Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.А.Чернышева.1984. Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред. Справочник под редакцией А. А. Чернышева москва энергоатомиздат 1984 содержание предисловие

• Название: Справочник под редакцией А. А. Чернышева москва энергоатомиздат 1984 содержание предисловие
• Анкор: Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.А.Чернышева.1984.doc
• Дата: 16.09.2017
• Размер: 3.04 Mb.
• Имя файла: Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения.Под ред.А.doc
• Тип: Справочник; #8547
• Категория: Электротехника. Связь. Автоматика
• страница: 22 из 30

Таблица 3.13. Однокристальные микропроцессоры общего применения

Тип	Разряд­ность		Адресуе­мая ем­кость па­мяти, бит	Число РОН	Тактовая частота, МГц	Напряжение питания, В	PПОТ мВт		Число команд		Тип кор­пуса и число вы­водов	Техноло­гия		Дополнительные сведения
MC68A09EL (ЕР, L, Р)	8		64 К	—	1,5	+5	—		100		КД-40, ПД-40	n-МОП		] Керамичес­кий корпус для модифи­каций L, EL, CL;
MC68BO9EL (ЕР, L, P)	8		64 К	—	2	+5	—		100		КД-40, ПД-40	n-МОП
MC6809EL (ЕР, L, P)	8		64 К		1	+5	—		100		КД-40, ПД-40	n-МОП		пластмассо­вый корпус для модифи­каций Р, ЕР, СР
МС68АООС	8		64 К	—	1,5	+5	1000		72		КД-40,	n -МОП
(СР, L, P) MC68BOOL(P)	8		64 К	—	2	+5	1000		72		ПД-40 КД-40, ПД-40	n -МОП
MC6800CL (СР, L, P)	8		64 К	—	1	+5	1200		72		TU КД-40, ПД-40	n-МОП
2650 2650A-1J 2650AJ	8 8 8		32 К 32 К 32 К	14 14 14	1,25 6,6 4,1	+5 +5 +5	525 750 750		75 75 75		КД-40 КД-40 КД-40	n-МОП n -МОП n-МОП		Фирма Sig- netics
P8080AI С8080А1	8 8		64 К 64 К	8 8	3,12 3,12	12, ±5 12, ±5	1200 1200		78 78		КД-40 ПД-40	n-МОП n-МОП		Типы Р. С имеют кор­пус КД-40, тип D — ПД-40
Р8080А2		8	64 К	8	2,63	12, ±5	1200	78		КД-40, ПД-40		n-МОП	Типы Р, С имеют кор­пус КД-40, тип D — ПД-40
D8080A2
С8080А2		)
Р8080А D8080A С8080А		1 8 Г	64 К	8	2,08	12, ±5	1200	78		КД-40, ПД-40		n-МОП
Р8085А2 С8085А2		1 8 I	64 К	8	5	+5	850	80		КД-40		n-МОП	Ч Встроенный тактовый ге­нератор
Р8085А С8085А		}*	64 К	8	3	+5	850	80		КД-40		п-МОП
CDP1802CD		8	64 К	16	3,2	3 — 15	10	91		КД-40		кмоп
CDP1802D		8	С4К	16	6,4	3 — 15	100	91		КД-40		кмоп
Z80-CPUCS(PS) (СМ)		8	64, К	14	2,5	+5	750	158		КД-40		п-МОП
Z80A-CPUCS(PS)		S	64 К	14	4	+5	1000	158		КД-40		п-МОП
IM6100-I1PL		12	4К	0	3,33	4 — 11	12	67		ПД-40		кмоп
IM6100-IMDL		12	4К	0	2,5	4 — 11	12	67		КД-40		кмоп
IM6100A-IDL		12	4К	0	5,71	4 — 11	100	67		КД-40		кмоп

Продолжение табл. 3.13

Тип	Разряд­ность	Адресуе­мая ем­кость па­мяти, бит	Число РПН	Тактовая частота, МГц	Напряжение питания, В	н о н Gffl a, s	Число команд	Тип кор­пуса и число вы­водов	Технология	Дополнительные сведения
MC68000 SBP9900ACJ (AEJ, AMJ, ANJ)	16 16	16МХ8 32 К	16 16	8 3	+5 5	500	61 69	КД-64	нмоп И2Л
MN1610	16	64 К	5	2	+5;+12;-3	1200	33	КД-40	n-МОП	Фирма Panafa-
										com
MN601	16	32 К	4	8,33	5; 10; 14	1100	41	ПД-16	n-МОП	Фирйа Data Ge-
Z8000	14	48МХ8	16	8	+5		41		n-МОП	neral
INS8900D	16	64 К	4	2	5; 12; — 8	1300	45	КД-40	n-МОП
9440DC(DM, PC) TMS9900	16 16	64 К 32 К	4 16	12 3	+5 12; ±5	1000 1200	64 67	КД-40 ПД-64	И2Л n-МОП	Фирма Fairchild
TMS9980JL(NL)	16	8К	16	2,5	12; ±5	855	70	КД-40,	n-МОП	JL — керамиче-
								ПД-40		ский корпус,
TMS9980A	16	—	16	10	12; 2=5	1200	70	—	n-МОП	NL — пласт-
TMS9985	16	—	16	5	+5	—	—	—	n-МОП	массовый
СР1600 СР1600А D8086	16 16 16	64 К 64 К 1МХ8	8 8 8	3,3 5 5	12; 5; — 3 12; 5; — 3 +5	900 900 1400	87 87 111	КД-40 КД-40	n-МОП n-МОП НМОП	Фирма Ge-j neral Inst

