Фоторезистор. Реферат по дисциплине Основы создания прототипов информационноуправляющих и робототехнических систем

• Название: Реферат по дисциплине Основы создания прототипов информационноуправляющих и робототехнических систем
• Анкор: Фоторезистор
• Дата: 24.03.2023
• Размер: 1.02 Mb.
• Имя файла: Фоторезистор.docx
• Тип: Реферат; #1011692

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

«МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО-ДОРОЖНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (МАДИ)»

«Автоматизация производственных процессов»

РЕФЕРАТ

По дисциплине «Основы создания прототипов информационно-управляющих и робототехнических систем»

На тему

«Фоторезистор»

Выполнил:

3бУС

Карастоян Г.К.

Подпись___________

Реферат проверил:

Должность доцент

Зарипова И.И.

Подпись___________

Реферат защищен

«_____» _____________ 20 ___г

Москва 2022 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение……………………………………………...…………………......….…3

1. Общие сведения…………....….……………….............................................4

2. Историческая справка ….………………………………………………….5

3. Область применения …………………………………………………........7

4. Характеристика измеряемой величины..………………………………….8

5. Принцип действия……….…………………………………………….……9

6. Анализ различных марок……………………………………………...…..11

7. Схема прототипа…………………………………………………………..16

8. Листинг программы…………………………………………………….…17

9. Тенденция развития……………………………………………………….19

Заключение……………………………………………………………........…….24

Список литературы…………………………………………………………..…..25

Введение

В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов. Первый из этих принципов обусловлен изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения в нем световой энергии (квантов света). При этом изменяется проводимость вещества или возникает э. д. с., что приводит к изменениям тока в цепи, в которую включен фоточувствительный элемент. Второй принцип связан с генерацией излучения в веществе, обусловленной приложенным к нему напряжением и протекающим через светоизлучающий элемент током. Указанные принципы составляют научную основу оптоэлектроники – нового научно-технического направления, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются как электрические, так и оптические средства и методы.

Фотоэлектрические приемники лучистой энергии - приборы для обнаружения и измерения электромагнитного излучения, основанные на фотоэффекте, находят все более широкое применение в различных областях техники и для научных исследований. Наряду с другими типами фотоприемников, к числу фотоэлектрических приемников лучистой энергии относятся и фоторезисторы, т.е. приборы, основанные на явлении фотопроводимости [1].

Целью данной работы является ознакомление с фоторезистором. Мы собираемся узнать историю создания и развития, область их применения, характеристики измеряемых величин. Ознакомиться с разными марками, изучить принцип действия его работы. Овладеть практическими навыками в создании схемы прототипа для работы платы в Arduino.

1. 
   Общие сведения
   

Фоторезистор – это полупроводниковый прибор (датчик), который при облучении светом изменяет (уменьшает) свое внутреннее сопротивление.

В отличие от фотоэлементов других типов (фотодиодов и фототранзисторов) данный прибор не имеет p-n перехода. Это значит, что фоторезистор может проводить ток независимо от его направления и может работать не только в цепях постоянного тока, где присутствует постоянное напряжение, но и с переменными токами.



Рис.1. Фоторезистор

Конструкция разных моделей фоторезисторов может отличаться по форме материалу корпуса. Но в основе каждого такого прибора лежит подложка, чаще всего керамическая, покрытая слоем полупроводникового материала. Поверх этого полупроводника наносятся змейкой тонкий слой золота, платины или другого коррозиестойкого металла. Слои наносятся методом напыления.

Напиленные слои соединяют с электродами, на которые поступает электрический ток. Всю эту конструкцию часто покрывают прозрачным пластиком и помещают в корпус с окошком для попадания световых лучей.



Рис.2. Конструкция фоторезистора

Форма корпуса, его размеры и материал зависит от модели фоторезистора, определяемой технологией производителя [2].

