Тест по твердотельной электронике. Дышлевский тест. Полупроводниковые Диэлектрических
Скачать 18.05 Kb.
|
Микросхемы транзисторы Микросхема Кремний Полупроводниковые Диэлектрических Планарная особо чистые ЕСТД Безопасность плазмохимическая обработка легкоплавких ионизации высоких низкая -сухой кислород. средняя- влажный кислород. высокая -пары воды ионное боросодержащие фосфин- PH3 диборан- B2H6 моносилан- SiH4 тетраэтоксисилан- Si(OC2H5)4 анизотропность фотолитография прямая топология -позитивный фоторезист обратная топология - негативный фоторезист проекционная электронная выше реакторы пониженного давления плёнки стёкол фотолитография –топология ионное легирование- p-n переходы напыление алюминия –коммутация осаждение плёнки стекла – изоляция планаризацию молекулярно-лучевая эпитаксия алюминий медь групповой 1: нанесение фоторезиста 2: сушка фоторезиста3: совмещение и экспонирование4: проявление фоторезиста5: травление плёнки6: удаление фоторезиста нанесение фоторезиста –вязкость экспонирование – светочувствительность проявление –растворимость травление - стойкость к травителю 1: ионизационная камера 2: ускоритель ионов 3: масс- сепаратор 4: сканирующая система 5: камера для размещения пластин 1: разделение пластин на кристаллы2: монтаж кристалла 3: подсоединение выводов 4: герметизация 5: маркировка монтаж кристалла герметизация абразивную резку лазерную резку сварки выше корпусная – сварка бескорпусная –пайка корпусная -литьевое прессование бескорпусная - вакуумная заливка климатические биполярный – эмиттер МОП-транзистор –коллектор биполярный – сток МОП-транзистор – исток операций КНД - кремний на диэлектрике КНС - кремний на сапфире КНФ - кремний на фториде кальция КНИ - кремний на изоляторе двух видов монтаж навесных изделий диффузионными областями - p-n переход диффузионными областями - коллекторная диффузия диэлектрическими областями - воздушная изоляция диэлектрическими областями - изоляция оксидом кремния радиационную 1: формирование «кармана» 2: формирование затвора 3: формирование легированных областей 4: формирование контактных окон 5: формирование коммутации биполярный – база биполярный – эмиттер биполярный – коллектор МОП-транзистор – исток МОП-транзистор – сток МОП-транзистор – затвор формирование базового диэлектрика - термическое оксидирование формирование p-n перехода - ионное легирование формирование топологии – фотолитография формирование коммутации - напыление плёнки металла электронолитографию |