Физика конденсированного состояния

• Название: Физика конденсированного состояния
• Дата: 19.05.2019
• Размер: 105.3 Kb.
• Имя файла: 3.docx
• Тип: Отчет; #77834

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великогом

Институт металлургии, машиностроения и транспорта

Кафедра физико-химии и технологий микроистемной техники.

Отчёт по лабораторной работе №6

«Фотоэлектромагнитный эффект и фотопроводимость в германии» по предмету «физика конденсированного состояния»

Отчет выполнили

студенты группы 23339/1: В. Б. Арчелков

Е. И. Воронович

Отчет принял: В. Ю. Паневин

Санкт-Петербург

2019

Цель работы:

1. 
   Используя набор «эталонов» получить калибровочную кривую рассеивателя PTFE-100 на сканере Mustek 1200 UB P в виде аналитической зависимости R (Rs).
   
2. 
   Измерить коэффициент отражения R_S в рассеянном свете 4-х кристаллов карбида кремния SiC политипа 6Н (6H-SiC), легированных азотом. Используя полученную в п.1 аналитическую зависимость R(Rs), определить коэффициент отражения R кристаллов 6H-SiC:N.
   
3. 
   Рассчитать коэффициенты поглощения k (см^-1) кристаллов 1, 2 и 3, а так же их уровень легирования азотом.
   

Объект исследования:

Кристаллы карбида кремния SiC политипа 6Н (6H-SiC), легированные азотом. Сечение поглощения S для красного света равны 510^-18 см ² .Толщины образцов: d₁ =0.32, d₂=d₃=d₄=0.45мм.
Результаты работы:

эталоны	R	Rs
Кварц	0.041	0.225
GaAs	0.328	0.359
Ge	0.435	0.399
Al(on glass)	0.815	0.747
Cr	0.565	0,523

Калибровочная кривая рассеивателя.

Образцы	Rs	R
1	0.328	0.224
2	0.298	0.211
3	0.256	0.192
4	0.274	0.168

Положим, что для самого непрозрачного из кристаллов R = r(Al), рассчитаем коэффициент поглощения k (см^-1) кристаллов:

1. 
   _{k=1.163 см}^-1
   
2. 
   _{k=1.117 см}^-1
   
3. 
   _{k=1.760 см}^-1
   

_{Рассчитаем степени легирования для образцов}

1. 
   _{ND – NA = 2,33·10}¹⁷
   
2. 
   _{ND – NA =2,23·10}¹⁷
   
3. 
   _{ND – NA =3,52·10}¹⁷
   

_Вывод:

1. 
   В данной работе получена калибровочная кривая рассеивателя PTFE-100 на сканере Mustek 1200 UB P в виде аналитической зависимости R_S (R), измерены коэффициенты отражения R_S в рассеянном свете 4-х кристаллов карбида кремния SiC политипа 6Н (6H-SiC), легированных азотом. По полученной аналитической зависимости определены коэффициенты отражения R кристаллов 6H-SiC:N. Рассчитаны коэффициенты поглощения для кристаллов 1, 2 и 3, k₁=1.163см^-1, k₂=0.117см^-1, k₃=1.760см^-1, а так же их уровни легирования азотом равные 2,33·10¹⁷, 2,23·10¹⁷, 3,52 ·10¹⁷ соответственно.