2. 
   История создания
   

Явление фотопроводимости (уменьшение электрического сопротивления материала при поглощении им излучения) было открыто в 1873 г. У. Смитом. Практическое начало создания фоторезисторов как приемников излучения относится к 1917 г., когда были созданы сернисто-таллиевые фоторезисторы (таллофиды). Дальнейшему развитию фоторезисторов способствовала возможность использования невидимого человеческим глазом инфракрасного излучения многих объектов в военных целях. В 1940 г. были получены первые сведения о фотопроводимости в PbS и PbSe. Последующие исследования привели к созданию сернисто-свинцовых фоторезисторов, использованных Германией в конце второй мировой войны для обнаружения военных объектов. С этого момента начинается быстрое развитие фоторезисторов, нашедших применение не только в военной технике, но и в различных областях народного хозяйства.

В нашей стране большую роль в деле изучения фотоэффекта в полупроводниках, в создании и изучении новых полупроводниковых материалов, пригодных для изготовления фоторезисторов, сыграли работы А.Ф. Иоффе и его сотрудников. Большой вклад в изучение механизма фотопроводимости был внесен также работами Б.Т. Коломийца, С.М. Рывкина, Л.Н. Курбатова, В.В. Балакова, Д.В. Наследова. Всеобщее признание получили работы В.Е Лошкарева и его сотрудников в области исследования фотоэлектрических явлений в сернистом кадмии.

Серийный выпуск фоторезисторов в нашей стране начался в 1948 г., когда были освоены сернисто-висмутовые фоторезисторы. Позже они были заменены сернисто-кадмиевыми и селенисто-кадмиевыми фоторезисторами, обладающими значительно лучшими параметрами. Большая роль в создании первых промышленных образцов фоторезисторов на основе сернистого кадмия и сернистого свинца принадлежит профессору Б.Т. Коломийцу и его сотрудникам. В последние годы ими и другими учеными были созданы также фоторезисторы на основе селенистого свинца, обладающие высокими фотоэлектрическими параметрами и эксплуатационными свойствами.

В настоящее время трудно найти такую отрасль народного хозяйства, науки или техники, где бы не применялись фоторезисторы.

3. 
   Область применения
   

В современном мире область применения этих радиодеталей значительно расширена.
Применение разнообразных фоторезисторов, работающих в видимом спектре довольно обширно. Это могут быть:
1. Системы автоматических выключателей света.
2. Счетные устройства.
3. Датчики обрыва полотна или бумаги.
4. Датчики проникновения.
5. В приборах оснащенных экспонометрами. Например, такие элементы могли использоваться в типовых фотоаппаратах-мыльницах.

Сами по себе они только элемент сложных фотоприёмных устройств, в которых помимо фотодетектора может быть входить:
• интегральный усилитель;
• микросхема, отвечающая за автоматическую регулировку освещения;
• схемы цепей питания, дополненные системой охлаждения на элементах Пельтье.
Всё это многообразие элементов для фотодекторов, заключается в небольшой герметичный корпус.
Если эти приборы работают в ИК-диапазоне, их область применения немного другая. Они используются как часть сложных устройств, таких как:
• датчики обнаружения пламени;
• системы бесконтактного измерения температуры;
• системы отслеживания уровня влажности;
• применяются для обнаружения углекислых газов;
• в приборах инфракрасных анализаторах газов;
• используется в датчиках обрыва бумажной ленты в типографии или в бумажной промышленности;
• в промышленной электронике подключение фоторезистора может применяться для автоматического подсчета изделий, которые двигаются по транспортерной ленте.
Соответственно, исходя из того что будет управляться таким резистором, рассчитываются и его параметры. 

4. 
   Характеристика измеряемой величины (Параметры )
   

1. Темновое сопротивление — сопротивление фоторезистора при отсутствии освещения. Измеряется через 30 с после затемнения фоторезистора, предварительно находившегося при освещенности 200 лк (104...107 Ом).
2. Удельная интегральная чувствительность — отношение фототока к произведению светового потока на приложенное напряжение:
Чувствительность называют интегральной, потому что измеряют ее при освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава с освещенностью 200 лк (десятые доли — сотни миллиампер на вольт).
3. Граничная частота /гр — частота синусоидального сигнала, модулирующего световой поток, при котором чувствительность фоторезистора уменьшается в V2 раз по сравнению с чувствительностью при немодулированном потоке; /гр 103...105 Гц.
4. Температурный коэффициент фототока — коэффициент, показывающий изменение фототока при изменении температуры и постоянном световом потоке:
5. Рабочее напряжение — зависит от размеров фоторезистора, т.е. от расстояния между электродами (единицы — сотни вольт).
Существенным недостатком фоторезисторов является зависимость сопротивления от температуры и высокая инерционность, связанная с большим временем жизни электронов и дырок после прекращения падающего оптического облучения на фоторезистор. В связи с этим переходные процессы в фоторезисторе протекают с постоянной времени, которая примерно равна времени жизни электронов и дырок в полупроводниковом слое.

