД-18
| HMI-6543-2
| 4096 X 1
| 350
| 475
| 0,5
| ПД-22
| HM9-6543-2
| 4096 X 1
| 350
| 475
| 0,5
| КП-22
| NMC6504J-5 NMC6504-N-5
| 4096X1
| 350
| 500
| 2,5
| —
| ТТЛ-типа
| SN54S400J(N)
|
| [
|
|
|
| SN54S401J(N)
| 4096X1
| 75
| 75
| 500
| — —
| SN74S400J(N)
|
|
|
|
|
| SN74S401
|
|
|
|
|
| HM2540
| 4096 X 1
| 45
| 35
| 575
| ПД-18
| N82S400A-1 N82S401A-1
| 4096X1
| 45
| 70
| 775
| КД-18
|
| N82S400-1 N82S401-1
| 4096X1
| 45
| 35
| 775
| КД-18
|
| 93470DC, (PC) 93471DC, (PC)
| 4096x1
| 55
| 30
| 950
| ПД-18
|
| 93470DM 1 93471DM
| 4096X1
| 55
| 30
| 1000
| ПД-18
|
|
1. Для ЗУ КМОП-типа указана потребляемая мощность в режиме хранения.
Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4КХ1 и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr. емкостью 1КХ4;
2) тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения результата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невыбранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляемый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Примером ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фирмы Zilog с организацией 4КХ1 и 6114 фирмы Zilog с организацией 1КХ4;
3) нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). Примером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Время выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ такого типа наиболее перспективны. Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух типов: программируемые в условиях изготовления с помощью фотошаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно программируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, сплавов титана или поликристаллического кремния либо запатентованным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie-однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электрическим стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — используется для хранения заряда, другой — управляющий — для управления процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel). В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.
|