Главная страница
Навигация по странице:

  • 4.2 Выходная цепь 4.2.1 Фильтр низких частот

  • 4.2.2 Настроечная цепь

  • 4.3 Генератор, управляемый напряжением

  • Ася. Техническое задание на проектирование радиопередающего устройства 1 Технические требования Разработать радиопередающее устройство квдиапазона с частотной модуляцией. Рабочий диапазон частот


    Скачать 0.73 Mb.
    НазваниеТехническое задание на проектирование радиопередающего устройства 1 Технические требования Разработать радиопередающее устройство квдиапазона с частотной модуляцией. Рабочий диапазон частот
    Дата08.05.2023
    Размер0.73 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаАся.docx
    ТипТехническое задание
    #1115196
    страница2 из 4
    1   2   3   4

    4.1.3 Элементы выходного каскада

    Определим значения блокировочных емкостей в цепи питания транзистора:

    .

    .

    .

    Найдем разделительную емкость:

    .

    .

    Емкость, параллельная Rэ, определяется их соотношения XСэ" Rэ на средней частоте рабочего диапазона:

    .

    Блокировочная индуктивность:

    .

    Определим сопротивление эмиттера:

    Eкэ=0.1∙Eп=0.1∙24=2.4 В.

    .

    Расчет элементов базового делителя:

    ERдоп=Iб 0∙Rдоп=0.275∙4=1.100 В.

    Iдел=3∙Iб 0=3∙0.275=0.825 А.

    .
    .






    .



    .

    .

    .

    .
    4.2 Выходная цепь
    4.2.1 Фильтр низких частот

    Для подавления высших гармоник и фильтрации первой гармоники в передатчике используется сдвоенный П-образный контур (рисунок 6), позволяющий получить необходимый КПД.


    Рисунок 6 – Выходная цепь передатчика

    При заданном подавлении второй гармоники B=60 дБ, коэффициент фильтрации внеполосных излучений будет равен:

    .

    Зададимся добротностью контура по условию Q≤Qmax, исходя из максимального значения:

    .

    Q=10

    Зададимся средним значением вспомогательного резистора Rвс=3...6 кОм=4.5 кОм, тогда:

    .

    Определим значения элементов контуров:

    .

    .

    .

    .

    .

    .

    .

    .

    .

    .

    Так как нагрузка реактивная, то фильтр нагружаем на настроечную цепь [4, стр. 11].
    4.2.2 Настроечная цепь

    На рисунке 7 приведена схема настроечной цепи.


    Рисунок 7 – Схема настроечной цепи
    Определим значение емкости связи на нижней частоте:

    .

    .

    Найдем активное сопротивление антенны на верхней частоте [4, стр. 10]:

    .

    Определим значение емкости связи на верхней частоте:

    .

    .

    Реактивное сопротивление антенны на нижней частоте:

    .

    Реактивное сопротивление антенны на верхней частоте:

    .

    Определим значение индуктивности связи на нижней частоте:

    XLcвн=XCcвн+XСан=408.044+389.608=797.652 Ом.

    .

    Определим значение индуктивности связи на верхней частоте:

    XLсвв=XCсвв+XCав=455.491+349.024=804.515 Ом.

    .

    Найдем активное сопротивление антенны на удвоенной нижней частоте:

    .

    Найдем значение сопротивления емкости связи на удвоенной нижней частоте:

    XСсв 2(2ωн)= XСсв 2н)/2=455.491/2=227.745 Ом.

    Найдем значение сопротивления емкости антенны на удвоенной нижней частоте:

    XCa2(2ωн)= XCa2н)/2=389.608/2=194.804 Ом.

    Найдем значение сопротивления индуктивности связи на удвоенной нижней частоте:

    XLсв 2(2ωн)= XLсв 2н)∙2=804.515∙2=1609 Ом.

    Полное сопротивление антенного контура:



    Коэффициент фильтрации:

    .

    Полученный коэффициент больше заданного (Фз=424), значит условие Фз ≤ Ф выполняется.
    4.3 Генератор, управляемый напряжением
    4.3.1 Расчет автогенератора

    Средняя частота генерации:

    .

