Силовые электронные устройства. 1 Тиристоры

• Название: 1 Тиристоры
• Дата: 15.01.2023
• Размер: 205.62 Kb.
• Имя файла: Силовые электронные устройства.docx
• Тип: Документы; #887230

1 Тиристоры

Тиристор — это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. Традиционным типом тиристора является кремниевый управляемый вентиль (silicon controlled rectifier — SCR), который используется в силовых управляемых преобразователях переменного или постоянного тока частотой 50 (60) Гц. Тиристор является неполностью управляемым прибором. Его можно включить, т.е. перевести в проводящее состояние, сигналом управления, для того чтобы выключить, необходимо обеспечить спад прямого тока до нуля.

Тиристор имеет четырехслойную структуру типа р-п-р-п с тремя выводами: анод А, катод С и управляющий электрод G рис. 1.1, а, б. Структуру тиристора можно представить в виде двух соединенных трехслойных структур типов р-п-р и п-р-п рис. 1.1, в, эквивалентных структурам биполярных транзисторов. Этой структуре соответствует схема замещения, состоящая из транзисторов VT1 и VT2рис. 1.1 г.



Рисунок 1.1 - Тиристор

а — графическое обозначение; б — четырехслойная структура; в — трехслойные структуры; г — эквивалентная схема замещения
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) тиристора нелинейная и показывает, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фтористора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала. Тиристор остаётся в открытом состоянии до тех пор, пока протекающий   через него ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.

Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис. 1.2.



Рисунок 1.2 - Вольт амперная характеристика тиристора

Описание ВАХ:

кривая ВАХ на участке, ограниченном прямоугольником с координатами вершин (0;0) и (V_ВO;I_L ) (нижняя ветвь), соответствует высокому сопротивлению прибора (прямому запиранию прибора);

точка (V_ВO;I_L ) соответствует моменту включения тиристора (переключению динистора во включённое состояние);

кривая ВАХ на участке, ограниченном прямоугольником с координатами вершин (V_ВO;I_L ) и (V_Н;I_Н), соответствует переключению прибора во включённое состояние (неустойчивая область). Судя по тому, что кривая имеет S‑образную форму, можно сделать вывод о том, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. Когда разность потенциалов между анодом и катодом тиристора прямой полярности превысит величину V_ВО, произойдёт отпирание тиристора (динисторный эффект);

кривая ВАХ от точки с координатами (V_Н; I_Н) и выше соответствует открытому состоянию прибора (прямой проводимости);

на графике показаны ВАХ с разными токами управления I_G  (токами на управляющем электроде тиристора): I_G =0; I_G >0; I_G >>0. Чем больше ток I_G, тем при меньшем напряжении V_ВO происходит переключение тиристора в проводящее состояние;

пунктиром обозначена кривая ВАХ, соответствующая протеканию в цепи тока I_G >>0 — так называемого «тока включения спрямления». При таком токе тиристор переходит в проводящее состояние при минимальной разности потенциалов между анодом и катодом. Для перевода тиристора в непроводящее состояние необходимо снизить ток в цепи анод-катод ниже тока включения спрямления;

кривая ВАХ на участке от V_BR до 0 соответствует режиму обратного запирания прибора;

кривая ВАХ на участке от -∞ до V_BR соответствует режиму обратного пробоя.

Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 1.2 тем, что кривая в третьей четверти графика (слева внизу) повторяет участки из первой четверти (справа вверху) симметрично относительно начала координат.


Рисунок 1.3 - Условные обозначения различных типов тиристоров

а – однополярный тиристор с управлением относительно катода; б – однополярный тиристор с управлением относительно анода; в – однополярный динистор; г – симистор; д - двуполярный динистор (диак)
В настоящее время эти приборы получили широкое распространение в преобразователях электрической энергии и бесконтактной пускорегулирующей аппаратуры. К преимуществам тиристоров относятся: большой срок их службы, высокий КПД, малая чувствительность к вибрации и механическим перегрузкам, способность работать при низких (прямых) и высоких (обратных) напряжениях, а также при очень больших токах, достигающих единиц килоампер. Основное свойство тиристора, обеспечивающее ему самые разнообразные применения в автоматике, электронике, энергетике — это способность находиться в двух устойчивых состояниях: закрытом и открытом. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет десятки мегаом, и он практически не пропускает ток при напряжениях порядка единиц тысяч вольт, а в открытом состоянии сопротивление тиристора незначительно. Падение напряжения на нем около 1В при токах в сотни ампер. Переход тиристора из одного состояния в другое происходит за очень короткое время.