5. 
   Принцип работы
   

В неактивном состоянии полупроводник проявляет свойства диэлектрика. Для того, чтобы он проводил ток, необходимо воздействие на вещество внешнего стимулятора. Таким стимулятором может быть термическое воздействие или световое.

Под действием фотонов света полупроводник насыщается электронами, в результате чего он становится способным проводить электрический ток. Чем больше электронов образуется, тем меньшее сопротивление току оказывает полупроводниковый материал. Зависимость силы тока от освещения иллюстрирует график на рис. 3.



Рис. 3. График зависимости силы тока от освещения

На этом принципе базируется работа фоторезисторов. Образованию электронов способствует как видимый спектр света так и не видимый. Причем фоторезистор более чувствителен к инфракрасным лучам, имеющим большую энергию. Низкую чувствительность к видимому свету проявляют чистые материалы.

Для повышения чувствительности фоторезистивного слоя его легируют разными добавками, которые образуют обновленную внешнюю зону, расположенную поверх валентной зоны полупроводника. Такое внешнее насыщение электронами потребует меньше энергии для перехода в состояние насыщения фототоком проводимости. Возникает внешний фотоэффект, стимулированный видимым спектром излучения.

Путем подбора легирующих добавок можно создавать фоторезисторы для работы в разных спектральных диапазонах. Фоторезистор имеет спектральную чувствительность. Если длина световых волн находится вне зоны проводимости, то прибор перестает реагировать на такие лучи. Освещенность в таких случаях, уже не может оказывать влияния на токопроводимость изделия.

Выбор спектральных характеристик зависит от условий эксплуатации изделия и решаемых задач. Если интенсивностей излучения не достаточно для стабильной работы устройства, его эффективность можно повысить путем подбора чувствительных элементов, с соответствующим полупроводниковым слоем [3].

Важно помнить, что инерционность фоторезисторов заметно выше чем у фотодиодов и фототранзисторов. Инерционность прибора имеет место потому, что для насыщения полупроводникового слоя требуется некоторое время. Поэтому датчик всегда подает сигнал с некоторым опозданием.

6. 
   Анализ различных марок
   

Наибольшее распространение получили фоторезисторы, изготовленные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Название типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, причем в старых обозначениях буквы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новом же обозначении эти буквы заменены цифрами. Буква, стоящая за дефисом, при старом обозначении, характеризовала конструктивное исполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новой маркировке эти буквы также заменены цифрами. В табл. 1 приведены наименования наиболее распространенных обозначений фоторезисторов.

Таблица 1. ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Вид фоторезисторов	Старое обозначение	Новое обозначение
Сернисто-свинцовые	ФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевые	ФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1, ФСК-Г2, ФС'Р;-Г7, ФСК-П1	СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевые	ФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1	СФ3-1, 8

Светочувствительный элемент в некоторых типах фоторезисторов выполнен в виде круглой или прямоугольной таблетки, спрессованной из порошкообразного сульфида или селенида кадмия, в других он представляет собой тонкий слой полупроводника, нанесенного на стеклянное основание. В том и другом случае с полупроводниковым материалом соединены два металлических вывода.


Рис.4. Схематичное устройство фоторезистора и его включение

В зависимости от назначения фоторезисторы имеют совершенно различное конструктивное оформление. Иногда это просто пластина полупроводника на стеклянном основании с токонесущими выводами, в других случаях фоторезистор имеет пластмассовый корпус с жесткими штырьками. Среди таких фоторезисторов следует особо отметить ФСК-6, приспособленный для работы от отраженного света, для чего его корпус имеет в центре отверстие для прохождения света к отражающей поверхности. Выпускаются фоторезисторы в металлическом корпусе с цоколем, напоминающим ламповый, или в корпусе, как у герметизированных конденсаторов пли транзисторов [2].

