зу увеличение разрядности и адресности
 Скачать 223.01 Kb.
|
|
Московский приборостроительный техникум федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Российский экономический университет имени Г.В. Плеханова» Специальность 09.02.06 «Сетевое и системное администрирование»: «Архитектура аппаратных средств» Лабораторная работа № 8 Тема: «ЗУ увеличение разрядности и адресности..» Выполнил(а) студент(ка) группы СА50-2-19 Беляев И.Д. Принял преподаватель: Синдикаев М.В. Москва, 2020 г Цель работы: - ознакомление с принципом работы запоминающего устройства - изучить принцип увеличения разрядности и адресности памяти ЗУ Оборудование: - IBM PC совместимый компьютер - электронная модель ЗУ Теоретические сведения: Используя одновременно метод наращивания разрядности и метод увеличения числа хранимых слов, можно легко получать блоки памяти требуемой структуры из практически любых ИС ЗУ. При использовании обоих методов одновременно можно строить блоки памяти двумя способами. По первому способу сначала происходит увеличение разрядности ЗУ, затем полученный блок используется как ИС и строится схема увеличения числа хранимых слов. По второму способу сначала происходит увеличение числа хранимых слов ЗУ, затем полученный блок используется как ИС и строится схема увеличения разрядности. Легко понять, что первый способ является более экономичным, так как требует меньших аппаратных затрат (используется меньшее количество дешифраторов). Результаты работы: Увеличение разрядности и адресности: 1. В первом режиме записи, мы записываем данные по адресу «0101»: 2. Во втором режиме записи, мы записываем данные по адресу «1110»: 3. В первом режиме чтения, мы считываем данные из адреса «0101»: 4. Во втором режиме чтения, мы считываем данные из адреса «1110»: Ответы на контрольные вопросы: 1. В качестве элемента памяти используется микроконденсатор в интегральном исполнении, размеры которого значительно меньше D-триггера статической памяти. По этой причине, при одинаковых размерах кристалла, информационная емкость DRAM выше, чем у SRAM. Количество адресных входов и габариты должны увеличиться. Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k-го демультиплексора "1 в 2", а его вход соединяется с k-ым адресным входом микросхемы. Количество адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему должна производиться, во- первых, в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и, во-вторых, потребуется дополнительный внешний мультиплексор адреса. В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить заряд необходимо поддерживать. 2. Увеличение разрядности ЗУ реализуется за счет объединения адресных входов объединяемых ИМС ЗУ. Информационные входы и выходы микросхем являются входами и выходами модуля ЗУ увеличенной разрядности. Полученную совокупность микросхем называют модулем памяти Модулем можно считать и единственную микросхему, если она уже имеет нужную разрядность. Вывод: Проделав данную лабораторную работу, я ознакомился с принципом работы запоминающего устройства и изучил принцип увеличения разрядности и адресности памяти ЗУ. |