1.2 Типы тиристоров

Существует несколько различных типов тиристоров, некоторые из них разработаны специально для конкретных применений. Большинство из них базируется на четырехслойной тиристорной структуре, но в то же время каждый тип имеет свои специфические особенности.

Базовые тиристоры, обладающие приблизительно равными прямой и обратной блокирующими способностями, подразделяются на два больших класса. Первый класс тиристоров используется в преобразователях для работы при низкой частоте и конструируется таким образом, чтобы обеспечить низкое падение напряжения в открытом состоянии. Однако это приводит к медленному выключению прибора. Второй класс - тиристоры для инверторов или быстродействующие тиристоры. Они конструируются для работы на высоких частотах и характеризуются быстрым временем выключения. В основном такие тиристоры имеют значительно большие падения напряжения в открытом состоянии, чем класс преобразовательных приборов, описанный выше. В дополнение к базовому тиристору существует несколько специальных приборов, характеристики которых приведены в табл. 1.

Таблица 1 - Типы тиристоров.

Тип тиристора	Особенности его конструкции	Основные, области применения
Фототиристор	Светочувствительный управляющий электрод	Постоянный ток высокого напряжения
Тиристор-диод	Объединение с встречно-параллельным диодом	Электрическая тяга и инверторы
Тиристор с комбинированным выключением	Одновременно принудительная коммутация и выключение по управляющему электроду	Электрическая тяга и инверторы. Электропривод
Запираемый тиристор	Выключение по управляющему электроду (принудительная коммутация не требуется)	Электрическая тяга и инверторы. Электропривод
Тиристор, проводящий в обратном направлении	p-n-p-n конструкция без обратной блокирующей способности	Высокочастотные инверторы и мощные источники питания
Диодный тиристор (динистор)	Управляющий электрод отсутствует, переключение за счет превышения напряжения переключения	Защита тиристоров от перенапряжения
Симистор	Комбинация двух встречно-параллельных тиристоров	Управление мощностью переменного тока, нагревом, освещенностью

У фототиристора отсутствует электрический контакт с управляющим электродом и спроектирован он таким образом, чтобы реагировать только на оптический сигнал. Обычно оптический сигнал очень слабый и, следовательно, прибор должен иметь высокий коэффициент усиления. Основной проблемой при конструировании фототиристора является достижение высокого коэффициента усиления при малой чувствительности к эффекту dv/di. В связи с появлением фототиристоров разработчикам оборудования постоянного тока высокого напряжения удается обеспечить высоковольтную изоляцию между тиристором и цепью управления: это требование выполняется при использовании волоконной оптики.

Тиристор, проводящий в обратном направлении, обычно объединяет в одном кристалле быстродействующие тиристор и диод. В преобразователях и импульсных схемах время выключения тиристора должно быть очень малым, чтобы обеспечить функционирование прибора на высокой частоте. Диод соединяется с тиристором для того, чтобы проводить обратный ток. К сожалению, наличие индуктивности у провода между диодом и тиристором может вызвать увеличение схемного времени выключения тиристора. За счет объединения диода и тиристора влияние этой индуктивности исключается и реализуется очень быстрое выключение прибора.

Тиристор с комбинированным выключением имеет электрод, который может быть смещен в обратном направлении в процессе выключения для того, чтобы способствовать удалению накопленного заряда из прибора.

В запираемом тиристоре отсутствует один из главных недостатков базового тиристора. Речь идет о том, что прибор может, как включаться, так и выключаться по управляющему электроду. Это достигается благодаря точной регулировке его коэффициентов усиления и применению распределенного управляющего электрода. Основными областями применения запираемого тиристора являются переключатели и преобразователи для электропривода и других промышленных устройств.