Малогабаритные пленочные фоторезисторы выпускаются в пластмассовых и металлических корпусах с влагозащитным покрытием светочувствительного элемента прозрачными эпоксидными смолами. Внешний вид и размеры наиболее распространенных типов фоторезисторов показаны на рис.5.


Puc.5. Внешний вид и размеры типов фоторезистора

Фоторезисторы характеризуются следующими параметрами- темновым сопротивлением Rт- активным сопротивлением при полном отсутствии освещения.

У некоторых типов фоторезисторов темновое сопротивление может иметь значительный разброс; - кратностью изменения сопротивления Rт/Rсв, параметром, показывающим отношение темнового сопротивления к сопротивлению при освещенном состоянии [4]. Это один из важнейших параметров, характеризующий чувствительность фоторезистора. С увеличением освещенности кратность возрастает по линейному закону, с уменьшением - снижается. Наименьшей чувствительностью обладают сернисто-свинцовые фоторезисторы, у которых кратность при освещенности 200 лк не ниже 1,2. У остальных типов фоторезисторов чувствительность значительно выше; - рабочим напряжением, под которым понимается напряжение, гарантирующее продолжительную работу фоторезистора. При работе в импульсном режиме у сернисто-кадмиевых и селенисто-кадмиевых фоторезисторов допустимое напряжение может в 2-3 раза превышать рабочее. У сернисто-свинцовых фоторезисторов рабочее напряжение можно принять равным 0,1 Rт, где Rт в килоомах;

• 
  допустимой мощностью рассеяния, позволяющей длительную эксплуатацию фоторезистора при +20° С в окружающей среде без опасности появления необратимых изменений в светочувствительном слое;
  
• 
  спектральными характеристиками, показывающими, в какой части спектра фоторезистор имеет наибольшую чувствительность.
  

Примерные спектральные характеристики показаны рис.6.


Рис.6. Спектральные характеристики фоторезисторов

Как видно из этих характеристик, фоторезисторы с сернисто-кадмиевым светочувствительным элементом имеют максимальную чувствительность в видимой части спектра, фоторезисторы, выполненные на основе селенистого кадмия, наиболее чувствительны к красной и инфракрасной части спектра, а сернисто-свинцовые фоторезисторы имеют максимум чувствительности в инфракрасной, области спектра [4].

7. 
   Схема прототипа
   

Используемые компоненты:

• 
  Контроллер Arduino UNO R3
  
• 
  Плата для прототипирования
  
• 
  Резисторы 220Ом 6шт;
  
• 
  Светодиоды 5 шт;
  
• 
  Фоторезистор
  

Рис.7. Прототип Схемы подключения фоторезистора к Arduino

Рассмотрим индикатор освещенности с помощью светодиодного ряда из 5 светодиодов и 5 резисторов номиналом 220 Ом. Количество горящих светодиодов пропорционально текущей освещенности. Собираем светодиоды по схеме на рис.7, используя ограничительные резисторы номиналом 220 Ом.



Рис.8. Работа Схемы подключения фоторезистора к Arduino

Фоторезистор - это прибор, который позволяет нашему устройству оценивать уровень освещенности. При свете дня горят все фоторезисторы. Прикрывая фоторезистор пальцем, можем наблюдать выключение лишь одного светодиода, так как палец имеет слабую светонепроницаемость. При полной темноте светодиоды не будут гореть.

При монтаже желательно расположить фоторезистор и светодиод максимально далеко друг от друга, чтобы на датчик освещенности попадало меньше света от яркого светодиода.

8. 
   Листинг программы
   

Напишем скетч чтения аналоговых данных и отправки их в последовательный порт. Содержимое скетча



Рис.7. Скетч программы работы фоторезистора к Arduino

• 
  оператор int указывает, что значение val может принимать только целое число, а начальное значение val равно нулю;
  
• 
  условный оператор if позволяет определить действие при истинном условии. Оператор else позволяет определить действие, когда условие ложно;
  
• 
  Получение значения освещённости сводится к чтению аналогового сигнала на пине при помощи analogRead().
  

