Лекция№8_ОНС. 9. 4 Поляризационномодовая дисперсия (pmd)
Скачать 173.95 Kb.
|
9.4 Поляризационно-модовая дисперсия (PMD) Наблюдается только в высокоскоростных системах В>2,5Гбит/с (≈10Гбит/с) Δλ Строгий контроль концентричности сердцевины при изготовлении; При изготовлении кабеля и при прокладке строгий контроль условий, т.е. минимальная нагрузка. Использование компенсаторов дисперсии – фазовый корректор, который выравнивает фазовые скорости двух поляризационных составляющих.
Затухание – потери мощности в оптической среде (ОВ),происходящая за счет внутренних и внешних причин. α, [дБ/км] – в ОВ Чем меньше затухание α и меньше дисперсия τ, тем больше длина регенерационного участка L. Затухание: потери на поглощение (αabs), потери на рассеяние (αscf), кабельные потери (αrad) – радиационные (от слова ”радиус”): αΣ= αabs+ αscf+ αrad Полное затухание в линии: , [дБ] Потери на поглощение состоят из собственных потерь в кварцевом стекле: УФ поглощение (поглощают энергию электроны) и ИК поглощение (поглощают энергию атомы и молекулы) + потери, связанные с поглощением света на примесях. При производстве ОВ вводят легирующие добавки P, B, Br, Fe и т.д. на уравнение атомов. Примесные центры поглощают свет на определенных длинах волн (в зависимости от типа примеси) и рассеивают свет в виде джоулевого тепла. На кривой потерь появляются пики поглощения. Отдельная группа – примесь воды (гидроксильных групп ОН-). Дает максимальное поглощение на λ =1380нм. В стандартных ОВ эта область спектра не используется. Потери от 1 до 2 дБ. Чтобы работать на этой длине волны ОВ высушивают. Собственные потери на поглощение растут в ИК и УФ области и становятся значимыми на длинах волн λ<650нм и λ>2000нм. Потери на рассеяние (Рэлеевское). Современное ОВ сверхчистое, чистота 99,99999. Наличие примесей перестает быть главенствующим фактором затухания. Минимальные достигнутые потери 0,15дБ/км. Дальнейшему снижению потерь препятствует релеевское рассеяние. Оно вызвано наличием неоднородностей микроскопического масштаба. Свет, попадая на такие неоднородности, рассеивается в различных направлениях. Часть его теряется в оболочке, часть двигается в противоположном направлении. Эти неоднородности появляются в процессе изготовления ОВ. Например: изменение плотности, показателя преломления. Потери на рэлеевское рассеяние зависят от длины волны λ-4 . Сильнее проявляются в области коротких длин волн. αint=Krelλ-4+δOH-(λ)+ ce –k/λ, где Krel=0,8мкм4 дБ/км; δОН- (λ) – мах 1380нм; с = 0,9дБ/км, k=0,7-0,9мкм - ИК поглощение. Кривая затухания в оптических волокнах. Значения коэффициентов потерь мощности:
Кривая затухания в современном ОВ: Кабельные потери обусловлены скруткой, деформацией, изгибами волокон, возникшими при наложении покрытия, оболочек на ОВ и при изготовлении ОВ. При соблюдении технических условии на прокладку кабеля номинальный вклад со стороны радиационных потерь составляет не более 20% от полного затухания. Дополнительные радиационные потери появляются, если радиус изгиба кабеля становится меньше номинального допустимого, указанного в спецификации на ВОК (волоконно-оптический кабель). Rexp(-R/Rc) R≈q/(NA)2 =a/2nΔn, где а - радиус сердцевины. Если ОВ изогнуто так, что поверхностное напряжение более 0,2%, то возникнут микротрещины. Пример: а=30мкм; b=125мкм; n=1.5; Δ=0.01; NA=0.15; то Rкритич=2мм; R>b/0.002=500b; R>31250мкм=31мм. Влияние ионизирующего излучения на потери в ОВ. В военных и космических системах связи требуется ОВ, устойчивое к высоким уровням радиации. Под воздействием радиации разрушаются химические связи в стекле, создаются другие уровни электронов, становятся возможными переходы. Это создает потери в видимой и ближней ИК-области. При малых дозах облучения наведенные потери прямо пропорциональны начальной дозе облучения. В многокомпонентных стеклах химические связи особенно чувствительны к радиации. Поэтому применяют ОВ из чистого плавленого кварца без примесей легирующих элементов. Обнаружено, что гидроксильные группы ОН- хоть и увеличивают обычные потери, но их умеренная концентрация снижает чувствительность ОВ к воздействию радиации. ОН- препятствует образованию дефектных центров. Специально разработано ОВ выдерживает дозу 1000Рад. 1Рад - излучения 1 Дж, поглощенная массой 100кг. Потери на облучение сотни дБ/км. Процесс обратим. |