Тиристор, проводящий в обратном направлении, не обладает обратной блокирующей способностью, так как его n-база содержит дополнительный и слой, смежный с переходом Л. Это дает возможность использовать более тонкую n-базу, чем у основного тиристора, примерно на половину тоньше при той же самой блокирующей способности. Поскольку база более тонкая, естественно, уменьшаются потери в открытом состоянии и при коммутации, и происходит более быстрое выключение прибора. Отсутствие обратной блокирующей способности является несущественным моментом для многих областей применения, например в преобразователях, где используется встречно-параллельное соединение диода с тиристором.

Диодный тиристор не имеет управляющего электрода и переключается в проводящее состояние, когда приложенное прямое напряжение достигает определенного значения. Такие приборы используются для защиты тиристоров и других компонентов цепей от перенапряжения.

Симистор представляет собой соединение двух встречно-параллельных тиристоров с общим управляющим электродов. Включение такого прибора может происходить путем подачи сигнала управления на управляющий электрод, когда приложено либо положительное, либо отрицательное напряжение. Прибор используется для управления мощностью переменного тока, например, при регулировании яркости света. Симисторы охватывают средний уровень мощности, что обусловлено взаимным влиянием друг на друга составляющих тиристоров. Следует отметить, что при больших уровнях мощности устройства из двух дискретных тиристоров оказываются более эффективными, чем симисторы.

1.3 Динистор

Динистор — это пятислойный полупроводниковый прибор с четырьмя р-n переходами. На рис. 1.4 показано символьное обозначение (а), типовая структура (б) динистора, его двухтиристорного аналога (в), а также вид вольт-амперной характеристики прибора (г).



Рисунок 1.4 – Динистор и его ВАХ

Недостаток тиристора — это то, что он проводит ток только в одном направлении. Динистор является устройством, способным проводить ток в двух направлениях. Эквивалентная схема динистора может быть представлена в виде двух р-п-р-n приборов (тиристоров), соединенных навстречу друг другу (рис. 1.4 в). Когда потенциал положителен относительно электрода МТ1, тиристор 1 смещен в прямом направлении, р-n переходы J₂ и J₄ смещены в прямом направлении, a J₃ — смещен в обратном направлении. Когда величина приложенного напряжения увеличивается, р-n переход J₃ пробивается, и тиристор 1 переходит из состояния высокого импеданса в состояние низкого импеданса. Характеристика этого прибора подобна характеристике тиристрора без управляющего электрода, смещенного в прямом направлении.

Когда потенциал электрода МТ1 положителен относительно электрода МТ2, тиристор 2 смещен в прямом направлении, р-n переходы J₁ и J₃ смещены в прямом направлении a J₂ — в обратном. Когда величина приложенного напряжения увеличивается, р-n переход J₂ пробивается, и тиристор 2 переходит из состояния высокого импеданса в состояние низкого импеданса (рис. 1.4 г).

1.4 Симистор

Типовой симистор имеет три электрода: МТ1, МТ2 и управляющий электрод G (рис. 1.5). Симистор является устройством, способным проводить ток в двух направлениях.



Рисунок 1.5 – Симистор и его ВАХ

Симистор эквивалентен двум тиристорам, соединенным навстречу друг другу, которые имеют общий управляющий электрод (рис 1.5 б).

Когда потенциал электрода МТ2 выше, чем МТ1, тиристор 1 находится в прямом включении и может быть переведен в проводящее состояние воздействием на управляющий электрод (рис. 1.5 в). Когда потенциал электрода МТ1 выше, чем МТ2, тиристор 2 смещен в прямом направлении и может быть переведен в проводящее состояние воздействием на управляющий электрод. Таким образом, симистор способен проводить ток в обоих направлениях. Для включения тиристора требуется воздействие положительного управляющего тока по отношению к катоду. Напротив, симистор может быть переведен в проводящее состояние как положительным управляющим током, так и отрицательным.

