Ася. Техническое задание на проектирование радиопередающего устройства 1 Технические требования Разработать радиопередающее устройство квдиапазона с частотной модуляцией. Рабочий диапазон частот
![]()
|
4.1.3 Элементы выходного каскада Определим значения блокировочных емкостей в цепи питания транзистора: ![]() ![]() ![]() Найдем разделительную емкость: ![]() ![]() Емкость, параллельная Rэ, определяется их соотношения XСэ" Rэ на средней частоте рабочего диапазона: ![]() Блокировочная индуктивность: ![]() Определим сопротивление эмиттера: Eкэ=0.1∙Eп=0.1∙24=2.4 В. ![]() Расчет элементов базового делителя: ERдоп=Iб 0∙Rдоп=0.275∙4=1.100 В. Iдел=3∙Iб 0=3∙0.275=0.825 А. ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 4.2 Выходная цепь 4.2.1 Фильтр низких частот Для подавления высших гармоник и фильтрации первой гармоники в передатчике используется сдвоенный П-образный контур (рисунок 6), позволяющий получить необходимый КПД. ![]() Рисунок 6 – Выходная цепь передатчика При заданном подавлении второй гармоники B=60 дБ, коэффициент фильтрации внеполосных излучений будет равен: ![]() Зададимся добротностью контура по условию Q≤Qmax, исходя из максимального значения: ![]() Q=10 Зададимся средним значением вспомогательного резистора Rвс=3...6 кОм=4.5 кОм, тогда: ![]() Определим значения элементов контуров: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Так как нагрузка реактивная, то фильтр нагружаем на настроечную цепь [4, стр. 11]. 4.2.2 Настроечная цепь На рисунке 7 приведена схема настроечной цепи. ![]() Рисунок 7 – Схема настроечной цепи Определим значение емкости связи на нижней частоте: ![]() ![]() Найдем активное сопротивление антенны на верхней частоте [4, стр. 10]: ![]() Определим значение емкости связи на верхней частоте: ![]() ![]() Реактивное сопротивление антенны на нижней частоте: ![]() Реактивное сопротивление антенны на верхней частоте: ![]() Определим значение индуктивности связи на нижней частоте: XLcвн=XCcвн+XСан=408.044+389.608=797.652 Ом. ![]() Определим значение индуктивности связи на верхней частоте: XLсвв=XCсвв+XCав=455.491+349.024=804.515 Ом. ![]() Найдем активное сопротивление антенны на удвоенной нижней частоте: ![]() Найдем значение сопротивления емкости связи на удвоенной нижней частоте: XСсв 2(2ωн)= XСсв 2(ωн)/2=455.491/2=227.745 Ом. Найдем значение сопротивления емкости антенны на удвоенной нижней частоте: XCa2(2ωн)= XCa2(ωн)/2=389.608/2=194.804 Ом. Найдем значение сопротивления индуктивности связи на удвоенной нижней частоте: XLсв 2(2ωн)= XLсв 2(ωн)∙2=804.515∙2=1609 Ом. Полное сопротивление антенного контура: ![]() Коэффициент фильтрации: ![]() Полученный коэффициент больше заданного (Фз=424), значит условие Фз ≤ Ф выполняется. 4.3 Генератор, управляемый напряжением 4.3.1 Расчет автогенератора Средняя частота генерации: ![]() Выберем транзистор, граничная частота и постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе которого удовлетворяли бы условиям fт > 60∙fг, Рк max ≤ 100...150 мВт. Выбираем транзистор КТ 3120А. Задаемся следующими величинами: Ек=0.4∙Uк max=0.4∙15=6 В. Iкм=0.3∙Iк max=0.3∙20∙10-3=6 мА. ![]() Рисунок 8 – Принципиальная схема автогенератора Выберем параметр регенерации Пр=2.5, тогда: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Постоянная составляющая коллекторного тока: ![]() Амплитуда первой гармоники коллекторного тока: ![]() Сопротивление базы транзистора: ![]() Входное сопротивление: ![]() Средняя крутизна: ![]() Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения: ![]() Эквивалентное сопротивление нагрузки: ![]() Коэффициент обратной связи: ![]() Сравниваем полученный коэффициент с коэффициентами обратной связи, соответствующими работе АЭ в предельных режимах по току, напряжению и мощности рассеяния: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() где g1 – коэффициент формы тока: ![]() ![]() Таким образом, коэффициент Kос удовлетворяет неравенству: ![]() Напряжение на базе: Uб=Кос∙Uк 1=0.058∙4.65=0.27 B. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора: ![]() Получили, что условие Pкpac ≤ Pк max выполняется. Для улучшения стабильности частоты целесообразно выбрать контур с высокой добротностью (Q=100). Определим добротность нагруженного контура. Приняв коэффициент k’=0.9, получим Qн=k’∙Q=0.9∙100=90. Далее определяем проводимость: ![]() Проводимость эквивалентной нагрузки: ![]() Сопротивление нагрузки: ![]() Зададимся сопротивлением емкости С 2: ![]() rвх " XC2 " ![]() 1055 " XС 2 " 3.78∙10-2 Принимаем XС 2=1 Ом. На частоте генерации fГУНср=19.067 МГц определим величину емкости С 2: ![]() Далее, зная r`=19.4, можем найти индуктивность: ![]() ![]() Найдем значение и сопротивление емкости С 1: С 1=Koc∙C2=0.058∙8.347∙10-9=0.484 нФ. ![]() Определим емкость С 3: XC3=r– (XC1+XC2)=19.4– (17.683+1)=0.717 Ом. ![]() Найдем значение разделительной емкости из условия XCp " Rн: ![]() ![]() Найдем значение блокировочной индуктивности из условия XLбл " Rэн: XLбл=30∙Rэн=30∙1631=48 930 Ом. ![]() Найдем значение блокировочной емкости из условия XСбл " XLбл: ![]() ![]() Сопротивление эмиттера: ![]() Определим емкость эмиттерного перехода из двойного неравенства: 1/w " Rэ∙Сэ " 2Qн/w 8.347∙10-9" Rэ∙Сэ " 1.502∙10-6. Отсюда Rэ∙Сэ=7.552∙10-7. ![]() Амплитуда первой гармоники базового напряжения: ![]() Постоянная составляющая токов базы и эмиттера: ![]() ![]() Напряжение смещения на базе транзистора: ![]() Напряжение питания: ![]() Ток базового делителя: Iдел=(5...10)∙Iб 0=10∙61.28∙10-6=6.128∙10-4 A. Суммарное сопротивление резисторов R1 и R2: ![]() Далее из двойного неравенства найдем сопротивление базового делителя, а также резисторов R1 и R2: rвх " Rб+ ![]() 1067 " Rб+(R1 || R2) " 37 692 Rобщ=Rб+(R1 || R2)=20 кОм Из выражения Ecм=Iдел∙R2-Iб 0∙Rобщ-Rэ∙Iэ 0 выразим R2: ![]() ![]() ![]() Rб=Rобщ-R1 || R2=20∙103-3409=16 591 Ом. |