сводный.. 1 Методы расчёта показателей надёжности 1 модели прогнозирования эксплуатационной безотказности элементов производства стран СНГ 3
Скачать 179.43 Kb.
|
Оптоэлектронные элементыЗначения коэффициента КР для излучающих диодов, оптопар транзистор- ных, тиристорных, диодных и резисторных могут быть рассчитаны с помощью математической модели: где Iпр.ср, Iпр.ср 0 – средний прямой ток излучателя соответственно в рабочем и номинальном режимах; Еа – энергия активации процессов деградации (Еа = 0,6 эВ); k – постоянная Больцмана (k = 8,625 10–5 эВ/К); m – показатель степени, зависящий от свойств кристалла и принимающий значения от 1 до 2; tп, tп 0 – температура p–n-перехода соответственно в рабочем и номиналь- ном режимах, ºС. При работе элемента в импульсном режиме m = 2. Для других режимов в зависимости от типа излучающего материала величина m равна: 1,4 – для GaAs; 1,2 – для GaP; 1,5 – для GaAlAs, GaAsP. Температура p–n-перехода определяется по формуле tп Pраб Rт tокр ; tп0 Pmax Rт 25 С, (5.9) где Рраб – рассеиваемая мощность в рабочем режиме при температуре tокр, Вт; Rт – тепловое сопротивление, ºС/Вт; Рmax – максимальная рассеиваемая мощность при температуре +25 ºС, Вт; tокр – температура окружающей среды, ºС. При отсутствии значений Rт температура p–n-перехода примерно может быть определена как где tраб max – максимальная рабочая температура РЭУ, ºС. Значение коэффициента КР для оптоэлектронных микросхем может быть принято равным единице [10].
Значения коэффициента КР могут быть рассчитаны с помощью математи- ческой модели: где tокр – температура окружающей среды (корпуса элемента), ºС; КН – коэффициент электрической нагрузки конденсатора по напряжению; A, B, NT, G, NS, H – постоянные коэффициенты (табл. 5.11). Таблица 5.11 Постоянные коэффициенты модели (5.11)
Значения коэффициента КС могут быть подсчитаны по математическим моделям, приведённым в табл. 5.12.
Модели для подсчёта коэффициента КС |