1.5 Применение тиристоров

В целом применение тиристоров можно разделить на 4 группы:

• 
  силовые ключи – переключатели переменного напряжения. Одним из определяющих моментов, влияющих на востребованность подобных схем, выступает низкая мощность, которая рассеивается тиристором в схемах переключения. В закрытом состоянии мощность практически не рассеивается из-за того, что ток практически равен нулю. А в открытом состоянии рассеиваемая мощность незначительна благодаря небольшим значениям напряжения;
  
• 
  пороговые устройства – в них задействовано основное свойство тиристора – открываться (пропускать ток) при достижении напряжением определенного значения. Эта группа схем особенно активно используется в фазовых регуляторах мощности и релаксационных генераторах;
  
• 
  подключение постоянного тока – для прерывания, включения / выключения используются запирающие тиристоры. Правда, при этом схемы требуют определенной доработки – тиристоры в целом плохо работают в цепях с постоянным током. Но высокая надежность, способность работать с большими по значению токами и напряжениями полностью оправдывают некоторые неудобства;
  
  • 
    экспериментальные устройства – в них используется свойство тиристора иметь отрицательное сопротивление, пребывая в переходном режиме.
    

2. Силовые диоды

2.1 Статические характеристики диода

Полупроводниковый двухэлектродный прибор с односторонней электрической проводимостью называется диодом. Вывод из р-области называют анодом, а из области — катодом (рис. 2.1, а). Если к диоду подключить внешний источник напряжения отрицательным выводом к аноду, а положительным к катоду (напряжение такой полярности относительно р-n-перехода называют обратным и обозначают u_R), то значение напряжения потенциального барьера φ в ОПЗ возрастет (рис. 2.1, б). Состояние термодинамического равновесия носителей заряда полупроводника нарушается и в диоде протекает небольшой обратный ток i_R,обусловленный неосновными носителями заряда. Этот ток слабо зависит от обратного напряжения u_Rи при его увеличении приближается к постоянному значению i_R= I₀, соответствующему тепловому току. Увеличение обратного напряжения вызывает резкое увеличение электрической проводимости диода, называемое пробоем.



Рисунок 2.1 - Подключение диода к внешней цепи

а — условное обозначение диода; б — подключение к источнику напряжения обратной полярности; в — подключение к источнику напряжения прямой полярности

Функционально диод является электронным ключом с односторонней проводимостью. Диод находится в проводящем состоянии (замкнутый ключ), если он подключен к источнику прямого напряжения. Ток диода i_Fопределяется параметрами внешних цепей, и напряжение на его выводах мало. Если диод подключен к источнику обратного напряжения, то он находится в непроводящем состоянии (разомкнутый ключ) и его ток имеет небольшое значение. Напряжение на выводах диода определяется параметрами внешних цепей. В идеализированном виде диод можно рассматривать как ключ, который может находиться в двух состояниях: включенном, когда в нем протекает прямой ток i_F , и выключенном, когда он блокирует напряжение u_Rи не проводит ток. Реальная статическая ВАХ диода при подключении к источнику прямого напряжения может быть представлена экспонентой, а при подключении к источнику обратного напряжения — участком с постепенно возрастающим обратным током i_Rдо значения I₀ постоянного тока вплоть до наступления пробоя при увеличении обратного напряжения до предельного значения U_BR(рис. 2.2).



Рисунок 2.2 - Статические ВАХ диода

2.2 Основные типы силовых диодов

По основным параметрам и назначению диоды принято разделять на три группы: общего назначения, быстровосстанавливающиеся и диоды Шоттки.

2.2.1 Диоды общего назначения

Имеют допустимые значения обратного напряжения до 10 кВ и прямого тока до 8 кА. Массивная структура диодов ухудшаетих быстродействие. Поэтому время обратного восстановления диодов находится

в диапазоне 25— 100 мкс, что ограничивает их использование в цепях с частотой выше 1 кГц. Как правило, они применяются в промышленных сетях частотой 50 (60) Гц. Прямое падение напряжения на диодах этой группы достигает 2,5—3 В для приборов, рассчитанных на большие обратные напряжения.

