Главная страница
Навигация по странице:

  • Цель работы

  • Схема исследование

  • Результаты измерений

  • Дифференциальные параметры транзистора

    		•

    Электроника. Исследование биполярных транзисторов с общей базой.. А. П. Абрамов должность, уч степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия отчёт о лабораторной работе исследование биполярных транзисторов с общей базой по дисциплине Электроника


    Скачать 48.16 Kb.
    НазваниеА. П. Абрамов должность, уч степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия отчёт о лабораторной работе исследование биполярных транзисторов с общей базой по дисциплине Электроника
    Дата11.12.2022
    Размер48.16 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЭлектроника. Исследование биполярных транзисторов с общей базой..docx
    ТипИсследование
    #839585

    МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

    Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
    высшего образования

    «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
    АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ»

    КАФЕДРА №23

    ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

    ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

    доц., к.т.н.









    А. П. Абрамов

    должность, уч. степень, звание



    подпись, дата



    инициалы, фамилия




    ОТЧЁТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ


    Исследование биполярных транзисторов с общей базой




    по дисциплине: Электроника




    РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

    СТУДЕНТ ГР.

    2441









    Т. В. Тарасов







    подпись, дата



    инициалы, фамилия

    Санкт-Петербург

    2016

    Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярного транзистора, включенного по схеме: общая база.
    Схема исследование:



    Рис.1. Схема исследования статистических характеристик биполярного транзистора 2Т602А, включенного по схеме с общей базой
    Результаты измерений:

    Таблица 1. Исследование семейства статических входных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой
    0
    0,2
    5
    10
    15
    20
    25
    30






    0
    0,40
    0,70
    0,76
    0,80
    0,84
    0,87
    0,90



    0
    0,44
    0,70
    0,70
    0,73
    0,76
    0,79
    0,81



    0
    0,40
    0,65
    0,70
    0,72
    0,75
    0,77
    0,80


    Таблица 2. Исследование семейства статических выходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой
    5
    10
    15
    20
    25





    5
    9
    13
    17
    22



    5
    9,5
    14
    17,4
    23,4






    5
    9,5
    14,2
    17,8
    24



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,4



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,5



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,5



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,5



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,5



    5
    9,5
    14,2
    18
    24,5


    Дифференциальные параметры транзистора:

    Входное сопротивление:





    Кривая допустимой мощности рассеивания:
    3
    4
    5
    6
    7
    8



    33
    25
    20
    17
    14
    12,5


    Вывод: при увеличении напряжения коллектор-база, ток на коллекторе растет незначительно. Это связанно с тем, что при увеличении напряжения коллектор-база появляется термогенерация подвижных носителей заряда и ток утечки.
    С увеличением напряжения эмиттер-база, ток эмиттера растет и характеристики смещаются в область больших токов, при этом напряжение коллектор-база пробоя уменьшается. Об этом свидетельствует кривая максимально-допустимой мощности.

    написать администратору сайта