Главная страница
Навигация по странице:

  • (РОСАВИАЦИЯ) ФГБОУ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ» Дисциплина: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

  • Контрольные вопросы 2. Биполярные транзисторы. Схема с общей базой

  • Выходные ВАХ транзистора с общей базой

  • 14. Основные характеристики усилителей

  • Задание на работу

  • ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. Электроника и электротехника за 1 курс. Контрольная работа 2. Вариант 00 студент 1 курса Заочный факультет толаад 09180276 Подольский А. Ю


    Скачать 90.07 Kb.
    НазваниеКонтрольная работа 2. Вариант 00 студент 1 курса Заочный факультет толаад 09180276 Подольский А. Ю
    АнкорЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА
    Дата17.04.2021
    Размер90.07 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЭлектроника и электротехника за 1 курс.docx
    ТипКонтрольная работа
    #195570

    ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА

    (РОСАВИАЦИЯ)

    ФГБОУ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ»

    Дисциплина: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

    Контрольная работа №2. Вариант №00

    Выполнила:

    студент 1 курса

    Заочный факультет

    ТОЛААД 0918-0276

    Подольский А.Ю


    Санкт-Петербург

    2021

    Контрольные вопросы

    2. Биполярные транзисторы. Схема с общей базой



    Рис. 1. Схема включения с общей базой

    Входные ВАХ транзистора с общей базой:



    Рис. 2. Пример входных ВАХ транзистора с общей базой

    Входные характеристики здесь в значительной степени определяются характеристикой открытого эмиттерного p - n -перехода, поэтому они аналогичны ВАХ диода, смещенного в прямом направлении.

    Сдвиг характеристик влево при увеличении напряжения uКБ обусловлен так называемым эффектом Эрли (эффектом модуляции толщины базы), заключающимся в том, что при увеличении обратного напряжения uКБ коллекторный переход расширяется, причем в основном за счет базы.

    При этом толщина базы как бы уменьшается, уменьшается ее сопротивление, что приводит к уменьшению падения напряжения uБЭ при неизменном входном токе.

    Выходные ВАХ транзистора с общей базой:



    Рис. 3. Пример выходных ВАХ транзистора с общей базой
    Из рисунка видно, что ток коллектора становится равным нулю только при uКБ < 0, то есть только тогда, когда коллекторный переход смещен в прямом направлении. При этом начинается инжекция электронов из коллектора в базу.

    Эта инжекция компенсирует переход из базы в коллектор электронов эмиттера. Данный режим называют режимом насыщения. Линии в области uКБ < 0, называются линиями насыщения.

    Ток коллектора становится равным нулю при uКБ < -0,75 В. При uКБ >0 и токе эмиттера, равном нулю, транзистор находится в режиме отсечки, который характеризуется очень малым выходным током, равным обратному току коллектора IК0, то есть график ВАХ, соответствующий iЭ = 0, практически сливается с осью напряжений.
    14. Основные характеристики усилителей

    Усилители постоянного тока (УПТ) — называют такие устройства, которые могут усиливать медленно изменяющиеся электрические сигналы, то есть они способны усиливать и переменные и постоянные составляющие входного сигнала. Усилители постоянного тока имеют много разновидностей (дифференциальные, операционные, усилители с преобразованием входного сигнала и др.).

    Основными характеристиками усилителя являются:

    1) амплитудная характеристика Uвых = f (Uвх), называемая также характеристикой вход-выход.

    Для усилителей такая зависимость передаточной характеристикой НЕ называется.

    Амплитудная характеристика снимается в установившемся режиме работы чаще всего при подаче на вход синусоидального, а иногда – медленно изменяющегося сигнала. Рабочим участком характеристики является её практически линейный участок при Uвх  Uвх.макс ;

    2) амплитудно-частотная характеристика (АЧХ), представляющая собой зависимость модуля коэффициента усиления от частоты f или  = 2f ;

    3) фазочастотная характеристика (ФЧХ), иногда называемая просто фазовой характеристикой, представляет собой зависимость угла сдвига по фазе выходного сигнала относительно входного  от частоты ;

    АЧХ и ФЧХ называются частотными характеристиками усилителя, обычно при их построении частота откладывается в логарифмическом масштабе, т.е. по оси частот  в равномерном масштабе откладывается lg . При этом низкочастотная область характеристик растягивается по оси частот, а высокочастотная область сжимается.