2.2.2 Быстровосстанавливающиеся диоды

При производстве этой группы диодов используются различные технологические методы, уменьшающие время их обратного восстановления. В частности, применяется легирование кремния методом диффузии золота или платины. Благодаря этому удается снизить время обратного восстановления до 3—5 мкс. Однако при этом снижаются допустимые значения прямого тока и обратного напряжения. Напряжение может быть повышено при сохранении быстродействия за счет использования структуры диода с промежуточным слоем из кремния. Этот слой называется i-слоем, а структура диода с таким слоем обозначается p-i-n. Диоды с такой структурой имеют также меньшее падение напряжения в проводящем состоянии по сравнению с диодами р-п.

Допустимые значения тока составляют 1 к А, обратного напряжения — до 3 кВ. Быстровосстанавливающиеся диоды напряжением до 1 000 В и током 150 А имеют время обратного восстановления 0,1—0,5 мкс. Такие диоды используются в импульсных и высокочастотных цепях (свыше 10 кГц).

Быстровосстанавливающиеся диоды эффективно используются в комплекте с транзисторами и запираемыми тиристорами в качестве встречновключенных, а также в ЦФТП этих приборов.

2.2.3 Диоды Шоттки

Принцип действия диодов Шоттки основан на свойствах области перехода между металлом и полупроводниковым материалом. Для силовых диодов в качестве полупроводника используется обедненный слой кремни n-типа. При этом в области перехода со стороны металла накапливается отрицательный заряд, а со стороны полупроводника — положительный. Особенностью диодов Шоттки является то, что прямой ток обусловлен движением только основных носителей заряда — электронов. Диоды Шоттки, таким образом, являются униполярными приборами с одним типом основных носителей заряда. Незначительное число неосновных носителей заряда существенно уменьшает инерционность диодов. Время восстановления составляет не более 0,3 мкс, падение прямого напряжения примерно 0,3 В. Значения обратных токов в этих диодах на 2—3 порядка выше, чем в диодах с р-л-переходом. Диапазон предельных обратных напряжений ограничивается напряжением 100 В. Диоды Шоттки используются в высокочастотных и импульсных цепях низкого напряжения. Диоды Шоттки выполняются в керамических или пластмассовых корпусах с металлическим теплоотводящим основанием.

3 Силовые транзисторы

3.1 Основные классы силовых транзисторов

Транзистор — это полупроводниковый прибор, содержащий два или более p-n-переходов и работающий как в усилительных, так и в ключевых режимах. В силовых электронных устройствах транзисторы используются в качестве полностью управляемых ключей. В зависимости от значения сигнала управления транзистор может находиться в закрытом (выключенном) или в открытом (включенном) состояниях. В закрытом состоянии транзистор выдерживает прямое напряжение, определяемое напряжением внешних цепей, при этом ток транзистора имеет небольшое значение. В открытом состоянии транзистор проводит прямой ток, определяемый напряжением внешних цепей, при этом напряжение между силовыми выводами транзистора мало. Транзисторы не проводят ток в обратном направлении, и большинство из них не выдерживают обратного напряжения.

По принципу действия различают следующие основные виды силовых транзисторов:

• 
  биполярные;
  
• 
  полевые, среди которых наиболее распространены МОП-транзисторы типа металл-оксид-полупроводник (MOSFET — metal oxide semiconductor field effect transistor);
  
• 
  полевые с управляющим р-л-переходом, или СИТ-транзисторы со статической индукцией, (SIT — static induction transistor);
  
• 
  биполярные транзисторы с изолированным затвором МОПБТ (англ. IGBT —insulated gate bipolar transistor).
  

3.1.1 Биполярные транзисторы

Cтруктура транзисторов состоит из трех слоев полупроводниковых материалов с различным типом электропроводимости. В зависимости от порядка чередования слоев полупроводника различают транзисторы типов р-п-р и п-р-п (рис. 3.1). Наиболее распространены силовые транзисторы типа п-р-п.



Рисунок 3.1 - Структуры биполярных транзисторов
Средний слой структуры транзистора называется базой (В), внешний слой, инжектирующий (внедряющий) носители заряда, — эмиттером (Е), собирающий носители заряда — коллектором (С). Каждый слой имеет выводы для соединения с внешними источниками напряжения. Биполярные транзисторы на ток 50 А и более рассчитаны на напряжение менее 1 000 В и частоту коммутации до 10 кГц.