9. Тенденции развития

• 
  В 1970 - 1979 г.г. усилиями ведущих химиков и фотолитографов значительно расширен ассортимент выпускаемых позитивных фоторезисторов: ФП-27-18БС (для производства микроплат), КРП-82 (для офсетной печати), ФП-РН-7, ФП-27В, ФПРН-27В (для подложек из примесно-силикатных стекол), толстослойного ФП-25 (для гальванических процессов), негативных фоторезисторов ФН-11 и ФН-11К (для производства гибких выводных рамок и печатных микроплат)
  
• 
  В 1980 - 1985 г.г. на ПО "Анилин" освоено производства сырьевой базы и промышленное производство фоторезисторов ФП-383, ФП-РН-7С, ФП-25, ФП-051К (для рельефных подложек), ФП-051Ш (для фотошаблонных заготовок) и ФП-051Т (для производства БИС), ФП-4-04 для i-линии ртутных ламп.
  
• 
  В течение 1982-1983 г.г. под руководством Вайнера А.Я. впервые в СССР разработаны рецептуры сухих пленочных фоторезисторов СПФ-1 и СПФ-2 для производства многослойных печатных плат.
  1984-1985 г.г. Запущено производство фоторезисторов ФП-051К, ФП-051Ш, ФП-051Т и фотополимеризующихся композиций на ПО "Анилин".
  

  В 1982-1985 г.г. разработаны рецептуры и организован выпуск фотополимеризующихся композиций для производства печатных плат марок ФПК-ТЗ (защитная), ФПК-ТГ (для гальванических процессов), ФПК-ТЩ (для травления), ФПК-ТМ, ФПК-ОМ и ФПК-ОК (маркировочные). 1984-1985 г.г. Запущено производство фоторезисторов ФП-051К, ФП-051Ш, ФП-051Т и фотополимеризующихся композиций на ПО "Анилин". 1985 г. Разработаны технологии и организовано производство серии фоторезисторов ФП-4-04 для i-линии ртутных ламп на ПО "Анилин". 1985-1988 г. осуществлено переоснащение отдела фоторезистов и опытного завода МНПО "НИОПИК", а также ПО "Анилин" современным для того времени контрольно-измерительным, испытательным и исследовательским оборудованием, что значительно ускорило научно-технические разработки и позволило выйти на новый уровень исследований. Были запущены профилографы-профилометры с точностью измерения до 5 нм, электронная микроскопия, атомно-адсорбционная, ЭПР-, ЯМР-, УФ- ИК- и люминесцентная спектрометрии, жидкостная и газовая хроматография и другие аналитические и исследовательские методы.

• 
  В течение двух лет была создана серия позитивных фоторезисторов ФП-051МК, ФП-151МК, ФП-251МК, для проекционной фотолитографии, что позволило предприятиям электроники СССР перейти на новый уровень интеграции интегральных схем.
  
• 
  Разработана серия толстослойных позитивных фоторезисторов для гальванических процессов ФП-201 (толщина слоя 6-9 мкм), ФП-4 (толщина слоя 4-7 мкм), ФП-15 (толщина слоя 15-20 мкм) и начат их выпуск на Опытном заводе. В лаборатории электронорезисторов разработаны технологии изготовления рентгенорезисторов позитивного РПФ-24 и негативного РНХ-209 марок.
  
• 
  1988-1990 г.г. Начаты разработки фоторезисторов для коротковолнового УФ - света. Освоен выпуск позитивных фоторезисторов УФП-12 и УФП-26 (спектральный диапазон чувствительности 240-280 нм), УФП-50 для двухслойной фотолитографии, а также негативного фоторезистора для коротковолнового диапазона УФН-1.
  
• 
  1988 г. начата разработка фоторезисторов с химическим усилением для лазерной литографии и термостойких полиимидных фоторезисторов.
  
• 
  1991-1993 г. Продолжены разработки фоторезисторов для лазерной и электроннолучевой литографии.
  
• 
  1994-1996 г.г. Катастрофическое падение производства элементной базы микроэлектроники и, как следствие, производства фоторезисторов.
  
• 
  2003-2004 г.г. Восстановлено производство ассортимента выпускавшихся на ОАО "Анилин" позитивных фоторезисторов по новой технологии.
  
