кр антипина. 4 вариант. Задача 1 По исходным данным, приведенным в табл
Скачать 1.67 Mb.
|
Задача 1.1 По исходным данным, приведенным в табл.1.1 и 1.2 определить ток в цепи, состоящей из источника напряжения Е, резистора R и диода. Рабочая точка находится на прямой ветви диода. Привести схему. Таблица 1.1
Таблица 1.2
Решение Задача решается графо аналитическим методом. Вольтамперная характеристика диода описывается следующим уравнением: где q = 1,6·10-19 Кл – заряд электрона; k = 1,38·10-23 Дж/К –постоянная Больцмана; – обратный ток насыщения, мкА. Используя заданное значение тока насыщения и задавая напряжение диода U =0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3В строим вольт-амперную характеристику (рисунок 1) диода (по расчетным данным таблицы 1.3). Таблица 1.3
На этом же графике (рисунок 1) построим нагрузочную прямую, используя уравнение (таблица 1.4): Таблица 1.4
Нагрузочная прямая стоится по двум точкам. Определим точки пересечения ее с осями координат: если I = 0, то U = E , если U = 0, то . Рабочая точка – точка пересечения вольтамперной характеристики диода с нагрузочной прямой и есть решение задачи. Рисунок 1.1 – ВАХ диода и нагрузочная прямая Рисунок 1.2 – схема включения диода с нагрузкой Задача 1. 2 По исходным данным, приведенным в табл.2.1, требуется определить недостающие параметры стабилизатора напряжения, схема которого приведена на рис.2.1. Таблица 2.1
Решение Для решения задачи необходимо использовать следующие соотношения: где ток нагрузки: - напряжение стабилизации, В; сопротивление нагрузки, Ом, среднее напряжение источника: [В]. минимальное напряжение, максимальное напряжение. Средней ток стабилизации мA]. Задача 2.1 Рассчитать при каком входном напряжении Uвх транзистор, приведенный в схеме на рис.2.1 будет находится: а) в режиме насыщения; б) в режиме отсечки; в) в активном режиме. Исходные данные приведены в таблицах 2.1 и 2.2. Таблица2.1
Таблица 2.2
Решение Для режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение UВХ, при котором будет протекать ток: Для режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе: , где – пороговое напряжение транзистора (для германиевых транзисторов , для кремниевых ). Условие отсечки для n-p-n транзисторов: . Условие отсечки для p-n-p транзисторов: . По исходным данным необходимо определить тип транзистора и материал изготовления. Схему начертить с учетом типа проводимости транзистора (p-n-р или n-p-n) и учесть направление тока базы, так как его направление различно для разного типа проводимости транзистора. В качестве примера рассмотрим ключ на германиевом транзисторе проводимости p-n-p. Для других вариантов необходимо учесть знак Ек, Е и величину . Условие насыщения транзистора для рассматриваемой схемы можно записать в виде: откуда получим: Условие отсечки транзистора перепишем в виде: откуда следует: Условие активного режима: Задача 2.2 Полевой транзистор с управляющим р-n переходом и каналом n-типа используется в цепи усилительного каскада, изображенного на рис.2.2. По исходным данным, приведенным в табл.2.3, определить: напряжение смещения затвор-исток UЗИ, крутизну транзистора в рабочей точке S, сопротивление резистора в цепи истока R1, сопротивление нагрузки в цепи стока R2, напряжение сток-исток UСИ. Таблица 2.3
Решение Для полевого транзистора с встроенным каналом ток стока в рабочей точке определяется по формуле: где - максимальное значение тока стока, мА; - напряжение смещения затвор-исток, В; - напряжение отсечки, В. Крутизна транзистора в рабочей точке: где максимальная крутизна: Сопротивление резистора в цепи истока Сопротивление нагрузки в цепи стока R2 можно найти из формулы: Напряжение сток-исток UСИ: Задача 3.1 Транзистор включен в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером. Каскад питается от одного источника напряжения Е. Для подачи смещения в цепи базы используется гасящий резистор. Генератор входного сигнала подключен к базе транзистора через разделительный конденсатор. По исходным данным, приведенным в таблицах 3.1 и 3.2 и характеристикам транзистора требуется: а) построить линию Рктах; б) по выходным характеристикам найти: постоянную составляющую тока коллектора Iко; постоянную составляющую напряжения коллектор-эмиттер Uкэо, амплитуду переменной составляющей тока коллектора Imк; амплитуду выходного напряжения UтК=Uткэ;коэффициент усиления по току Ki; выходную мощность РВЫХ; мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора Рко, полную потребляемую мощность в коллекторной цепи Ро; КПД коллекторной цепи . Проверить, не превышает ли мощность, выделяемая на коллекторе в режиме покоя Рко, максимально допустимую мощность РKmax; в) с помощью входной характеристики определить: напряжение смещения UБЭ0; амплитуду входного сигнала UтБЭ, входную мощность РВХ, коэффициент усиления по напряжению КUи по мощности КP, входное сопротивление каскада RВХ; сопротивление резистора RБи ёмкость разделительного конденсатора СР. Диапазон усиливаемых колебаний 80Гц-100кГц. Начертить схему усилительного каскада. Таблица 3.1
