РПЗ РЛ1. Блок управления модулятором
 Скачать 429.87 Kb.
|
  Министерство общего и профессионального образования Российской ФедерацииМосковский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э. БАУМАНАФакультетРЛМ Кафедра РЛ1 РАСЧЕТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКАк курсовой работе на тему: Блок управления модулятором твердотельного лазера Студент(Карев А.В.) Группа РЛ2-63 (фамилия, инициалы) (индекс) Руководитель проекта ( Глотов А.Н. ) (фамилия, инициалы) 2011 г. Содержание расчётно-пояснительной записки
§1. Техническое задание Спроектировать систему управления модулятором добротности лазера с импульсной модуляцией добротности. Параметры выходных импульсов:
§2. Выбор и обоснование блок-схемы системы управления Лазер с импульсной модуляцией добротности состоит из системы управления модулятором (СУМ): генератора строба задержки первого импульса; генератора строба работы импульсного модулятора при использовании режима регуляризации пичковой структуры излучения; генератора импульсов управления (подмодулятора); согласующего каскада (усилитель, обостритель); усилителя мощности; собственно лазера. Импульсный режим работы лазера (по накачке) определяет и особенности управления электрооптическим или же другим типом модулятора добротности. Достаточный уровень усиления активной среды достигается через некоторое, вполне определённое время. Поэтому необходимо задержать первый импульс модуляции добротности на время задержки запуска первого импульса модуляции добротности, что осуществляет генератор строба задержки. Он может быть построен по схеме ждущего мультивибратора. По этой же схеме может быть построен и генератор строба работы. Временные диаграммы работы лазера в режиме пачки импульсовА. Импульс запуска накачки  Б. Строб задержки первого импульса модуляции добротности  В. Строб работы в режиме «пачки» импульсов  Г. Импульсы модуляции  §3. Расчёт первого ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (строб задержки)  Рис. 3.1. Мультивибратор с эмиттерной связью в данной схеме (Рис. 3.1.) применяется как ждущий генератор импульсов прямоугольной формы с заданной длительностью. В данной схеме запуск производится от генератора прямоугольных импульсов Vpulse импульсом амплитудой 2 [В] и длительностью 0.5 [мкс]. В исходном состоянии транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 открыт и находится в режиме насыщения, что достигается выбором сопротивлений R1, R2, Re. Конденсатор С заряжен до максимального значения. При поступлении запускающего импульса происходит опрокидывание схемы, в результате чего VT2 закрывается, а VT1 переходит в режим насыщения. В наступившем неустойчивом состоянии происходит разряд конденсатора частью коллктроного тока транзистора VT1, протекающего через сопротивление R, источник напряжения VEK, и сопротивление Re. При разрядке конденсатора происходит снижение потенциала базы транзистора VT2 по экспоненциальному закону, после чего происходит возврат схемы в начальное состояние. Исходные данные для расчёта схемы ждущего мультивибратора.
Определяем параметры схемы. Коллекторное напряжение определяется из условия, что  .Выбираем  .Выберем транзистор КТ31Д.
Величина сопротивления  определяется из следующих условий ;. Выберем  .При этом для обеспечения амплитуды выходного импульса коллекторный ток равен:  .Величину сопротивления  рассчитываем так: .Сопротивление  равно: .Времязадающее сопротивление  для коэффициента глубины насыщения  рассчитывается, исходя из условия насыщения второго транзистора в исходном состоянии: .Времязадающую ёмкость  определяем: .Сопротивления делителей  и  определяются из условия запирания первого транзистора в начальном состоянии: . .Уточнение величины восстановления схемы, определяется временем заряда конденсатора:  .Уточнение величины амплитуды напряжения:  .После тестирования и подгонки схемы методами САПР получены следующие значения элементов схемы:  ,  ,  ,  ,  ,  ,  .§4. Расчёт второго ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (строб работы)  Рис. 4.1. Запуск второго мультивибратора (Рис. 4.1.) происходит при помощи положительного импульса на коллекторе первого транзистора, который после дифференцирования при помощи дифференцирующей цепочки с маленькой постоянной времени цепи даёт скачок напряжения на сопротивлении  , что обеспечивает смену состояния на транзисторах. В схеме запуска присутствует диод, что позволяет запустить мультивибратор только по заднему фронту импульса с первого мультивибратора.Исходные данные для расчёта схемы ждущего мультивибратора.
Определяем параметры схемы. Коллекторное напряжение определяется из условия, что  .Выбираем  .Тип транзистора определяем из следующих условий: А.  .Б. условие минимальной длительности импульсов:    ;  .Выберем транзистор КТ315А.
