сводный.. 1 Методы расчёта показателей надёжности 1 модели прогнозирования эксплуатационной безотказности элементов производства стран СНГ 3
Скачать 179.43 Kb.
|
Интегральные микросхемыДля определения коэффициента КИС, учитывающего количество элемен- тов в ИМС или бит (для ИМС памяти), можно воспользоваться математической моделью, полученной по табличным данным работы [15]: KИС ANS, (5.3) где A, S – постоянные коэффициенты модели (табл. 5.4); N – количество элементов в ИМС или бит. Коэффициенты моделей (5.3) и (5.4) для различных групп ИМС Таблица 5.4
Значения коэффициента Кtмогут быть получены по выражению Kt exp [B(tокр 25)], (5.4) где B – константа, зависящая от функционального назначения ИМС (см. табл. 5.4); tокр – температура среды, окружающей ИМС, ºС. Для ИМС, работа которых допускается в облегчённых электрических ре- жимах, значения коэффициента КР могут быть рассчитаны с помощью матема- тической модели: KР 0,045exp(3,1Kобл )exp [B(tокр 25)] , (5.5) где Кобл – отношение рабочей электрической нагрузки к максимально допусти- мой (электрическая характеристика, принимаемая во внимание, вы- бирается в зависимости от характера облегчённости электрического режима ИМС). Значение tокр может определяться по выражению tокр tраб max tЗ , (5.6) где tраб max – верхнее значение рабочей температуры РЭУ; tЗ – перегрев в нагретой зоне конструкции РЭУ (обычно tЗ ≤ 25…30 ºС). Значения коэффициента Ккорп в зависимости от типа корпуса ИМС приве- дены в табл. 5.5. Значения коэффициента КVследует выбирать из табл. 5.6. Таблица 5.5 Значения коэффициента Ккорп
Таблица 5.6 Значения коэффициента КVв зависимости от максимальных значений напряжения питания
|