Главная страница

Введение Исходные данные для расчета


Скачать 262.06 Kb.
НазваниеВведение Исходные данные для расчета
Дата28.11.2018
Размер262.06 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаKursovaja_rabota_po_FOEH_shablon_ (1) (3).docx
ТипРеферат
#58098
страница4 из 10
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

2.2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки

Рассчитываем величину обратного тока коллектора при максимальной температуре:

;

.

Задаемся током покоя коллектора транзисторов VT3 (VY4) из соотношения:

.

Ток покоя должен быть, как минимум, в 10- 30 раз меньше амплитудного значения тока коллектора, поэтому осуществляем проверку:

;

.

Условие выполняется, следовательно, транзистор подобран правильно.

На семействе выходных характеристик транзисторов VT3 (VT4) строим нагрузочные прямые по переменному току с координатами (рис.2):

;

;

; .

В результате построения нагрузочной прямой находят ток покоя базы , максимальный ток базы и вычисляют амплитудное значение тока базы:

,

.

Перенеся соответствующие значения токов и на входную характеристику (рис.3), находят для транзисторов VT3 (VT4) напряжение покоя базы , максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе и вычисляют амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе:

По характеристике находим:

амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе;

напряжение покоя базы;

максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе.

После этого рассчитываем:

,

.

  • входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора VT3 (VT4):

,

.

  • номиналы резисторов R3 и R4:



.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10


написать администратору сайта