Твердотельная и ОЭ Лаб. Работа. Лаб_работа_2 (2020). Лабораторная работа 2 определение контактной разности потенциалов между металлом и полупроводником

• Название: Лабораторная работа 2 определение контактной разности потенциалов между металлом и полупроводником
• Анкор: Твердотельная и ОЭ Лаб. Работа
• Дата: 25.09.2020
• Размер: 39.37 Kb.
• Имя файла: Лаб_работа_2 (2020).docx
• Тип: Лабораторная работа; #139593

Министерство науки и высшего образования РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего образования

Омский государственный технический университет

Лабораторная работа №2

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ МЕТАЛЛОМ И ПОЛУПРОВОДНИКОМ

Выполнили:_________________
группы: __________

____________________________

^{(Подпись)}

Проверил: к.т.н., доцент

Шкаев А.Г.

«___»__________________ 2020

____________________________

^{(Подпись)}

Омск 2020

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ МЕТАЛЛОМ И ПОЛУПРОВОДНИКОМ

Цель работ:изучение физических процессов в области контакта металла и полупроводника, экспериментальное определение контактной разности потенциалов, возникающей на границе металл – полупроводник в точечных германиевых и кремниевых диодах.

Приборы и принадлежности: установка для измерения контактной разности потенциалов между металлом и полупроводником.

ЗАДАНИЕ

1. 
   Снять по точкам вольт-амперные характеристики германиевого, и кремниевого диодов при температурах 25 , и 50 .
   
2. 
   Построить зависимости I = f(U) при 25 , и 50 . графически.
   
3. 
   Ориентируясь по графикам на начальный участок вольт-амперных характеристик (до открытия перехода), определить дифференциальные сопротивления диодов при температурах 25 , и 50 . соответственно.
   
4. 
   Рассчитать контактную разность потенциалов φk для исследуемых диодов и относительную погрешность измерений φk
   
5. 
   Результаты занести в таблицу. Сделать вывод.
   

Тип диода	Ge			Si
№ Изм.	U,В	I(25 ),мА	I(50 ),мА	U,В	I(25 ),мА	I(50 ),мА
1	0.1	5	5.5	0.1	0.5	0.5
2	0.2	15	32	0.2	1	1
3	0.3	50	56	0.3	1,5	1,5
4	0.4	100	110	0.4	5	5
5	-	-	-	0.5	5,5	20
6	-	-	-	0.6	31	74
7	-	-	-	0.7	61	85
φk, В
∆φk, %	5			5

Вольт-амперные характеристики германиевого и кремниевого диодов

1. 
   Ориентируясь по графикам на начальный участок вольт-амперных характеристик (до открытия перехода), определить дифференциальные сопротивления диодов при температурах 25 , и 50 . по формуле:
   

2. 
   Рассчитать контактную разность потенциалов по формуле:
   

Вывод: в данной лабораторной работе мы изучили принцип работы кремниевых и германиевых точечных диодов, рассчитали контактную разность потенциалов.