    Задание на работу

    1. Графоаналитический расчёт однокаскадного транзисторного усилителя высокой частоты.

    Исходные данные:

    – Транзистор типа 2Т 301А;

    – Постоянная составляющая тока базы Iб0 = 200 мкА;

    – Амплитуда переменной составляющей тока базы Imб = 50 мкА;

    – Индуктивность контура L;

    – Частота принимаемого сигнала f0;

    – Активное сопротивление катушки индуктивности R;

    – Напряжение питания цоллекторной цепи Ek.

    Примечание. Численные значения L, f0, R, Ek взять из таблиц 2, 3, 4.

    Требуется:

    – Начертить принципиальную схему однокаскадного транзисторного усилителя высокой частоты с общим эммитером, объяснить назначение элементов схемы и принципы усиления транзисторного усилителя;

    – Определить емкость колебательного контура С, эквивалентное сопротивление контура Rэ, полосу пропускания . Изобразить примерную резонансную характеристику параллельного контура;

    – По выходным характеристикам транзистора определить амплитуду переменной составляющей тока коллектора Imk, амплитуду выходного напряжения Umk;

    – Вычислить коэффициент усиления каскада по току Ki;

    – По входным характеристикам транзистора определить амплитуду входного напряжения Umб;

    – Вычислить коэффициент усиления каскада по напряжению Ku и по мощности Kp.

    Расчеты производить без учета влияния предыдущего и последующего каскадов.

    f0 = 1.05 МГц

    R = 10 Ом

    L = 20 мкГн

    E = 6 В
    Решение:





    Рисунок 3 – Электрическая схема усилителя высокой частоты

    1. Рассчитать параметры колебательного контура:

    – Емкость С колебательного контура найти из условия настройки контура в резонанс с частотой f0



    – Эквивалентное сопротивление параллельного колебательного контура на резонансной частоте



    – Полоса пропускания контура



    1. Определить положение рабочей точки на выходных характеристиках транзистора. Для этого отложить на оси абсцисс величину Uk = Eк = 6 В.

    2. При пересечении перпендикуляра к оси абсцисс из точки Uk = 6 В с характеристикой Ik = (Uk) при Iб = Iб0 найти рабочую точку С с координатами Iко = 3,4 мА. (Рис. 1)


    Для определения второй характерной точки D на оси абсцисс найти значение





    Провести нагрузочную прямую через точки С и D. При пересечении нагрузочной прямой с выходной характеристикой Iб = Iб0 – Iбmax = 150 – 50 = 100 мкА найти точку В, а при пересечении нагрузочной прямой с выходной характеристикой для Iб = Iб0 + Iбmax = 150 + 50 = 200 мкА – точку А, координаты которых характеризуют изменение тока коллектора и напряжения на коллекторе при изменении тока базы на 50 мкА.

    Найти амплитуду переменной составляющей тока коллектора



    1. Определить амплитуду выходного сигнала



    Для определения амплитуды входного сигнала обратиться к входным характеристикам транзистора Iб = (Uб) при Uk = const . На характеристике Iб = (Uбэ) при Ukэ = 12.52 В найти положение рабочей точки С при Iб = 150 мкА и положения точек: Р при Iб = 100 мкА и N при Iб = 200 мкА.

    Определить изменение напряжения Uбэ при изменении тока базы от 100 до 200 мкА, Uбр = 1020 мВ, UбN = 810 мВ. Амплитуда входного сигнала





    1. Рассчитать для однокоскадного транзисторного УВЧ коэффициенты усиления:

    – По току


    – По напряжению



    – По мощности



    написать администратору сайта