Лаб 1 Физика. Введение Целью настоящей работы является изучение кристаллического строения твердых тел и дифракции рентгеновского излучения в кристаллах.
Скачать 63.9 Kb.
|
Введение Целью настоящей работы является изучение кристаллического строения твердых тел и дифракции рентгеновского излучения в кристаллах. В ходе выполнения данной работы необходимо рассчитать углы отражения от плоскостей и определить относительную интенсивность максимума для указанных плоскостей с учетом плотности заполнения плоскости атомами, фактора поглощения, фактора повторяемости и температурного фактора, а также графически изобразить вид дифрактограммы в координатах интенсивность-угол отражения. Задание Найти углы отражения от плоскостей кристалла , соответствующие дифракционным максимумам -ого порядка для характеристического рентгеновского излучения : а) учитывая, что интенсивность дифракционного максимума зависит от плотности заполнения плоскости атомами, фактора поглощения, фактора повторяемости и температурного фактора, определить относительную интенсивность максимума для указанных плоскостей; б) графически изобразите вид дифрактограммы в координатах интенсивность – угол отражения. Расчетная часть Для расчета углов отражения воспользуемся условием Вульфа-Брэгга: где – номер дифракционного максимума; – длина волны характеристического рентгеновского излучения, – межплоскостное расстояние, – угол отражения рентгеновского излучения. Длину волны характеристического излучения определим из закона Мозли: где – постоянная Ридберга, – целые числа , – порядковый номер серебра в периодической таблице Менделеева, – постоянная экранирования. Межплоскостное расстояние рассчитаем по формуле: где – постоянная кристаллической решетки тантала , – индексы Миллера. Для плоскости : - для плоскости : - для плоскости : Выразим углы отражения из условия Вульфа-Брэгга: Для плоскости : - для плоскости : - для плоскости : Под действием рентгеновского излучения электроны в твердом теле совершают вынужденные колебания и вследствие этого становятся источниками электромагнитных колебаний той же частоты. Полная интенсивность рассеяния электронов в заданном направлении в рамках кинематической теории выражается формулой: где – заряд электрона, – масса электрона, – скорость света в вакууме, – расстояние от рассеивающего центра до плоскости, – угол отражения. Рассчитаем сомножитель: Так как в твердом теле количество электронов , то выражение для интенсивности рассеяния электронов примет вид: Количество электронов определим из соотношения: где – количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку в кубической объёмно-центрированной решетке. Учтем, что интенсивность зависит от плотности заполнения плоскости атомами. Это можно учесть с помощью коэффициента компактности: где – объем жестких сфер, – объем элементарной ячейки. В кубической объемно-центрированной ячейке (ОЦК) шары соприкасаются по телесной диагонали куба, то есть длина телесной диагонали равна , а параметр ячейки , а на ячейку ОЦК приходится два шара, тогда: Так как требуется найти относительную интенсивность, то: Фактор поглощения учитывает ослабление рентгеновского излучения в образце при данной геометрии и зависит от линейного коэффициента поглощения: где – линейный коэффициент поглощения для хрома. Перепишем выражение для относительной интенсивности: Вероятность появления в отражающем положении той или иной грани кристалла выражается фактором повторяемости . Множитель пропорционален числу эквивалентных кристаллографических плоскостей, образующих кристаллическую форму, и выражается целыми числами. Для плоскости , для плоскости , для плоскости , то есть равен количеству повторений грани куба. Тогда исследуемое выражение с учетом фактора повторяемости запишем следующим образом: Температурный множитель учитывает разность фаз рассеянных рентгеновских лучей, возникшую вследствие тепловых колебаний: где – температурный множитель. Для плоскости : - для плоскости : - для плоскости : Общее выражение для определения зависимости относительной интенсивности от угла отражения с учетом всех факторов имеет вид: Для плоскости : - для плоскости : - для плоскости : Вид дифрактограммы в координатах интенсивность-угол отражения для рассчитанных значений относительной интенсивности Заключение В ходе выполнения данной работы рассчитаны углы отражения от плоскостей и определена относительная интенсивность максимума для указанных плоскостей с учетом плотности заполнения плоскости атомами, фактора поглощения, фактора повторяемости и температурного фактора, а также графически изображена дифрактограмма в координатах интенсивность-угол отражения. Список литературы 1 Смирнов, С.В. Физика твердого тела: Учебное пособие. – Томск: Изд-во НТЛ, 2003, – 276 с. 2 Саврук Е. В., Смирнов С. В. Физика конденсированного состояния: методические указания по лабораторным работам для студентов направления подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», профиль «Промышленная электроника». — Томск: Факультет дистанционного обучения, ТУСУР, 2015. — 59 с. |