Таблица 3.14. Микропроцессорные секции

Тип	Разряд­ность	о 3§ ГГйн	Тактовая частота, МГц	Напряжение питания, В	Pпот,мВт	Число микроко­манд	Тип кор­пуса и количест­во ВЫВО­ДОВ	Тип управляющей памяти	Техноло­гия
MCI 0800 (М)	4	—	100	— 5; 2; — 2	1600	16	ПД-48	МС 10801	эсл
9405АДС	4	8	13	+5	800	64	ПД-24	9406	И2Л
(АДМ, АРС)								SN54LS482
SBP0400ACJ	4	10	5	+5	1000	76	КД-40	SN54LS482	И2Л
SBP0401ACJ	4	10	5	+5	1500	76	КД-40	SN54LS482	И2Л
SBP0400ACN	4	10	5	+5	1000	76	ПД-40	SN74LS482	И2Л
SBP0401ACN	4	10	5	+5	1500	76	ПД-40	SN54LS482	И2Л
SBP0400AMJ	4	10	5	+5	1000	76	КД-40	SN74LS482	И2Л
SBP0401AMJ	3	10	5	+5	1500	76	КД-40	SN54LS482	И2Л
SN54LS481J	4	—	10	+5	1000	210	ПД-48	SN74LS482	ттлш
SN74LS481J(N) 2901 АРС	4 4	10 16	10 25	+5 +5	1000 2400	210 512	ПД-48 ПД-40	АМ2929 АМ2911	ттлш ттлш
АМ2901АДМ	4	16	15	+5	1,3- 103	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	ттлш
АМ2901АДС	4	16	12	+5	1.4.103	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	ттлш
AM2901AFM	4	16	12	4-5	1,4-Ю3	512	КП-42	АМ2909, АМ2911	ттлш
AM2901FM	4	16	8,3	+5	1,4- 10*	512	КП-42	АМ2909, АМ2911	ттлш
IDM2901ADM	4	16	16	+5	1,4-103	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	эсл
IDM2901ANC	4	16	16	+5	1,3- 103	512	ПД-40	АМ2909, АМ2911	эсл
IDM2901ADC	4	16	16	+5	1,3- 103	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	эсл
IDM2901ADM	4	16	15	+5	1,4-Ю3	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	эсл
IDM2901AFM	4	16	15	+5	1,4-Ю3	512	КД-40	АМ2909, АМ2911	эсл
N2901-11	4	16	25	+5	1,3- 103	512	КД-40	АМ2909, АМ2Э11	ТТЛ

