Просвечивающая электронная микроскопия. Просвечивающая электронная микроскопия Елгина Т.Е.. Выполнила студентка группы М811904. 04. 01(Сибур) Елгина татьяна евгеньевна
Скачать 1.77 Mb.
|
Выполнила студентка группы М8119-04.04.01(СИБУР)Елгина татьяна евгеньевнаЧто представляет собой просвечивающая электронная микроскопияПросвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) предполагает изучение тонких образов с помощью пучка электронов, проходящих сквозь них и взаимодействующих с ними. Электроны, прошедшие сквозь образец, фокусируются на устройстве формирования изображения: флюоресцентном экране, фотопластинке или сенсоре ПЗС-камеры. Благодаря меньшей чем у света длине волны электронов ПЭМ позволяет изучать образцы с разрешением в десятки тысяч раз превосходящим разрешение самого совершенного светооптического микроскопа. С помощью ПЭМ возможно изучение объектов даже на атомарном уровне. ПЭМ является одним из основных методов исследования в целом ряде прикладных областей: физике, биологии, материаловедении и т.д. Задачи, решаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопииМетод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых металлов и сплавов, в частности: • определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз; • определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей; • изучать строение границ зерен; • определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен, субзерен; • определять углы разориентировки между зернами, субзернами; • определять плоскости залегания дефектов кристаллического строения; • изучать плотность и распределение дислокаций в материалах изделий; • изучать процессы структурных и фазовых превращений в сплавах; • изучать влияние на структуру конструкционных материалов технологических факторов (прокатки, ковки, шлифовки, сварки и т.д.). Современные ПЭМ позволяют работать в следующих основных режимах: Светлое поле (контраст формируется за счет поглощения электронов образцом) Темное поле (контраст в зависимости от атомного номера) Дифракционный контраст (контраст вызванный рассеянием Брэгга, возникающим при попадании пучка в кристаллическую структуру) Спектроскопия энергетических потерь электронов (измерение потери электроном начальной энергии после прохождения через образец), а также энергетическая фильтрация Элементное картирование с помощью рентгеновского энергодисперсионного спектрометра Изображение во вторичных электронах Изображение в обратно-рассеянных электронах Электронно-лучевая томография (объемное изображение образца) Просвечивающий электронный микроскоп дает возможность "заглянуть" во внутренний мир строения материала изделия, наблюдать очень мелкие частицы включений, несовершенства кристаллического строения - субзерна, дислокации, которые невозможно разглядеть с помощью светового оптического микроскопа. В связи с тем, что обычные микрошлифы для исследования структуры металлов и сплавов с помощью просвечивающего электронного микроскопа непригодны, необходимо приготовлять специальные очень тонкие, прозрачные для электронов, объекты. Такими объектами являются реплики (слепки) с поверхности хорошо отполированных и протравленных микрошлифов. Реплика должна полностью воспроизводить рельеф поверхности микрошлифа. Реплики, применяемые в Просвечивающей электронной микроскопииСпасибо за внимание! |