Главная страница
Навигация по странице:

  • Муромский институт (филиал)

  • Копия фоэ Богатов. Контрольная работа по дисциплине Физические основы электроники Руководитель Ромашов В. В


    Скачать 146 Kb.
    НазваниеКонтрольная работа по дисциплине Физические основы электроники Руководитель Ромашов В. В
    Дата08.01.2019
    Размер146 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаКопия фоэ Богатов.doc
    ТипКонтрольная работа
    #62801


    Министерство образования и науки Российской Федерации

    Муромский институт (филиал)

    федерального государственного бюджетного образовательного учреждения

    высшего профессионального образования

    «Владимирский государственный университет

    имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых»

    (МИ (филиал) ВлГУ)

    Факультет: ФРЭКС

    Кафедра: радиотехники


    КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА



    По дисциплине: Физические основы электроники

    Руководитель

    Ромашов В.В.

    (line 6фамилия, инициалы)
    ___________________

    (подпись) (дата)
    Сline 7тудент РТз-114

    (группа)

    line 8Исупов А.Л.

    (фамилия, инициалы)
    ___________________

    (подпись) (дата)

    Муром, 2015 год


    Содержание



    1 Расчет параметры полупроводникового диода по вольт-амперной характеристике

    3

    2 Расчет рабочих характеристик диода с последовательно и параллельно соединенным резистором

    4

    3 Расчет параметров стабилитрона по вольт-амперной характеристике

    5

    4 Расчет h-параметров биполярного транзистора по вольт-амперным характеристикам

    6










































































    1 Расчет параметров полупроводникового диода по вольт-амперной

    характеристике



      1. Определение прямого и дифференциального сопротивлений диода

    Прямое сопротивление диода

    Rпр= Uпр/Iпр= 0,35/0,1= 3,5 Ом

    Обратное сопротивление диода

    Rобр= Uобр/Iобр= 20/0,07= 28,5 Ом

    Дифференциальное прямое сопротивление диода

    ∆Uпр=0,45-0,35=0,1 В

    ∆Iпр=0,4-0,1=0,3 А

    Rдиф.пр=∆Uпр/∆Iпр=0,3/0,2=0,33 Ом

    Дифференциальное обратное сопротивление диода

    ∆Uобр=100-20= 80В

    ∆Iобр=0,11-0,7=0,04 А

    Rдиф.обр=∆Uобр/∆Iобр=80/0,04=200Ом

    2 Расчет рабочих характеристик диода с последовательно и

    параллельно соединенным резистором.




    1. Сопротивление резистора 10 Ом

    Ir= Ur/R= 1/10= 0,100 А


    1. При последовательном соединении Ux= Ur+Uд

    2. При параллельном соединении Ix= Ir+Iд


    3 Расчет параметров стабилитрона по вольт-амперной характеристике



    Минимальный ток стабилизации:

    Imin= 0,2А

    Максимальный ток стабилизации:

    Imax= 0,8 А

    Номинальный ток стабилизации:

    Iном= (Imin+Imax)/2= (0,2+0,8)/2= 0,5 А

    Минимальное напряжение стабилизации:

    Umin= 1 B

    Максимальное напряжение стабилизации:

    Umax= 8 B

    Номинальное напряжение стабилизации:

    Uном= (Umin+Umax)/2= (1+8)/2= 4,5B

    Дифференциальное сопротивление на участке стабилизации:

    Rст= ∆U/∆I= (Umax-Umin)/(Imax-Imin)= (8-1)/(0,8-0,2)= 11,6 Ом


    4 Расчет h-параметров биполярного транзистора по вольт-амперным характеристикам




    Входное сопротивление:

    h11 = ∆Uбэ/∆Iб= (1-0,1)/0,002= 450 Ом
    Коэффициент передачи по току :

    h21 = ∆Iк/∆Iб= (0,22-0,01)/0,002= 0,21
    Выходная проводимость :

    h22 = ∆Iк/∆Uкэ= (0,022-0,018)/(8-4)= 1 мСм






    написать администратору сайта