|
|
Анотація диплом
6 ПРОЕКТУВАННЯ ДРУКОВАНОГО ВУЗЛА
У ході проектування плати металошукча необхідно розрахувати всі па- раметри друкованого монтажу. Це дозволить створити друковану плату оп- тимальних розмірів і з потрібною функціональністю.
Вибір матеріалів друкованої плати
Основними критеріями вибору матеріалу для друкованої плати є:
стріла прогину й жолоблення;
довгостроково робоча температура, що допускається;
міцність на відшаровування фольги;
час стійкості до дії розплавленого припою;
−вартість.
Матеріалом основи обираємо: FR-4-2 — склотекстоліт фольгований для ДДП. Склотекстоліт має високу механічну міцність, термостійкість, низькі втрати, високий поверхневий опір [8].
Так як обрано двосторонню друковану плату, доцільно виготовляти її комбінованим позитивним методом. Даний метод є простим у використані і потребує не досить значних затрат [9].
Фоторезистом захищають прогалини. Потім на всю поверхню плати на- носять лакову сорочку (оболонку), свердлять монтажні отвори і виконують хімічне міднення (вся плата покривається тонким шаром міді - в декілька мі- крон). Хімреактивом знімається лакова оболонка, а з нею - мідь, (крім того шару, що осів на стінках отворів, бо під ним немає лаку). Далі в гальванічній ванні нарощують мідь в отворах, і на незахищених фоторезистом місцях фо- льги(місця провідників і контактних майданчиків).Потім па провідники та контактні майданчики наносять захисний шар металу і усувають фоторезист
| |
|
|
|
|
|
РВ21.468213.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
з незахищених місць (прогалин). Оголений шар фольги стравлюють. Таким чином, метод поєднує хімічний метод отримання провідникового рисунку і гальванохімічний метод металізації отворів. Метод є основним при виготов- ленні двосторонніх друкованих плат. Застосовують його для багатошарових ДП з діелектриком, що травиться , для односторонніх ДП з підвищеними ви- могами до надійності.ЕРЕ можна встановлювати з щілиною між поверхнею плат. Дорожчий від хімічного [9].
Недоліками субтрактивних методів с неможливість отримати провідни- ки вужче 150 мкм. а також великі відходи міді при травленні, але це не кри- тично, адже розрахована далі ширина провідників знаходиться в межах нор- ми [10].
6.2 Розрахунок мінімальної площі плати
Для розрахунку мінімальної площі друкованої плати необхідно врахува- ти розміри всіх елементів плати. малогабаритних, середньогабаритних та ве- ликогабаритних ЕРЕ.
Розрахунок мінімальної площі плати виконуються згідно формули (1)
[15]:
S=�2.+5�S=м�гcг1.5 Sвг1.2 S(6.1)
де Sмг —сумарна встановлювальна площа малогабаритних ЕРЕ; Sсг — сумарна встановлювальна площа середньогабаритних ЕРЕ; Sвг — сумарна встановлювальна площа великогабаритних ЕРЕ;
У таблиці 6 приведені розрахунки площі друкованої плати металошука-
ча.
| |
|
|
|
|
|
РВ21.468213.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
Таблиця 6 Площі елементів дркованої плати
З розрахованих розмірів площі плати обираємо її габарити згідно [16].
а=100; b=110;
S=a·b=100·110=11000мм�
6.3 Розрахунок діаметрів монтажних отворів та діаметрів контакт- них майданчиків
Для розрахунку діаметрів монтажних отворів., діаметрів або отворів ко- нтактних майданчиків використовують формулу (2)[15].
1
D = (d +∆+d�+)∆+2�∆b+ t+ 2+∆ t (T2 T2 t2 )2 (6.2),
min 0 в.о. в.о. т. рd. Dно. .
де ∆d в.о— верхнє граничне відхилення діаметру отвору;
| |
|
|
|
|
|
РВ21.468213.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
Назва
|
а_ел.
|
в_ел
|
Sел
|
Кіль
кість
|
S
|
H вис.
|
Atmega 8
|
13
|
38
|
495
|
1
|
495
|
5
|
X1-X3
|
8
|
3
|
24
|
3
|
72
|
0
|
BC546
|
5
|
5
|
25
|
4
|
100
|
5.2
|
IRFZ 44
|
13
|
7
|
91
|
1
|
91
|
10
|
LCD1206
|
81
|
37
|
3000
|
1
|
3000
|
12
|
HEF4066
|
13
|
21
|
273
|
1
|
273
|
5
|
TL074
|
13
|
21
|
273
|
1
|
273
|
5
|
lm7805
|
5.5
|
5.5
|
30.25
|
1
|
31
|
5
|
2N700
|
5.5
|
5.5
|
30.25
|
2
|
31
|
5
|
1N4148
|
10
|
5
|
50
|
2
|
100
|
5
|
1N5819
|
10
|
5
|
50
|
1
|
50
|
5
|
Res
0.125W
|
13
|
6
|
78
|
39
|
3050
|
5
|
Res 0.5W
|
16
|
7
|
112
|
2
|
225
|
5
|
Cap220
|
15
|
15
|
225
|
2
|
450
|
10
|
Capce
|
5
|
4
|
20
|
27
|
540
|
6
|
Сумарна площа
|
9000 мм2
|
∆tв.о— верхнє граничне відхилення діаметру контактного майданчика;
∆tтр— значення підтравлення діелектрику в отворі;
∆tн.о— нижнє граничне відхилення діаметру контактного майданчика та ширини друкованого провідника;
Td— значення позиційного допуску розташування осей отворів у діаме- тральному вираженні;
TD— значення позиційного допуску розташування центрів контактних майданчиків у діаметральному вираженні;
Розраховані за формулою (2) діаметри приведені у таблиці 12
Таблиця 7 Розрахунки параметрів елементів
| |
|
|
|
|
|
РВ21.468213.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
Найменування ЕРЕ
|
Діаметр виводу, мм
|
Діаметр отвору,мм
|
Діаметр контактно- го майданчика, мм
|
МК AVR
ATmega8
|
0,38
|
0,58
|
1,27
|
Резистор типу
С2-23(0.125-0.5)
|
0,6
|
0,8
|
1,4
|
Конденсатор елек- тролітичний
К50-35
|
0,8
|
1
|
1,7
|
Діод типу1N4148
|
0,46
|
0,66
|
1,3
|
Операційний під-
|
0,5
|
0,7
|
1,4
|
Таблиця 7 (Продовження)
| |
|
|
|
|
|
РВ21.468213.001 ПЗ
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
Найменування ЕРЕ Ді
|
аметр виводу,
мм
|
Діаметр отвору,мм
|
Діаметр контак- тного майдан-
чика, мм
|
Мікросхема цифро аналогових ключів типу
HEF4066
|
0,49
|
0,69
|
1,3
|
Керамічний кон- денсатор
типу К10-17
|
0,5
|
0,7
|
1,4
|
Польовий транзис- тор типу MOSFET
IFRZ 44
|
0,9
|
1,1
|
1,8
|
Транзистор BC 546
|
0,48
|
0,68
|
1,4
|
Транзистор 2N700
|
0,48
|
0,68
|
1,4
| |
|
|
Скачать 0.93 Mb.