Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.А.Чернышева.1984. Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред. Справочник под редакцией А. А. Чернышева москва энергоатомиздат 1984 содержание предисловие

• Название: Справочник под редакцией А. А. Чернышева москва энергоатомиздат 1984 содержание предисловие
• Анкор: Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.А.Чернышева.1984.doc
• Дата: 16.09.2017
• Размер: 3.04 Mb.
• Имя файла: Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.doc
• Тип: Справочник; #8547
• Категория: Электротехника. Связь. Автоматика
• страница: 23 из 30

Таблица 3.16. Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит

Тип	Информа­ционная емкость (битХ разряд)	Время вы­борки адреса, но	Время цикла записи, не	рпот- мВт	Тип корпуса и количество вы­водов
	n-МОП-типа
TMS4045-15JDL (JL, NL)	1024x4	150	150	550	КД-18, ПД-18
TMS40L45-20JL(NL)	1024X4	200	200	330	ПД-18
TMS40L47-20JDL	1024X4	200	200	330	ПД-20, КД-18
(JL, NL)
TMS4047-20JDL(JL, NL)	1024X4	200	200	550	КД-20, ПД-20
TMS40L45-25JDL (JL, NL)	1024X4	250	250	330	КД-18, ПД-18
TMS40L47-25JDL (JL, NL)	1024X4	250	250	330	КД-20, ПД-20
TMS4047-25JDL(JL, NL)	1024x4	250	250	550	КД-20, ПД-20
TMS4045-45JDL(JL, NL)	1024X4	450	450	550	КД-18, ПД-18
C2142-2	1024X4	200	200	475	КД-18
C2142L-2	1024X4	200	200	325	КД-18
D2114-2	1024x4	200	200	525	КД-18
D2114L-2	1024X4	200	200	370	КД-18
P2114-2DC, (2PC)	1024X4	200	200	500	КД-18, ПД-18
P2114-3 D2114-3	1024X4	300	300	525	ПД-18
P2114L-3 D2114L-3	1024X4	300	300	385	ПД-18
C2142	1024X4	450	450	475	КД-20
AM9130DDC (DPC)	1024X4	250	395	578	КД-22, ПД-22
AM9131CDM, (CPC, CDC)	1024x4	300	470	578	КД-22, ПД-22
AM9131BPC,	1024X4	400	620	578	КД-22, ПД-22
(BDC, BDM)
D2 147-3	4096 X 1	55	55	850	ПД-18
D2147	4096 X 1	70	70	750	ПД-18
D2147L	4096X1	70	70	675	ПД-18
D2141-2	4096 X 1	120	120	350	ПД-18
D2141-3	4096X1	150	150	350	ПД-18
D2141L-3	4096X1	150	150	200	ПД-18
D2141-4	4096X1	200	200	275	ПД-18
D2141-5	4096X1	250	250	275	КД-18
D2141L-5	4096 X 1	250	250	200	КД-18
TMS4044-15JDL(JL, NL)	4096X1	150	150	440	ПД-18, КД-18
TMS40L44-20JDL (JL, NL)	4096 X 1	200	200	275	ПД-18, КД-18
TMS4046-20JDL(JL, NL)	4096 X 1	200	200	440	ПД-20, КД-20
TMS40L44-25JDL(JL NL)	4096 X 1	250	250	275	КД-18 ПД-18
TMS4046-25JDL(JL, NL)	4096 X 1	250	250	440	КД-20, ПД-20

Продолжение табл. 3.16

TMS4044-45JDUJL, NL)		4096 X 1		450		450	440	КД-18, ПД-18
MK4104J-4, J-34, N-4		4096 X 1		250		385	150	ПД-18
MK4104J-35 }
MK4104N-5		4096X1		300		460	150	ПД-18
MK4104N-35 j
MK4104J-6, (N-6)		4096 X 1		350		535	150	ПД-18
ЭСЛ-типа
MB 7077		1024X4		25		20	625	КД-22
F 10470 DC		4096 X1		30		25	1000	ПД-18
F100470DC, (PC)		4096X1		35		25	877	ПД-18, КП-18
КМОП-типа
HMI-6514-2 HMI-6519-9		1024x4		270		240	0,25	ПД-18
NMC-6514J-2 NMC-6514J-9		1024X4		300		420	0,25	—
HMI-6514-5		1024X4		320		420	2,5	ПД-18
HMI-6533-2 HMI-6533-9		1024X4		350		475	0,5	ПД-22
HM9-6533-2		1024X4		350		475	0,5	КП-22
MWS5H4-5D, (5E)		1024X4		650		500	0,5	КД-18, ПД-18
MWS5114-D, (E)		1024X4		650		500	0,25	КД-18, ПД-18
HMI-6504-2 HM I -6504-9		4096 X 1		270		350	0,25	ПД-18
HM9-6504-2		4096X1		270		350	0,25	КП-18
NMC-6504J-2 NMC-6504J-9		4096X1		300		420	0,25	—
HMI -6504-5		4096-X 1		320		420	2,5	ПД-18
HMI-6543-2		4096 X 1		350		475	0,5	ПД-22
HM9-6543-2		4096 X 1		350		475	0,5	КП-22
NMC6504J-5 NMC6504-N-5		4096X1		350		500	2,5	—
ТТЛ-типа
SN54S400J(N)				[
SN54S401J(N)		4096X1		75		75	500	— —
SN74S400J(N)
SN74S401
HM2540		4096 X 1		45		35	575	ПД-18
N82S400A-1 N82S401A-1		4096X1		45		70	775	КД-18
N82S400-1 N82S401-1	4096X1		45		35		775	КД-18
93470DC, (PC) 93471DC, (PC)	4096x1		55		30		950	ПД-18
93470DM 1 93471DM	4096X1		55		30		1000	ПД-18

1. Для ЗУ КМОП-типа указана потребляемая мощность в режиме хранения.

Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4КХ1 и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr. емкостью 1КХ4;

2) тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения ре­зультата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невы­бранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляе­мый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Приме­ром ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фир­мы Zilog с организацией 4КХ1 и 6114 фирмы Zilog с организа­цией 1КХ4;

3) нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). При­мером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Вре­мя выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ та­кого типа наиболее перспективны.
Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух ти­пов: программируемые в условиях изготовления с помощью фото­шаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно програм­мируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, спла­вов титана или поликристаллического кремния либо запатентован­ным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie-однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электричес­ким стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — использу­ется для хранения заряда, другой — управляющий — для управле­ния процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel). В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.