    Выберем транзистор, граничная частота и постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе которого удовлетворяли бы условиям fт > 60∙fг, Рк max ≤ 100...150 мВт.

    Выбираем транзистор КТ 3120А.

    Задаемся следующими величинами:

    Ек=0.4∙Uк max=0.4∙15=6 В.

    Iкм=0.3∙Iк max=0.3∙20∙10-3=6 мА.


    Рисунок 8 – Принципиальная схема автогенератора
    Выберем параметр регенерации Пр=2.5, тогда:

    .

    .

    .

    .

    .

    Постоянная составляющая коллекторного тока:

    .

    Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

    .

    Сопротивление базы транзистора:

    .

    Входное сопротивление:

    .

    Средняя крутизна:

    .

    Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения:

    .

    Эквивалентное сопротивление нагрузки:

    .

    Коэффициент обратной связи:

    .

    Сравниваем полученный коэффициент с коэффициентами обратной связи, соответствующими работе АЭ в предельных режимах по току, напряжению и мощности рассеяния:

    .

    .

    .

    .



    где g1 – коэффициент формы тока:

    .

    .

    Таким образом, коэффициент Kос удовлетворяет неравенству:

    Напряжение на базе:

    Uбос∙Uк 1=0.058∙4.65=0.27 B.

    Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

    .

    Получили, что условие Pкpac ≤ Pк max выполняется.

    Для улучшения стабильности частоты целесообразно выбрать контур с высокой добротностью (Q=100).

    Определим добротность нагруженного контура. Приняв коэффициент k’=0.9, получим Qн=k’∙Q=0.9∙100=90.

    Далее определяем проводимость:

    .

    Проводимость эквивалентной нагрузки:

    .

    Сопротивление нагрузки:

    .

    Зададимся сопротивлением емкости С 2:

    .

    rвх " XC2 "

    1055 " XС 2 " 3.78∙10-2

    Принимаем XС 2=1 Ом.

    На частоте генерации fГУНср=19.067 МГц определим величину емкости С 2:

    .

    Далее, зная r`=19.4, можем найти индуктивность:

    .

    .

    Найдем значение и сопротивление емкости С 1:

    С 1=Koc∙C2=0.058∙8.347∙10-9=0.484 нФ.

    .

    Определим емкость С 3:

    XC3=r– (XC1+XC2)=19.4– (17.683+1)=0.717 Ом.

    .

    Найдем значение разделительной емкости из условия XCp " Rн:

    .

    .

    Найдем значение блокировочной индуктивности из условия XLбл " Rэн:

    XLбл=30∙Rэн=30∙1631=48 930 Ом.

    .

    Найдем значение блокировочной емкости из условия XСбл " XLбл:

    .

    .

    Сопротивление эмиттера:

    .

    Определим емкость эмиттерного перехода из двойного неравенства:

    1/w " Rэ∙Сэ " 2Qн/w

    8.347∙10-9" Rэ∙Сэ " 1.502∙10-6.

    Отсюда Rэ∙Сэ=7.552∙10-7.

    .

    Амплитуда первой гармоники базового напряжения:

    .

    Постоянная составляющая токов базы и эмиттера:

    .

    .

    Напряжение смещения на базе транзистора:

    .

    Напряжение питания:

    .

    Ток базового делителя:

    Iдел=(5...10)∙Iб 0=10∙61.28∙10-6=6.128∙10-4 A.

    Суммарное сопротивление резисторов R1 и R2:

    .

    Далее из двойного неравенства найдем сопротивление базового делителя, а также резисторов R1 и R2:

    rвх " Rб+ " b∙Rэ

    1067 " Rб+(R1 || R2) " 37 692

    Rобщ=Rб+(R1 || R2)=20 кОм

    Из выражения E=Iдел∙R2-Iб 0∙Rобщ-Rэ∙Iэ 0 выразим R2:

    .

    .

    .

    Rб=Rобщ-R1 || R2=20∙103-3409=16 591 Ом.
    1   2   3   4


    написать администратору сайта