Тест ЭТ рус. 1. Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится
 Скачать 33.06 Kb.
|
|
1. Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится а) нейтральным; б) положительно заряженным; в) отрицательно заряженным. 2. Энергетическое состояние атома — это а) энергия ядра; б) полная энергия электронов; в) суммарная энергия ядра и электронов; г) сумма кинетической (движения по орбите) и потенциальной (притяжения к ядру) энергий электронов. 3. Суммарная масса электронов, движущихся вокруг ядра а) составляет несколько десятитысячных долей массы атома; б) составляет сотую долю массы атома; в) соизмерима с массой атома; г) электрон не имеет массы. 4. Выберите правильное утверждение Выберите один или несколько ответов: 1. электроны движутся по круговым или эллиптическим орбитам вокруг некоторой точки 2. электроны движутся вокруг ядра по круговым орбитам. 3. электроны неподвижны относительно ядра 4. электроны движутся вокруг ядра по эллиптическим орбитам. 5. электроны движутся вокруг ядра хаотично 5. Для перехода с низкой орбиты на более высокую, электрон должен Выберите один ответ: 1. потерять порцию (квант) энергии 2. получить порцию (квант) энергии 6. Энергия для перехода электрона на более высокую орбиту доставляется световыми, ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами, а также при тепловых столкновениях атомов. Выберите один или несколько ответов: 1. рентгеновскими лучами 2. тепловым излучением 3. ультрафиолетовыми лучами. 4. световыми лучами 5. механическим воздействием 7. Выберите правильное утверждение В соответствии с принципом Паули на любом энергетическом уровне одновременно может находиться не более двух электронов. В результате электроны не скапливаются на отдельных энергетических уровнях, а равномерно заполняют разрешенные энергетические зоны, начиная с нижних Выберите один ответ: 1. На любом энергетическом уровне одновременно может находиться несколько электронов. Заполнение разрешенных энергетических зоны неравномерное, более насыщены верхние зоны 2. На любом энергетическом уровне одновременно может находиться несколько электронов. Электроны равномерно заполняют разрешенные энергетические зоны, начиная с нижних. 3. На любом энергетическом уровне одновременно может находиться не более двух электронов. Электроны равномерно заполняют разрешенные энергетические зоны, начиная с нижних. 4. На любом энергетическом уровне одновременно может находиться несколько электронов Заполнение разрешенных энергетических зоны неравномерное, более насыщены нижние зоны 5. На любом энергетическом уровне одновременно может находиться только один электрон Электроны равномерно заполняют разрешенные энергетические зоны, начиная с нижних. 8. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ: 1. Валентная зона-нижняя из заполненных энергетических зон. 2. Валентная зона-средняя из заполненных энергетических зон. 3. Валентная зона-верхняя из заполненных энергетических зон. 9. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ: 1. Валентная зона всегда свободна от электронов 2. Валентная зона может быть заполнена полностью или частично. 3. Валентная зона всегда заполнена полностью 10. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ 1. Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже валентной, всегда заполнены электронами полностью 2. Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже валентной, заполнены полностью или частично 11. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ 1. Зона проводимости — разрешенная энергетическая зона, расположенная под валентной зоной 2. Зона проводимости — запрещенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной 3. Зона проводимости — разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной 12. НЕ полностью занятая валентная зона характерна для Выберите один ответ: 1. проводников 2. изоляторов 3. полупроводников 13. Размеры атома определяются Выберите один ответ 1. как место, в котором обнаруживается большинство электронов, принадлежащие атому. 2. как место наиболее удаленных от ядра точек, в которых обнаруживаются электроны, принадлежащие атому 3 как место, в котором обнаруживаются валентные электроны, принадлежащие атому 4. размерами ядра 15. Уровень Ферми — это Выберите один ответ 1 энергетический уровень в запрещенной для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. 2. энергетический уровень в запрещенной зоне для проводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. 3 энергетический уровень в валентной зоне для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. О 4. энергетический уровень в разрешенной зоне для проводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. 5. энергетический уровень в разрешенной для полупроводников вероятность появления электрона на котором равна 1/2. 16. С увеличением температуры Выоерите один ответ: 1. сопротивление проводника увеличивается, а полупроводников уменьшается. 2. сопротивление проводника уменьшается, а полупроводников увеличивается. 