ЛекцииМП. Эвм получили широкое распространение, начиная с 50х годов. Прежде это были очень большие и дорогие устройства, используемые лишь в государственных учреждениях и крупных фирмах
 Скачать 0.63 Mb.
|
МНОП транзисторНа рис. 4.3 приведена конструкция МНОП транзистора (металл-нитрид кремния-оксид кремния-полупроводник). Эффект памяти основан на изменении порогового напряжения транзистора при наличии захваченного в подзатворном диэлектрике положительного или отрицательного заряда, который хранится на глубоких (1.3-1.5 эВ) ловушках, в нитриде кремния вблизи границы SiO2-Si3N4.  Рис. 4.3. Конструкция МНОП транзистора: 1 - металлический затвор; 2,3 - области истока и стока соответственно; 4 - подложка. Запись информационного заряда происходит так же, как и в МОП транзисторе с плавающим затвором. Высокая эффективность захвата электронов (или дырок) связана с большим сечением захвата на ловушки (порядка 10-13 кв.см.) и большой их концентрации (порядка 1019 куб.см.).  Рис. 4.4. Операция записи в МНОП-структуре (зонная диаграмма). Ток в окисле Jox - туннельный ток инжекции, ток JN - ток сквозной проводимости в нитриде. В случае прямого туннелирования электронов в зону проводимости SiO2 сквозь треугольный барьер плотность тока определяется уравнением Фаулера-Нордгейма  , где A - константы, Е - напряженность электрического поля. По мере накопления заряда поле на контакте уменьшается, что приводит к уменьшению скорости записи. Эффективность записи зависит также и от тока сквозной проводимости в нитриде. Стирание информации (возврат структуры в исходное состояние) может осуществляться: ультрафиолетовым излучением с энергией квантов более 5.1 эВ (ширина запрещенной зоны нитрида кремния) через кварцевое окно; подачей на структуру импульса напряжения, противоположного по знаку записывающему. В соответствии с ГОСТом такие ИМС имеют в своем названии литеры РФ и РР соответственно. Время хранения информации в МНОП транзисторе обусловлено термической эмиссией с глубоких ловушек и составляет порядка 10 лет в нормальных условиях. Основными факторами, влияющими на запись и хранение заряда, являются электрическое поле, температура и радиация. Количество электрических циклов "запись-стирание" обычно не менее 105. Оперативные запоминающие устройстваПолупроводниковые ЗУ подразделяются на ЗУ с произвольной выборкой и ЗУ с последовательным доступом. ЗУПВ подразделяются на: статические оперативные запоминающие устройства (СОЗУ); динамические оперативные запоминающие устройства (ДОЗУ). ЗУ с последовательным доступом подразделяются на: регистры сдвига; приборы с зарядовой связью (ПЗС). В основе большинства современных ОЗУ лежат комплиментарные МОП ИМС (КМОП), которые отличаются малой потребляемой мощностью. Это достигается применением пары МОП транзисторов с разным типом канала: n-МОП и p-МОП. Как видно на рис. 4.5, в КМОП инверторе как при низком, так и при высоком уровне сигнала на входе один из транзисторов закрыт. Поэтому потребление энергии происходит только при переключении "1"R"0" (и обратно).  Рис. 4.5. Схема КМОП инвертора. Чтобы реализовать на подложке n-типа не только p-канальный транзистор, но и n-канальный, последний изготавливается в так называемом "кармане", как показано на рис. 4.6  Рис. 4.6. Конструкция инвертора на КМОП транзисторах. Аналогично на четырех МОП транзисторах (2 n-МОП и 2 p-МОП, включенных параллельно и последовательно) можно построить и другие базовые логические элементы "И" и "ИЛИ" и, соответственно, на их основе строятся все другие более сложные логические схемы. Как известно, быстродействие МОП транзисторов в первую очередь ограничивается большой входной емкостью затвор-исток (подложка). Уменьшение геометрических размеров приборов (площади затвора и длины канала) при увеличении степени интеграции увеличивает граничную частоту. Малое потребление энергии позволяет использовать КМОП ИМС с питанием от микробатареи как ПЗУ, где располагается часть операционной системы, которая осуществляет начальную загрузку всей системы (программа Setup). |