Таблица 3.2
Решение Исходные данные: Ек=16 В, Iбо=0,5 мА, Rн=500кОм, Ркmах=130мВт. Диапазон усиливаемых колебаний 80Гц-100кГц. Схема приведена на рис.3.1. Воспользуемся характеристиками транзистора, на которых рассмотрен пример. Порядок решения задачи следующий. На семействе выходных характеристик строим линию максимально допустимой мощности, используя уравнение: Подставляя в него значения UКЭ, равные, например, -6,5; -10; -15 и - 20В, получаем значения IK, равные 20; 13; 10 и 6,5мА соответственно. Построенная по этим точкам линия РКтах показана на рис.3.5 Затем, используя уравнение линии нагрузки IК=(E+UКЭ)/RН, на семействе выходных характеристик наносим линию нагрузки: при IK=0 UКЭ=Е=-10В - первая точка линии нагрузки; при UКЭ=0 IК=E/RН =16/500=32 мА - вторая точка линии нагрузки. Рабочая точка является точкой пересечения линии нагрузки с характеристикой, соответствующей постоянной составляющей тока базы, равной IБ0 = 0,5 мА = 500 мкА. Рабочей точке Т соответствует постоянная составляющая тока коллектора IK0 = 10 мА и постоянная составляющая напряжения UКЭ0 = -7 В. Приращение тока базы Iбm=0,1 мА из условия задачи, поэтому рабочий участок выбран на пересечении нагрузочной прямой и токов базы, равных 0,5 и 0, 1мА. (точки А и Б соответственно). Амплитуду переменной составляющей тока коллектора определим как среднюю: Амплитуда переменного напряжения на нагрузке: Коэффициент усиления по току: Выходная мощность: Полная потребляемая мощность в коллекторной цепи: Мощность, рассеиваемая на коллекторе постоянной составляющей коллекторного тока: Коэффициент полезного действия коллекторной цепи: PK0 < PKmax, так как 70 мВт<150 мВт, следовательно, режим работы допустимый. Далее расчет ведем по семейству входных характеристик (рис3.6). Поскольку у транзисторов входные характеристики расположены близко друг к другу, то в качестве рабочей входной характеристики можно принять одну из статических характеристик, соответствующую активному режиму, например, снятую при Uкэ = - 5В Из графика находим, что |UБЭ0| = 246 мВ при IБ0 = 0,3 мА. По условию ImБ = 0,1 мА,UБЭ = 187 мВ при IБ = 0,3 – 0,2 = 0,1 мА и UБЭ = 277мВ при IБ = 0,3 + 0,2 = 0,5 мА. Амплитуда входного напряжения: Модуль коэффициента усиления по напряжению: Коэффициент усиления по мощности: Входная мощность: Входное сопротивление: Сопротивление резистора Ёмкость конденсатора определяется из условия: где Н – низшая рабочая частота. Следовательно, Задача 3.2 В рабочей точке усилителя, рассмотренного в предыдущей задаче, найти параметры h11Э,h21Э, h22Э,RВЫХ=1/h22Э, и аналитически рассчитать КI, КU, КP, RВХ . Решение Рассчитаем параметры в рабочей точке при UКЭ =-7 В и IK0 =6 мА. По выходной характеристике для схемы с общим эмиттером определяем: - коэффициент передачи тока (по точкам В и Г рис.3.5): - выходную проводимость (по точкам Д и Е рис.3.5): По входной характеристике для UКЭ=-5 В определяем входное сопротивление (по точкам М и N рис.3.6) С помощью найденных параметров определим искомые значения по приближённым формулам. Коэффициент усиления по току: Аналитический расчет: Результат сходится с графо-аналитическим расчётом. Входное сопротивление: Коэффициент усиления по напряжению: Аналитический расчет: Коэффициент усиления по мощности: Список рекомендуемой литературыЖеребцов, И.П. Основы электроники. – изд.5, перераб. и доп./ И.П. Жеребцов. – Л.: Энергоатомиздат, 1989. – 352с. Нахалов, В.А. Электронные твердотельные приборы: учебное пособие в 2ч. Ч1 /В.А. Нахалов – Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2006. – 65 с. Новожилов, И.П. Электроника и схемотехника: учебник для академического бакалавриата в 2.ч.Ч.1/И.П. Новожилов – Москва: Изд-во «Юрайт», 2018. –382с. Монк, Саймон. Электроника. Теория и практика — 4-е изд.: Пер. с англ. / Саймон Монк, Пауль Шерц. — СПб.: БХВ-Петербург, 2018. — 1168 с. |