Таблица 3.15. Однокристальные микро-ЭВМ

Тип	Разряд­ность	Встроенное				Число ли­ний вво­да-вывода		Тактовая частота, МГц		Напряже­ние пита­ния, В		Pпот, мВт		Число команд	Тип кор­пуса и число вы­водов	Техноло­гия	Дополнительные сведения
		ОЗУ, бит		ПЗУ, бит
С8748-4	8	64X8		1 КХ8		27		6		+5		1300		95	—	n-МОП
F3870DC(DM, PC,	8	64X8		2КХ8		32		4		+5		1000		76	КД-40,	n-МОП
DL, PL, PM)															ПД-40
MC6803EP(L, P)	8	128X8		2КХ8		31		3,58		+5		—		31	ПД-40	n-МОП
MC6805L(P)	8	64X8		1 КХ8		—		4		+5		—		—	—	n-МОП
PIC1650 PIC 1655	8/12	32X8		512X12		32		1		+5		350		31	КД-40	n-МОП	12-разряд­ная адрес- ная шина
PIC 1670	8/12	32X8		1 КХ12		32		1		+5		350		31	КД-40	n-МОП
P8035-4 D8035-4	} <	64X8		256X8		27		6		+5		1300		95	—	n-МОП
РЯП48	ч
i OUrrO D8048	} 8	64X8		1КХ8		27		6		+5		675		96	ПД-40	n-МОП
РЯПЧР	1
a O*JOv7 D8039	} 8	128X8		0		27		11		+5		700		96	ПД-40	n-МОП
D8049	8	128X8		2КХ8		27		11		4-5		700		96	ПД-40	n-МОУ
P8021	8	64X8		1 КХ8		21		4		+5		300		70	ПД-28	n-МОП
P8022	8	64X8		2КХ8		27		4		+5		400		74	КД-40	n-МОП	Встроенный АЦП
Р8051	8		128x8		1КХ8		32		12		—		—	—	ПД-40	НМОП
R6500	I 8		64X8		2КХ8		32		4		4-5		700	56	ПД-40	—
R6501	)
SY6500	} 8		64X8		2КХ8		32		2		+5		500	53	—	n-МОП		—
SY6501	J
Z8	8		128X8		2КХ8		32		8		+5		—	129	—	n-МОП
8041	} 8		64X8		1 КХ8		18		6		4-5		—	90	—	n-МОП		8741 с ППЗУ
8741	J
87С48	8		64X8		1 КХ8		18		6		3 — 12		50	90	—	КМОП
МК3872 МК3873	8 8		64X8 128X8		4КХ8 2КХ8		32 32		4 4		+5 4-5		435	76 70	—	n-МОП n-МОП		Имеет последо­вательный ка­нал ввода-вы­вода
СОР 1804	8		64X8		2КХ8		13		8		5 — 10		—	102	—	кмоп/ кнс
TMS9940M	16		128X8		2КХ8		32		5		4-5		—	68	—	n-МОП
TMS9940E	16		128X8		2КХ8		32		5		4-5			68		n-МОП		Имеет встроен­ное ППЗУ
Z8611	8		128X8		4КХ8		—		8		4-5		—	—	—	n-МОП
Z8612 (Z8613) Z8671	8 8 8		128X8 128X8 128X8		Нет Нет 2КХ8		—		8 8 8		-4-4-4- 1 СЯ СЛ СЯ		—	—	Е	n-МОП n-МОП n-МОП
Z8681	8		128X8		Нет				8		Ч- Сг					n-МОП		Расширяется до 62 Кбайт внеш­ней памятью или каналами ввода -вывода

3.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
По конструктивно-технологическому признаку полупроводнико­вые запоминающие устройства (ЗУ) делятся на два больших клас­са: ЗУ на основе МОП-структур и биполярные. Среди МОП-струк­тур выделяют р-канальные, <-канальные и комплементарные (КМОП) ЗУ. Последние могут изготавливаться либо в монолитном кремнии, либо на основе структур кремний на сапфире (КНС ЗУ). Биполяр­ные ЗУ в зависимости от типа используемой логики бывают ЭСЛ-типа, ТТЛ-типа или ТТЛ с диодами Шоттки и на основе инжекци-онной логики (И²Л).

По функциональному назначению и областям применения ЗУ подразделяются на оперативные с произвольной выборкой инфор­мации (ОЗУ), применяющиеся, например, в основной памяти вычис­лительных машин, и постоянные ЗУ с программированием на ста­дии изготовления (ПЗУ) или пользователем (ППЗУ), предназначен­ные для хранения программ или для блоков микропрограммного управления вычислительных машин, генераторов символов, таблиц. Разновидностью ППЗУ являются ЗУ с перепрограммированием — так называемые репрограммируемые ЗУ (РПЗУ), применяемые для отладки программ, когда необходима многократная смена инфор­мации.

По схемотехническому принципу построения ячеек запоминаю­щей матрицы либо электронного обрамления ЗУ бывают статичес­кого и динамического типов.

В динамических ЗУ информация хранится в виде электрическо­го заряда на МОП-конденсаторе. Вследствие утечки накопленного заряда требуется его регенерация. Необходимость использования дополнительных схем регенерации и иногда трех источников пита­ния с различным напряжением является недостатком схем данного типа. Однако благодаря большей степени интеграции и низкой стоимости ЗУ этого класса широко применяются в основной памяти вычислительных машин, в периферийных и буферных устройствах. Серийно выпускаются динамические ОЗУ емкостью до 64 Кбит и ведутся разработки ОЗУ емкостью 256 и 512 Кбит на одном крис­талле.

В отличие от ОЗУ динамического типа в запоминающей ячейке статических ОЗУ используются потенциальные триггеры. Поэтому для этих ОЗУ в регенерации необходимости нет. Для их работы, как правило, необходим только один источник питания. Современ­ные статические ОЗУ по принципу действия можно разделить на три класса:

1) нетактируемые ОЗУ, в которых каждое изменение адреса вы­зывает получение нового результата, если кристалл выбран. По­требляемый ток и, следовательно, рассеиваемая мощность не зави­сят от того, выбран или не выбран кристалл. Примерами ЗУ дан­ного типа служат изделия 2613 фирмы Signetics, 4044 фирмы