Питание цепей и стабилизация режима биполярного транзистора. Отчет по лабораторной работе 3 "Питание цепей и стабилизация режима биполярного транзистора"
 Скачать 134.88 Kb.
|
|
Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики» (СибГУТИ) Кафедра РТУ и ТБ Отчет по лабораторной работе №3: “Питание цепей и стабилизация режима биполярного транзистора” Выполнил: студент ИТ, гр. АВ-1011 «__» _________ 2023 г. Нагребицкий Н.С. Проверила: . Доцент каф. РТУ и ТБ «__» _________ 2023 г. Павлова М. С. Новосибирск 2023г Цель работы: изучить способы питания и стабилизации режима работы биполярного транзистора и исследовать влияние температуры на стабильность режима работы с применением лабораторного макета и измерительного оборудования.  Рисунок 1 - Принципиальная схема исследуемого усилителя  Рисунок 2 - Семейство выходных статических характеристик транзистора ГТ108А Предварительный расчет: 1. Для схемы c эмиттерной стабилизацией (рис.1) вычислить значения сопротивлений нагрузки транзистора постоянному току и переменному току.   Сопротивление нагрузки транзистора по постоянному току:   Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:   2.На выходных характеристиках транзистора ГТ108А (рис. 2) построить нагрузочные прямые для постоянного и переменного токов, если напряжение источника питания. Eп = 15 B, a ток коллектора в точке покоя iк0 = 2 мА. Определить значения тока базы iб0 и напряжения uкэ0 в точке покоя, если h21э = 30.                 Рисунок 3 - Построение нагрузочных прямых 3. Для трех исследуемых схем питания: фиксированным током базы (ФТБ), коллекторной стабилизации (КС) и эмиттерной стабилизации (ЭС) вычислить значения iк0 макс при температуре транзистора +60°C, если обратный ток коллектора Iкб0 = 10 мкА при Tп спр = + 25°C и h21э нe изменяется.   При ФТБ:    При КС:     При ЭС:    Таблица 1 - Измерение параметров усилителя
При выключении ёмкости при ЭС Uвых составляет 45 мВ Вывод: Изменение температуры – это один из важнейших дестабилизирующих факторов. Во-первых, может меняться температура окружающей среды. Во-вторых, при включении питания через элементы начнет проходить постоянный ток, и элементы будут нагреваться. Особенно это касается полупроводниковых элементов, у которых повышается температура p-n перехода (явление само разогрева транзисторов), изменяются его характеристики и режим работы. По итогам работы наилучшую стабильность при повышенных температурах показывает режим с эмиттерной стабилизацией. Выключение эмиттерной емкости повышает выходное напряжение примерно в 3 раза. | ||||||||||||||||||||