Главная страница
Навигация по странице:

  • З адание 1.2

  • ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 по дисциплине: Электроника. Лаб_работа_2_Электорника_КАИ. Вилков Евгений Александрович лабораторная работа 2 Задание 1 исследование


    Скачать 404.17 Kb.
    НазваниеВилков Евгений Александрович лабораторная работа 2 Задание 1 исследование
    АнкорЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 по дисциплине: Электроника
    Дата18.10.2022
    Размер404.17 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛаб_работа_2_Электорника_КАИ.docx
    ТипИсследование
    #740414


    МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ» (КНИТУ-КАИ)
    Институт радиоэлектроники, фотоники и цифровых технологий

    (наименование института (факультета), филиала)

    Кафедра радиофотоники и микроволновых технологий

    (наименование кафедры)

    11.03.01 Радиотехника

    шифр и наименование направления подготовки (специальности)

    ОТЧЁТ К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
    по дисциплине: Электроника
    Лабораторная работа зачтена с оценкой _____________
    Обучающиеся гр.5200 17.09.22 .

    Руководитель Вилков Евгений Александрович

    Лабораторная работа №2

    Задание 1.1 Исследование статических характеристик транзистора включенного по схеме с ОБ

    Схема для снятия ВАХ биполярного транзистора с ОБ




    Iэ, мА

    0

    0,2

    2

    4

    6

    8

    10

    Uэб, В

    0,48

    0,632

    0,68

    0,71

    0,73

    0,75

    0,78

    З адание 1.2 Исследование семейства выходных характеристик транзистора

    Uкб, В

    10

    8



    0,5

    0

    -0,5

    -0,7

    Iэ1=6мА

    Iк, мА

    5,4

    5,4




    5,4

    5,4

    5,4

    1,2

    Iэ2=4мА

    Iк, мА

    3,6

    3,6




    3,6

    3,6

    3,6

    0

    Iэ3=2мА

    Iк, мА

    1,7

    1,7




    1,7

    1,7

    1,7

    0

    Iэ4=0мА

    Iк, мА

    0

    0




    0

    0

    0

    0






    Задание 2.1 Исследование статических характеристик транзистора включенного по схеме с ОЭ

    Схема для снятия ВАХ биполярного транзистора с ОЭ





    Iб, мА

    0

    0,005

    0,01

    0,03

    0,06

    0,09

    Uэб, В

    0

    0,76

    0,81

    0,89

    0,95

    0,99


    з адание 2.2 Исследование выходных характеристик

    Uкэ, В

    0

    1

    2

    4

    6

    8

    10

    Iб1=0 мА

    Iк, мА

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    Iб2=0,03 мА

    Iк, мА

    0

    0,6

    1,3

    1,6

    1,8

    1,9

    2,6

    Iб3=0,06 мА

    Iк, мА

    0

    0,6

    1,3

    1,9

    4,6

    6

    6,2

    Iб4=0,9

    Iк, мА

    0

    0,6

    1,3

    1,9

    4,6

    6,3

    7,8


    Задание 3 Исследование нагрузочной характеристики транзистора с ОЭ


    Таблица теоретически рассчитанных данных

    Ек=10В

    Uкэ, В

    9,5

    8

    7

    6

    4

    2

    1

    0

    Rк=1кОм

    Iк, мА

    0,5

    2

    3

    4

    6

    8

    9

    10

    Rк=2кОм

    Iк, мА

    0,25

    1

    1,5

    2

    3

    4

    4,5

    5



    Т аблица экспериментально полученных данных

    Eк=10В

    Uкэ, В

    9,5

    8

    7

    6

    4

    2

    1

    0

    Rк=1 кОм

    Iк, мА

    0,6

    1,8

    2,7

    2,8

    5,5

    7,4

    8,4

    9,4

    Rк=2 ком

    Iк, мА




    0,6

    0,8

    1,2

    1,8

    2,4

    2,6

    3



    Г рафик приблизительно совпал с теоретическим, неточности можно списать на несовершенство оборудования

    Задание 4 Расчёт h-параметров транзистора

    4.1 расчёт h11



    h11= 0.04 В / 0.03 мА = 1.33 Ом
    4.2 Расчёт h21



    h21= Δik/Δiб = (3,25мА-1,75мА)/(0,06мА-0,03мА)=50

    4.3 Расчёт h22



    h22 = ΔIk/ΔUкэ = (6*10^(-3) – 4*10^(-3))/(8-4,75)= 0,00062 См

    Вывод: в ходе данной лабораторной работы были исследованы принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов. Помимо этого были получены навыки получения входной и выходной ВАХ транзистора, а так же графическим методом определены входное сопротивление, коэффициент усиления по току и выходное сопротивление транзистора


    написать администратору сайта