Величина сопротивления определяется из следующих условий ; .Выберем  .При этом для обеспечения амплитуды выходного импульса коллекторный ток равен:  .Величину сопротивления рассчитываем так: .Выберем  .Сопротивление равно: .Выбираем  .Времязадающее сопротивление для коэффициента глубины насыщения рассчитывается, исходя из условия насыщения второго транзистора в исходном состоянии: .Принимаем  .Времязадающую ёмкость определяем для  , так как  : .Выбираем  .Сопротивления делителей и определяются из условия запирания первого транзистора в начальном состоянии: .Выбираем  . .Выбираем  .Уточнение величины восстановления схемы, определяется временем заряда конденсатора:  .Уточнение величины амплитуды напряжения:  .После тестирования и подгонки схемы методами САПР получены следующие значения элементов схемы:  ,  ,  ,  ,  ,  ,  .§5. Расчёт первого транзисторного ключа В исходном состоянии транзистор находится в режиме отсечки под действием входного запирающего напряжения. При поступлении на вход в момент времени t=t1 перепада отпирающего напряжения эмиттерный переход транзистора смещается в прямом направлении, а базовый ток(и эммитерный) скачкообразно достигает значения. Коллекторный ток в соответствии с переходной характеристикой транзистора будет нарастать. Эмиттерный, коллекторный,базовый токи и междуэлектродные напряжения остаются практически неизменными. В области базы происходит накопление избыточного заряда неравновесных носителей. В определенный момент времени на вход системы подается запирающее напряжение. Процесс размыкания ключа состоит из стадии рассасывания избыточного заряда неравновесных носителей и стадии закрывания транзистора. В момент окончания стадии рассасывания транзистор входит в активную область и начинается процесс его закрывания. Произведем расчет схемы ключа с резистивно-емкостной связью. Ключ нагружен на сопротивление R и емкость C. Управление ключом осуществляется отрицательными импульсами от источника с выходным сопротивлением R. В результате расчета должны быть определены величины элементов связи R,R,С, Eб, а также время отключения и выключения ключа. Параметры цепи связи нужно выбрать так, чтобы удовлетворялись условия работоспособности ключва. Ключ должен быть разомкнут при низком уровне управляющего напряжения и замкнут при высоком.  Рис. 5.1. §6. Расчет автоколебательного мультивибратора  Рис. 7.1. Мультивибраторы с коллекторно-базовыми связями широко применяются в импульсных устройствах как генераторы импульсов почти прямоугольной формы. Полный цикл автоколебательного процесса в мультивибраторе состоит из двух полупериодов колебаний. В симметричном мультивибраторе длительности полупериодов одинаковы. Длительность каждого полупериода определяется временем разряда конденсатора, включенного в цепь базы закрытого транзистора. Разряда конденсатора осуществляется через открытый транзистор, режим которого выбирают со степенью насыщения s=1.2-2.При таком режиме обеспечивается хорошая форму и стабильность амплитуды импульсов и не наблюдается срыва колебаний. Уменьшение величины сопротивлений Rб при заданной степени насыщения транзисторов приводит к уменьшению величины коллекторных сопротивлений Rк, следовательно, к повышению потребляемой мультивибратором мощности. Схема мультивибратора имеет свойства автоколебательной системы с жестким режимом возникновения колебаний. Это означает, что в схеме возможно статической равновесное состояние, при котором оба транзистора находятся в насыщении, и для перевода системы в режим релаксационных колебаний необходим внешний пусковой импульс. Существенным недостатком схемы мультивибратора является большая длительность отрицательных фронтов коллекторного напряжения, в связи с протеканием через коллекторные сопротивления зарядных токов. §7. Расчёт второго транзисторного ключа.  Рис. 6.1. Для запирания транзистора VT1 в контуре ударного возбуждения, необходимо подать отрицательный импульс на базу этого транзистора. Так как запускающим устройством является второй ждущий мультивибратор, а запускающее напряжение снимается с коллектора второго трвнзистора, то необходимо предусмотреть инвертор фазы на 180 гр. Это можно осуществить через ключ. Определение параметров ключа. Условие запирания транзистора VT1 в исходном режиме определяется  .Обычно напряжение запирания выбирают в пределах:  .Ключ должен быть разомкнут при низком уровне управляющего напряжения, т.е при  и замкнут при высоком  .Выберем транзистор КТ315А.
Так как  , то, следовательно,  .Выберем  .Для надёжного запирания транзистора принимаем  .Тогда  , где сопротивление  рассчитывается по формуле  .Рассчитаем сопротивление  по формуле .Откуда получаем, что сопротивление принимает следующее значение  .Выбираем  . .Выбираем  .После тестирования схемы и подгонки номинальных значений элементов получены следующие значения элементов:  ,  ,  .§8. Приложение А. Входные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А.  Б. Выходные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А.  В. Входные вольтамперные характеристики транзистора КТ604А.  Г. Выходные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А.  Д. Прямая ветвь ВАХ диода Д2Д212А  Е.Обратная ветвь ВАХ диода Д2Д212А  §9. Список литературы «Расчёт элементов импульсных и цифровых схем радиотехнических устройств» под ред. Казаринова Ю.М. – М.: Высшая школа, 1976 год. «Полупроводниковые приборы» Галкин В.И., Булычёв А.Л., Прохоренко В.А. – Беларусь, 1979 год. «Полупроводниковая схемотехника» Титце У., Шенк К. – М.: Мир, 1983 год. Под ред. Горюнова Н.Н. Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1985 год. Под ред. Голомедова А.В. Справочник. Полупроводниковые приборы. – М.: Радио и связь, 1988 год. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
, мкс
, мкс
, мкс
, мкс
, мкс
, кГц
, В
, кОм
, пФ
, В
, мкс
, мкс
, мкс