17. Размеры атома зависят Выберите один ответ: 1. от его принадлежности к тому или иному элементу и от состояния атома 2. от его принадлежности к тому или иному элементу 3. от числа электронов 18. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ: 1 Орбита вращения электрона зависит от размера ядра атома 2. Орбита вращения электрона зависит от размера электрона 3. Электрон вращается только по такой орбите, вдоль которой укладывается целое число его волн. 19. Двигаясь по разрешенной орбите. электрон Выберите один или несколько ответов: 1. не расходует энергии 2. приобретает энергию 3. обменивается энергией с другими электронами 4. не излучает энергии 5. теряет энергию 20. Выберите правильное утверждение Выберите один или несколько ответов: 1. электрон может переходить с одной разрешенной орбиты на другую 2. электрон переходит с одной разрешенной орбиты на другую под действие внешних факторов 3. электрон не может переходить с одной разрешенной орбиты на другую 21. Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой энергии, называется (одно слово)… Ответ: возбужденным 22. Если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывается от атома, то такой атом называется (одно слово) Ответ: ионизированным 23. Каждой разрешенной орбите соответствует своя скорость и. следовательно, своя энергия электрона (вставить нужное слово) Ответ: кинематическая 24. Выберите правильное утверждение Выберите один ответ: 1.В чистом полупроводнике валентные электроны могут переходить из валентной зоны в запрещенную зону 2.В чистом полупроводнике валентные электроны могут переходить из запрещенной зоны в зону проводимости 3.В чистом полупроводнике валентные электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости 25. Новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников могут образовываться Выберите один или несколько ответов: 1. воздействием электрического поля 2. при дефектах кристаллической решетки 3. введением других элементов в кристаллическую решетку 4. воздействием излучения 5. тепловыми полями 26. Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей Выберите один ответ: 1. увеличивают запрещенную зону 2. уменьшают запрещенную зону 27. Атомы германия и кремния имеют на внешних валентных оболочках Выберите один ответ: 1. по 4 электрона 2. по 2 электрона 3. 1 электрон 4. 3 электрона 5. 5 электронов 28. В качестве примесей используют Выберите один или несколько ответов: 1. пятивалентные элементы 2. двухвалентные элементы 3. четырехвалентные элементы 4. трехвалентные элементы 29. Выберите правильное утверждение Выберите один или несколько ответов: 1 Если в качестве примесей к кристаллам германия или кремния применяют пятивалентные элементы, то это — полупроводник с дырочной проводимостью 2. Если в качестве примесей к кристаллам германия или кремния применяют пятивалентные элементы, то это — полупроводник с электронной проводимостью. 3. Если в качестве примесей к кристаллам германия или кремния применяют трехвалентные элементы, то это — полупроводнике электронной проводимостью. 4 Если в качестве примесей к кристаллам германия или кремния применяют трехвалентные элементы, то это — полупроводник с дырочной проводимостью 30. В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается Выберите один ответ: 1. появлением дырки в запрещенной зоне 2. появлением дырки в валентной зоне 3. появление дырки в зоне проводимости 31. выберите правильное утверждение Выберите один ответ: 1. энергетический уровень электрона мышьяка расположен рядом с зоной проводимости кристалла 2. энергетический уровень электрона мышьяка расположен рядом с валентной зоной 3. энергетический уровень электрона мышьяка перекрывает валентную зону 32. Выберите правильные утверждения Выберите один или несколько ответов: 1.В полупроводнике п-типа примесная зона размещена рядом с зоной проводимости 2.В полупроводнике п-типа примесная зона может перекрываться с валентной зоной 3.В полупроводнике п-типа примесная зона размещена рядом с валентной зоной 4.В полупроводнике п-типа примесная зона может перекрываться с зоной проводимости 33. Выберите правильное утверждение Выоерите один или несколько ответов: 1. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в зоне проводимости 2.В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в примесной зоне 3. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры образуется дырка в валентной зоне 4.В полупроводнике п-типа при увеличении температуры значительная часть электронов примесной зоны переходит в зону проводимости. 5. В полупроводнике п-типа при увеличении температуры значительная часть электронов примесной зоны переходит в валентную зону 34. Если к полупроводнику п-типа приложить внешнее напряжение, то Выберите один ответ: 1. электроны движутся, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой. 2. электроны движутся, переходя в примесной зоне с одного энергетического подуровня на другой. 3. дырки движутся, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой. 4. дырки движутся, переходя в примесной зоне с одного энергетического подуровня на другой. 