Главная страница

Просвечивающая электронная микроскопия. Просвечивающая электронная микроскопия Елгина Т.Е.. Выполнила студентка группы М811904. 04. 01(Сибур) Елгина татьяна евгеньевна


Скачать 1.77 Mb.
НазваниеВыполнила студентка группы М811904. 04. 01(Сибур) Елгина татьяна евгеньевна
АнкорПросвечивающая электронная микроскопия
Дата01.12.2019
Размер1.77 Mb.
Формат файлаpptx
Имя файлаПросвечивающая электронная микроскопия Елгина Т.Е..pptx
ТипДокументы
#97911

Выполнила студентка группы М8119-04.04.01(СИБУР)

Елгина татьяна евгеньевна

Что представляет собой просвечивающая электронная микроскопия


Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) предполагает изучение тонких образов с помощью пучка электронов, проходящих сквозь них и взаимодействующих с ними. Электроны, прошедшие сквозь образец, фокусируются на устройстве формирования изображения: флюоресцентном экране, фотопластинке или сенсоре ПЗС-камеры.
Благодаря меньшей чем у света длине волны электронов ПЭМ позволяет изучать образцы с разрешением в десятки тысяч раз превосходящим разрешение самого совершенного светооптического микроскопа. С помощью ПЭМ возможно изучение объектов даже на атомарном уровне. ПЭМ является одним из основных методов исследования в целом ряде прикладных областей: физике, биологии, материаловедении и т.д.

Задачи, решаемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии


Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых металлов и сплавов, в частности:
• определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз;
• определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей;
• изучать строение границ зерен;
• определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен, субзерен;
определять углы разориентировки между зернами, субзернами;
• определять плоскости залегания дефектов кристаллического строения;
• изучать плотность и распределение дислокаций в материалах изделий;
• изучать процессы структурных и фазовых превращений в сплавах;
• изучать влияние на структуру конструкционных материалов технологических факторов (прокатки, ковки, шлифовки, сварки и т.д.).


Современные ПЭМ позволяют работать в следующих основных режимах:
Светлое поле (контраст формируется за счет поглощения электронов образцом)
Темное поле (контраст в зависимости от атомного номера)
Дифракционный контраст (контраст вызванный рассеянием Брэгга, возникающим при попадании пучка в кристаллическую структуру)
Спектроскопия энергетических потерь электронов (измерение потери электроном начальной энергии после прохождения через образец), а также энергетическая фильтрация
Элементное картирование с помощью рентгеновского энергодисперсионного спектрометра
Изображение во вторичных электронах
Изображение в обратно-рассеянных электронах
Электронно-лучевая томография (объемное изображение образца)


Просвечивающий электронный микроскоп дает возможность "заглянуть" во внутренний мир строения материала изделия, наблюдать очень мелкие частицы включений, несовершенства кристаллического строения - субзерна, дислокации, которые невозможно разглядеть с помощью светового оптического микроскопа.


В связи с тем, что обычные микрошлифы для исследования структуры металлов и сплавов с помощью просвечивающего электронного микроскопа непригодны, необходимо приготовлять специальные очень тонкие, прозрачные для электронов, объекты. Такими объектами являются реплики (слепки) с поверхности хорошо отполированных и протравленных микрошлифов.
Реплика должна полностью воспроизводить рельеф поверхности микрошлифа.

Реплики, применяемые в Просвечивающей электронной микроскопии

Спасибо за внимание!



написать администратору сайта