Задачи.Мусатова. 1. Кремниевый идеальный диод имеет следующие данные толщина базы w10

• Название: 1. Кремниевый идеальный диод имеет следующие данные толщина базы w10
• Дата: 02.11.2021
• Размер: 12.44 Kb.
• Имя файла: Задачи.Мусатова.docx
• Тип: Документы; #261671

1.Кремниевый идеальный диод имеет следующие данные: толщина базы w=10^-3см (база тонкая), концентрация акцепторной примеси N_a=10¹⁶см^-3, концентрация донорной примеси N_д=10¹⁹см^-3, коэффициенты диффузии неосновных носителей D_p=8см²/с,D_n=25см²/с, концентрация собственных носителей заряда n_i=2·10¹⁰см^-3, температура T=500K. Найти:1). обратный ток насыщения, 2) прямой ток, 3) как изменится обратный ток насыщения при увеличении температуры на 40К?

2. Германиевый диод имеет обратный ток насыщения 1мкА, а кремниевый диод 10^-8. Вычислить и сравнить прямые напряжения диодов, если через каждый диод протекает ток, равный 100мА.

3. При увеличении тока полупроводникового диода в 2,7 раза напряжение изменяется от U₁=0,1В доU₂. Найти разность напряжений ΔU=U₂-U₁при Т=300К. Как изменится разность напряжений ΔUпри увеличении температуры на 40К?

4. Найти изменение прямого напряжения на полупроводниковом диоде при Т=250К, если при этом изменении прямой ток возрастает в 7,38раз.

5. Определить сопротивление диода постоянному току при прямом и обратном напряжении, если при прямом напряжении 1В прямой ток равен 4 мА, а при обратном напряжении 100В обратный ток равен 0,25 мА.

6. Для идеального диода определить напряжение, при котором обратный ток будет достигать 75% значения тока насыщения при Т=293К.