35. Под действием приложенного к кристаллу напряжения электрон проводимости движется Выберите один ответ: 1. «навстречу» электрическому полю. 2. в направлении электрического поля 36. В полупроводнике с трехвалентной примесью Выберите один или несколько ответов: 1. примесная зона перекрывается с зоной проводимости 2. примесная и валентная зоны иногда перекрываются 3. примесная и валентная зоны размещаются рядом 4. примесная зона размещается рядом с зоной проводимости 37. В полупроводниках с трехвалентной примесью под действием теплового излучения образуется пара носителей заряда Выберите один ответ 1. электрон в ввалентной зоне и дырка в примесной зоне 2. электрон в примесной зоне и дырка в зоне проводимости 3. электрон в примесной и дырка в валентной зонах 4. электрон в зоне проводимости и дырка в примесной зоне 38. Под действием приложенного напряжения в полупроводнике с трехвалентной примесью Выберите один ответ: 1. электроны упорядоченно движутся навстречу приложенного напряжения 2. электроны окажутся у потолка валентной зоны и потеряют способность проводить ток. 3. электроны окажутся у потолка примесной зоны и потеряют способность проводить ток. 4. электроны упорядоченно движутся по направлению приложенного напряжения 39. Под действием приложенного напряжения в полупроводнике с трехвалентной примесью Выберите один ответ: 1. дырки окажутся у потолка валентной зоны 2. дырки окажутся у потолка примесной зоны 3. дырки упорядоченно движутся по направлению приложенного напряжения 4. дырки упорядоченно движутся навстречу приложенного напряжения 40. Под действием приложенного к кристаллу напряжения движение положительного заряда (дырки) происходит Выберите один ответ 1 в направлении электрического поля 2 навстречу электрическому полю 41. Собственная электропроводность полупроводников может быть вызвана Выберите один или несколько ответов: 1. электрическим полем 2. рентгеновским излучением 3. световым излучением 4. температурой 5. магнитным полем 42. Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает Выберите один ответ: 1. электронную электропроводность. 2. акцепторную проводимость 3. дырочную проводимость 4. донорную проводимость 43. Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют германий и ……. Ответ: кремний 44. Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют кремний и ……. Ответ: германий 45. Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется ……. Ответ: примесной 46. Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает ……. электропроводность Ответ: электронную 47. Примесь, создающая в четырехвалентном кристалле электронную электропроводность, называется ……. Ответ: донорной 48. Электропроводность полупроводника р-типа называется ……. Ответ: дырочной 49. Трехвалентная примесь в полупроводнике называется ……. Ответ: акцепторной 50. Электропроводность чистого кристалла вызванная генерацией пар свободных, т е способных перемещаться под действием приложенного напряжения, зарядов называется ……. Ответ: собственной 51. Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется ……. Ответ: рекомбинацией пар 52. В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству ……. Ответ: дырок 53. Чистый и однородный полупроводник, в котором количество свободных электронов (пр равно количеству дырок (р;) называется………..полупроводником Ответ: собственным 1. Определить величину сигнала на входе двухкаскадного усилителя и его коэффициент усиления в децибелах, если коэффициент усиления первого каскада Кш=20; второго Кш=50; а на выходе напряжение равно 20 В.
2. Определить коэффициент усиления двухкаскадного усилителя в децибелах и линейных числах, если коэффициенты усиления понапряжению отдельных каскадов соответственно равны Ku1=20, Кu2=50.
3. Полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком, имеет:
4. Какую схему соединения следует использовать для согласованиявысокого выходного сопротивления схемы с низким сопротивлением нагрузки:
5. Триггер имеет:
5. все состояния устойчивы 6. Усилитель мощности на схеме  имеет коэффициент усиления по напряжению, равный 2. Выходное напряжение этой схемы без нагрузки равно
7. Что называется р-n переходом?
8. Какие материалы называются полупроводниками?
проводниками и диэлектриками
9. Что называется тиристором?
мощности сигнала
содержит участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением
приложенным между затвором и истоком, используемый для усиления мощности сигнала
10. Что называется обратной связью?
11. Какая обратная связь называется положительной?
12. Какая обратная связь называется отрицательной?
13. Как влияет положительная обратная связь на коэффициент усиления?
14. Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления?
15. Какая из схем включения биполярного транзистора не дает усиления по напряжению?
16. Какая из схем включения биполярного транзистора не дает усиления по мощности?
17. Что характеризует параметр h11биполярного транзистора?
18. Что характеризует параметр h12, биполярного транзистора?
19. Что характеризует параметр h21 биполярного транзистора?
20. Что характеризует параметр h22 биполярного транзистора? 1) выходную проводимость 2)входное сопротивление
|