Введение Исходные данные для расчета
 Скачать 262.06 Kb.
|
VT3 – КТ816А и VT4 – КТ817А, отдавая предпочтение приборам с малым обратным током  .Отбор выполняется в два этапа. На первом этапе проверяют, удовлетворяют ли предельно – допустимые параметры транзисторов следующей системе неравенств:  ; т.е.  ;  ; т.е.  ; ; т.е.  .Переходим ко второму этапу, на котором проверяют, могут ли транзисторы VT3 и VT4 при наибольшей температуре своих корпусов (коллекторов)  рассеивать мощность, не меньшую  .Для этого рассчитывают  ,где  - максимальная температура коллекторного перехода, , - верхнее значение диапазона рабочих температур, . .Транзисторы подходят, так как    Выписываем основные предельно – допустимые параметры:  - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе при 25 ; - максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером; - максимально допустимый постоянный ток коллектора; – максимальный коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером; (КТ816А)- максимально допустимая температура перехода; (КТ817А); - тепловое сопротивление подложка – корпус; – обратный ток коллектора при  . |