Введение Исходные данные для расчета
Скачать 262.06 Kb.
|
2.2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки Рассчитываем величину обратного тока коллектора при максимальной температуре: ; . Задаемся током покоя коллектора транзисторов VT3 (VY4) из соотношения: . Ток покоя должен быть, как минимум, в 10- 30 раз меньше амплитудного значения тока коллектора, поэтому осуществляем проверку: ; . Условие выполняется, следовательно, транзистор подобран правильно. На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строим нагрузочные прямые по переменному току с координатами (рис.2): ; ; ; . В результате построения нагрузочной прямой находят ток покоя базы , максимальный ток базы и вычисляют амплитудное значение тока базы: , . Перенеся соответствующие значения токов и на входную характеристику (рис.3), находят для транзисторов VT3 (VT4) напряжение покоя базы , максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе и вычисляют амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе: По характеристике находим: амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе; напряжение покоя базы; максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе. После этого рассчитываем: , . входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора VT3 (VT4): , . номиналы резисторов R3 и R4: . |