3.1.2 МОП-транзисторы

Принцип действия транзисторов основан на изменении электрической проводимости на границе диэлектрика и полупроводника под воздействием электрического поля. В качестве диэлектрика используются оксиды, например диоксид кремния SiO₂.

Различают МОП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. Эти типы транзисторов имеют следующие выводы: сток (D), исток (S), затвор (G), и вывод от подложки (В), соединяемой с истоком. В зависимости от типа электрической проводимости канала различают транзисторы с n- и p -типами каналов. На рис. 3.2 изображены структуры и символы МОП-транзисторов с каналами n-типа.



Рисунок 3.2 ­­- Структуры и символы МОП-транзисторов с проводящим каналом n-типа

а — с индуцированным каналом; б — со встроенным каналом
Принципиальным отличием МОП-транзисторов от биполярных является то, что они управляются напряжением (электростатическим полем, создаваемым этим напряжением), а не током. Основные процессы в МОП-транзисторах обусловлены одним типом носителей заряда, что повышает их быстродействие, поэтому МОП- транзисторы называются униполярными транзисторами.

3.1.3 СИТ

Полевые транзисторы выполняются с коротким вертикальным каналом, отделенным от управляющей цепи р-я-переходом (рис. 3.3). При отсутствии напряжения на затворе сопротивление канала СИТ минимально и он находится в открытом состоянии. При подаче на затвор положительного относительно истока потенциала толщина канала уменьшается и его сопротивление увеличивается, что позволяет управлять током в цепи сток — исток. В транзисторе со статической индукцией р-я-переход смещен в обратном направлении и управление электрическим полем позволяет изменять значение заряда барьерной емкости этого перехода при незначительном потреблении мощности.



Рисунок 3.3 – Структура и символ СИТ
При небольшом расстоянии от истока до затвора можно уменьшить сопротивление и ≪паразитные≫ емкости между выводами транзистора. Структура СИТ обладает высоким быстродействием и значением коммутируемого тока при многоканальном исполнении. Рабочая частота СИТ обычно ограничивается 100 кГц при напряжениях коммутируемой цепи до 1 200 В. Коммутируемые токи достигают нескольких сотен ампер. В силовой электронике СИТ не нашли широкого применения.

3.1.4 МОПБТ

Стремление объединить в одном транзисторе положительные свойства биполярного и полевого транзисторов привело к созданию МОПБТ. Выполненный в одном кристалле, он имеет низкие потери мощности во включенном состоянии подобно биполярному транзистору и высокое входное сопротивление цепи управления, характерное для полевого транзистора.

Структура МОПБТ (рис. 3.4) во многом подобна структуре МОП-транзистора; разница заключается в наличии нижнего слоя с проводимостью р⁺-типа, который придает МОПБТ свойства биполярного транзистора. Выходная цепь МОПБТ состоит из биполярного транзистора типа р-n-р, а дополнительному р-n-переходу соответствует транзистор n-р-n-типа.


Рисунок 3.4 - Структура (в), эквивалентная схема (6) и символ (в) МОПБТ
Транзисторы МОПБТ первого поколения использовались при напряжениях до 1 200 В, токах до 50 А и рабочей частоте 20—50 кГц. Дальнейшее изменение конструкции позволило создать на базе одного большого кристалла прибор с рабочим током до 100 А и напряжением 3 000 В. В настоящее время параллельное включение кристаллов в одном корпусе позволило создать модули на ток 1 кА и напряжение более 4,5 кВ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова – М.: Энергоатомиздат, 1985г. – 904 с.

Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. – 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . –384 с.

Силовая электроника : учебник для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. 2-е изд., стереотипное. — М. : Издательский дом МЭИ, 2009. — 632 с.: ил.

Силовые электронные устройства: Введение в автоматизированное проектирование. - М.: Радио и связь, 1982. - 256 с., ил.

Силовая электроника. / Фролов В.Я., Смородинов В.В., Зверев С.Г.:Учеб. пособие. СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 2011. 281 с.

Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. – М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.

Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С. Полупроводникова силовая электроника Москва: Техносфера, 2013. - 216 с.