Главная страница
Навигация по странице:

  • ФИЗИКА

    		•

    Лабораторные работы 6.5 - 6.10. Исследование эффекта холла в полупроводниках


    Скачать 112.85 Kb.
    НазваниеИсследование эффекта холла в полупроводниках
    Дата14.03.2022
    Размер112.85 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛабораторные работы 6.5 - 6.10.docx
    ТипИсследование
    #395377
    страница4 из 4
    1   2   3   4

    Таблица 3- Некоторые свойства металлов
    Атомный вес
    Плотность, г/см3
    Температурный коэффициент,

    , град-1

    Алюминий, Al
    27,0
    2,7
    0,004

    Вольфрам, W
    184,0
    19,3
    0,005

    Константан, (Cu-60%, Ni-40%)






    2·10-5

    Латунь, (Cu-60%, Zn-40%)






    0,001

    Манганин, (Cu-85%, Mn-12%, Ni-

    3%)






    3·10-5

    Медь, Cu
    64,0
    8,9
    0,004

    Никелин, (Cu-65%, Ni-34%, Mn-1%)






    10-4

    Нихром, (Ni-65%, Cr-16%, Fe-17%,

    Mn-1%)






    10-4

    Платина, Pt
    195,0
    21,5
    0,004

    Никель, Ni
    59,0
    8,6
    -

    Ртуть, Hg
    201,0
    13,6
    9·10-4

    Серебро, Ag
    108,0
    10,5
    0,004

    Свинец, Hb
    207,0
    11,3
    0,004

    Цинк, Zn
    65,0
    7,8
    0,004

    Хром, Cr
    52,0
    7,1
    -

    Железо, Fe
    56,0
    7,8
    0,006

    Марганец, Mn
    55,0
    7,3
    -


    47


    Таблица 4 Некоторые свойства полупроводников при Т=300 К


    Тип полупровод- ника
    Ширина за- прещенной зо-

    ны1) , эВ
    Эффектив- ная масса элек-

    *

    тронов1), mn /me
    Эффективная масса дырок1),

    *

    mp /me
    Подвиж- ность электро-

    нов1), n, м2/(В·с)
    Подвиж- ность дырок1),

    p, м2/(В·с)
    Постоянная времени2), n , p , с
    Диэлектриче- ская проницае-

    мость, 

    Антимонид индия,

    InSb
    0,17
    0,014
    0,40
    8,0
    0,12
    10-6
    17,7

    Арсенид индия, InAs
    0,43
    0,023
    0,41
    3,30
    0,46
    10-7
    15,0

    Антимонид галлия,

    GaSb
    072
    0,042
    0,40
    0,50
    0,85
    10-8
    15,7

    Германий, Ge
    0,66
    0,82
    0,40
    0,39
    0,19
    10-6
    16,0

    Кремний, Si
    1,12
    0,19
    0,16
    0,15
    0,045
    10-6
    11,9

    Фосфид индия, InP
    1,35
    0,077
    0,64
    0,46
    0,015
    10-6
    12,4

    Арсенид галлия, GaAs
    1,42
    0,067
    0,082
    0,85
    0,040
    10-7
    13,1

    Фосфид галлия, GaP
    2,26
    0,82
    0,60
    0,011
    0,0075
    10-6
    11,6

    Карбид кремния, SiC
    3,00
    0,60
    1,00
    0,040
    0,0050
    10-4
    10,0

    ПРИМЕЧАНИЕ:

    1) С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.2., М., “Мир”, 1984 г.

    2) Ориентировочно

    ЛИТЕРАТУРА





    1. Ансельм А.И. Введение в физику полупроводников. М., 1978, 616 с.

    2. Бонч – Бруевич В.Л, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., 1977, 678 с.

    3. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики: Учебное пособие для вузов., Изд. 2-е, испр. и доп. – М.: Высш. шк., 1999, 718 с.

    4. Савельев И.В. Курс общей физики. Учебное пособие для втузов., Т. 1, 2, 3., М.: Наука, 1988 (или любое издание др. года).

    5. Трофимова Т.И. Курс физики., 6-е изд., стер. – М.: Высш. шк., 1999, 542 с.

    6. Трофимова Т.И., Павлова З.Г. Сборник задач по курсу физики с реше- ниями, М.: Высшая школа, 1999, 591 с.


    В.М. Татарников, Т.А. Лисейкина, В.В. Хайновская

    ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
    М е т о д и ч е с к и е у к а з а н и я

    к л а б о р а т о р н о м у п р а к т и к у м у п о ф и з и к е



    Редактор: А.П. Шерстяков Корректор: О.С. Шкитина

    Лицензия РЛ №020475

    Подписано в печать . Формат бумаги 62х84/16 Бумага писчая №1. Уч. Изд. Л. . Тираж 300

    Типография СибГУТИ, Кирова, 86.





    1   2   3   4

    написать администратору сайта