• 
  2005 г. Начат выпуск отечественного фоторезистора для аэрозольного распыления ФП-РН-7Сэ и восстановлено производство негативных фоторезисторов ФН-11С и ФН-11Ск на базе импортного сырья.
  
• 
  2005-2006 г. г. Начат выпуск фоторезисторов с субмикронным разрешением серии ФП-05, ФП-10Ф, ФП-15Ф и фоторезистора ФП-51Ки для ионной бомбардировки.
  
• 
  2007-2008 г.г. Разработан и организован выпуск фоторезистора для взрывной фотолитографии ФПН-20-ИЗО.
  
• 
  2008 г. Разработан комплект методик для входных испытаний импортных позитивных фоторезисторов, адаптированных под отечественное оборудование.
  
• 
  2009 г. Начат выпуск сольвентов для позитивных фоторезисторов РПФ-У, РПФ-25Ф, РПФ-383Ф.
  
• 
  2010 г. Организовано производство буферного проявителя УПФ-1Б для позитивных фоторезисторов.
  
• 
  2011 г. Организован выпуск снимателей для позитивных фоторезисторов органического СПР-01Ф и щелочного СПР-02Щ. На ОАО "Ангстрем" внедрен новый негативный фоторезистор ФН-11С-ФД для изготовления выводных рамок на лакофольговом диэлектрике.
  
• 
  2012 г. Восстановлен выпуск фоторезисторов ФП-РН-27В и ФП-27В. Разработан проявитель для голографии ПГФ-1А.
  
• 
  2013 г. Разработан состав «Сниматель резисторов универсальный СР-13Ф».
  
• 
  2014 г. Разработана композиция «Усилитель адгезии фоторезисторов СИЛ-А-01». Разработана установка для микрофильтрации фоторезисторов УФП-16. Начаты работы по программе импортозамещения фоторезисторов.
  
• 
  2014-2015 Завершены разработки высококачественных фоторезисторов ФП-9120 и ФП-9120 экстра. Выпущены новые технические условия.
  
• 
  2015-2016 г.г. Разработаны десять новых композиций - аналогов импортных фоторезисторов и выпущены технические условия.
  
• 
  2016 г. Срок гарантийного хранения фоторезистора ФП-383 был увеличен до 12 месяцев. Сроки гарантийного хранения фоторезисторов ФП-9120 и ФП-9120 экстра увеличены до 12 месяцев.
  
• 
  2017 г. Начаты разработки серии экологически безопасных фоторезисторов класса ЭКО: ФП-25 ЭКО, ФП-383 ЭКО, ФП-201 ЭКО, ФП-9120 ЭКО и ФП-2550 ЭКО.
  
• 
  2018 г. Начата разработка аналога импортного фоторезистора AZ 4533.
  
• 
  2019 г. Завершена разработка аналога импортного фоторезистора AZ 4533. Параметры отечественного фоторезистора ФП-2538 не уступают параметрам фоторезистора AZ-4533. Изготовлена и осуществлена первая поставка отечественной мини установки фильтрации фоторезисторов УФР-16. 
  

Заключение

В данной работе мы ознакомились с фоторезистором. Узнали историю создания и развития, область их применения, характеристики измеряемых величин. Ознакомились с разными марками, изучили принцип действия его работы. Овладели практическими навыками в создании схемы прототипа с элементом и записали программу для работы платы в Arduino.

Список литературы

1. 
   Матвеев Б.В. Общая электротехника и электроника: Учеб. пособие. Ч.З: Длинная линия, нелинейные цепи и электроника. Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун-т, 2005, 182 с.
   
2. 
   Алейник, А. С. Основы схемотехники приемопередающих электронных устройств / А. С. Алейник [и др.]. – СПб : ун-т ИТМО, 2021. – 149 с.
   
3. 
   Ишанин. Г.Г., Приемники излучения / Г. Г. Ишанин, Э. Д. Панков, В. П. Челибанов. – СПб. : Папирус, 2003. – 527 с.
   
4. 
   Александровский, А. С. Техника оптических измерений / А. С. Александровский, С. Т. Им. – М. : Изд-во СФУ, 2007. – 129 с.