Главная страница

КП Электроника В25. Проектирование измерительного усилителя


Скачать 0.65 Mb.
НазваниеПроектирование измерительного усилителя
Дата06.07.2019
Размер0.65 Mb.
Формат файлаdoc
Имя файлаКП Электроника В25.doc
ТипКурсовой проект
#83703
страница1 из 41
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   41


КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

по курсу «Электроника»

на тему «Проектирование измерительного усилителя»

Вариант 25

СОДЕРЖАНИЕ


СОДЕРЖАНИЕ 2

ВВЕДЕНИЕ 3

РАСЧЁТЫ 6

Техническое задание 6

1. Проектирование входной части 8

2. Проектирование выходной части 11

3. Проектирование промежуточной части 16

4. Оценка погрешности коэффициента усиления 18

5. Оценка влияния температуры 19

6. Проектирование источника питания 19

7. Оценка дополнительного фазового сдвига 22

ВЫВОДЫ 23

ЛИТЕРАТУРА 24

ПРИЛОЖЕНИЕ 25



ВВЕДЕНИЕ


Роль электроники в современной науке и технике трудно переоценить. Она справедливо считается катализатором прогресса. Спектр ее применения прости­рается от фундаментальных исследований до прикладного ис­пользования. Микроэлектроника влияет на все народное хозяй­ство, но не непосредственно, а через целый ряд специфических отраслей таких, как вычислительная техника, информационно-измерительные системы, робототехника, микропроцессоры. Микроэлектроника очередной исторически обусловленный этап развития электроники и одно из ее основных направле­ний, обеспечивает принципиально новые пути решения назрев­ших задач.

Электроника — это область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных прибо­ров и принципов их использования.

Микроэлектроника — это раздел электроники, охватываю­щий исследования и разработку качественно нового типа элект­ронных приборов — интегральных микросхем — и принципов их применения.

В основе развития электроники лежит непрерывное усложне­ние функций, выполняемых электронными устройствами. На опре­деленных этапах становится невозможным решать новые задачи старыми электронными средствами, или, как говорят, средствами на основе существующей элементной базы, например с помощью электронных ламп или дискретных транзисторов. Таким образом, появляются предпосылки для дальнейшего совершенствования элементной базы. Основными факторами, вызывающими необхо­димость разработки электронных устройств на новой элементной базе, являются повышение надежности, уменьшение габаритов, массы, стоимости и потребляемой мощности.

В зависимости от применяемой элементной базы можно выде­лить четыре основных поколения развития промышленной элек­троники, а вместе с ней, соответственно, и электронных устройств.

I поколение (1904—1950 гг.) характеризуется тем, что основу элементной базы электронных устройств составляли электрова­куумные приборы, в которых пространство, изолированное газо­непроницаемой оболочкой, имеет высокую степень разрежения или заполнено специальной рабочей средой (парами или газами) и действие которых основано на использовании электрических явле­ний в вакууме или газе. В соответствии с характером рабочей среды электровакуумные приборы подразделяют на электронные и ионные.

Электронный электровакуумный прибор — прибор, в котором электрический ток создается только свободными электронами.

Ионный электровакуумный прибор — прибор с электрическим разрядом в газе или парах. Этот прибор называют также газо­разрядным.

II поколение (1950—начало 60-х годов) характеризовалось применением в качестве основной элементной базы дискретных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и тиристоров). Сборка электронных устройств II-го поколения осуществлялась обычно автоматически с применением печатного монтажа, при котором полупроводниковые приборы и пассивные элементы располагались на печатной плате — диэлектрической пластине с металлизированными отверстиями (для подсоединения полупро­водниковых приборов и пассивных элементов), соединенными между собой проводниками. Проводники выполнялись путем осаждения медного слоя на плату по заранее заданному печатному рисунку, соответствующему определенной электронной схеме.

III поколение электронных устройств (1960—1980 гг.) связано с бурным развитием микроэлектроники — раздела электроники, охватывающего исследование и разработку качественно нового типа электронных приборов — интегральных схем — и принципов их применения. Основой элементной базы этого поколения элек­тронных устройств стали интегральные схемы и микросборки.

Интегральная схема представляет собой совокупность несколь­ких взаимосвязанных элементов (транзисторов, резисторов, кон­денсаторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле, т. е. одновременно, на одной и той же несущей конструкции (подложке), и выполняющих определенную функцию преобразования информации. Микросборка представляет собой ИС, в состав которой входят однотипные элементы (например, только диоды или только транзисторы).

Широкое развитие находит блочная конструкция электронных устройств — набор печатных плат, на которые монтируют ИС и микросборки.

IV поколение (с 1980 г. по настоящее время) характеризуется дальнейшей микроминиатюризацией электронных устройств на базе применения БИС и СБИС, когда уже отдельные функцио­нальные блоки выполняются в одной интегральной схеме, пред­ставляющей собой готовое электронное устройство приема, преоб­разования или передачи информации. Такие электронные устрой­ства, выполненные в виде СБИС, в ряде случаев позволяют полностью обеспечить требуемый алгоритм обработки исходной инфор­мации и существенно повысить надежность их функционирования.

РАСЧЁТЫ

Техническое задание


Требуется спроектировать измерительный усилитель, согласно следующим техническим параметрам:

Коэффициент усиления по напряжению

1000

Нижняя граница диапазона частот, Гц

600

Верхняя граница диапазона частот, Гц

60000

Минимальное сопротивление нагрузки, Ом

200

Погрешность коэффициента усиления в полосе рабочих частот на холостом ходу, не более, %

3

Дополнительная погрешность коэффициента усиления при подключении нагрузки, не более %

1

Максимальное входное напряжение, В

12

Максимальное выходное напряжение, В

12

Входное сопротивление в полосе рабочих частот, кОм

500

Погрешность входного сопротивления, не более, %

0,3

Приведенный температурный дрейф нуля, не более, мкВ/0С

-

Дополнительный фазовый сдвиг в полосе рабочих частот, не более, °

90

Рабочий диапазон температур, °С

-20…+40

Напряжение питания, В

220

Частота, Гц

50


Так как в техническом задании есть специальные требования для входной и выходной части, то следует ввести специальную входную и выходную части. Эти части могут быть самостоятельными усилителями, охваченными обратной связью, для получения необходимых заданных параметров.

Произведение коэффициентов усиления входной и выходной частей усилителя обычно меньше требуемого. Для того чтобы обеспечить этот показатель необходимо ввести промежуточную часть.

Необходимо также провести оценку частотных искажений вносимых усилителем. Эти искажения вносятся всеми частями усилителя. При проектировочных расчетах принято задавать частотные искажения на уровне 15-20%.

Пусть:

М = 1,15.

Наибольшая часть частотных искажений приходится на выходную часть.

Пусть для выходной части:

Мвых = 1,1;

Для промежуточной части:

Мпром = 1,03.

Тогда для входной части:

.
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   41


написать администратору сайта