Мостовой УНЧ ПЗ. Курсовой проект 3 Введение 4 Анализ технического задания 6 Построение структурной схемы усилителя 8

• Название: Курсовой проект 3 Введение 4 Анализ технического задания 6 Построение структурной схемы усилителя 8
• Дата: 09.02.2019
• Размер: 0.73 Mb.
• Имя файла: Мостовой УНЧ ПЗ.doc
• Тип: Курсовой проект; #67000

Содержание

Задание на курсовой проект 3

Введение 4

1. Анализ технического задания 6

2. Построение структурной схемы усилителя 8

3. Выбор принципиальной электрической схемы

оконечного каскада и режима работы его транзисторов 11

4. Расчёт схемы предоконечного каскада 19

5. Построение схемы электрической принципиальной 23

6. Распределение заданных частотных искажений по цепям и

каскадам усилителя 24

7. Заключение 25

8. Список литературы 26

Приложения

Задание на курсовой проект

Вариант №1.

Номинальная выходная мощность на нагрузке Р_Н = 23 Вт.

Сопротивление нагрузки R_H = 10 Ом.

Диапазон рабочих частот:

нижняя граничная частота f_H = 50 Гц;

верхняя граничная частота f_В = 4 кГц;

Амплитуда номинального входного напряжения U_{BX M} = 150 мВ.

Входное сопротивление усилителя R_BX = 160 кОм.

Напряжение однополярного источника питания Е_П = 36 В.

Коэффициент частотных искажений:

на нижней граничной частоте М_H ≤ 3 дБ;

на верхней граничной частоте М_В ≤ 3 дБ;

Интервал рабочих температур:

минимальная температура Т_МИН = -30⁰С;

максимальная температура Т_МАКС = +50⁰С;

Введение

Усилительным устройством, или усилителем, называется устройство, предназначенное для увеличения мощности электрических колебаний (сигналов) различных видов с сохранением их формы. Процесс усиления является частным случаем процесса управления энергией в мощной цепи – выходной цепи усилительного элемента (УЭ) – с помощью небольшой энергии источника (генератора) сигнала, затрачиваемой в управляющей, входной цепи УЭ. В качестве управляющего элемента используются различные УЭ: электронные лампы, полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы, приборы СВЧ–электроники.

Усилительные устройства находят применение в самых различных областях науки, техники и производства, являясь либо самостоятельными устройствами, либо частью сложных приборов и систем. Они широко используются в радиотехнике, телевидении, в радиосвязи и радиовещании, радиолокации, телеметрии, кинематографии, устройствах записи и воспроизведения звука, дальней проводной связи, измерительной аппаратуре, а также в телемеханике, автоматике, электронно-вычислительных машинах, аппаратуре исследования космического пространства и т.д.

Техника усиления электрических сигналов непрерывно развивается. Это связано в первую очередь с развитием и совершенствованием радиоэлектроники и микроэлектронных технологий, разработкой новых усилительных приборов. Появление новых полупроводниковых приборов и технологических процессов позволило объединить множество транзисторов, диодов, резисторов в одно устройство – интегральную микросхему (ИМС).

В тоже время не утратили актуальность и многие проблемы проек­тирования усилителей на дискретных элементах, в которых в качестве усилительного элемента используют транзистор. Умение проектировать усилители на таких элементах позволяет решать многие схемотехнические задачи, возникающие при проектировании и использовании ИМС.

Усилительноеустройство характеризуется рядом технических по­казателей. В зависимости от того, какие из показателей считают основными, формулируются требования к проектированию усилителей и выбираются способы их технической реализации. К основным показателям обычно относятся: коэффициент усиления, амплитудно- (АЧХ) и фазочастотные (ФЧХ) характеристики, коэффициент нелинейных искажений, уровень помех, чувствительность, устойчивость, входное и выходное сопротивления. Спроектированное устройство должно удовлетворять определенному сочетанию упомянутых показателей. Как правило, требования к этим показателям формулируются в техническом задании (ТЗ) на проектирование.

1. Анализ технического задания

Оконечный каскад (OK) выполним на транзисторах. Выберем схему оконечного каскада, учитывая требуемую мощность Р_Н, сопротивление нагрузки R_H, напряжение источника питания Е_П.

Оконечные каскады усилителей мощностью более 0,2 Вт выполняются обычно по двухтактной схеме, обеспечивающей возможность работы транзисторов в режиме В или близком к нему АВ с высоким коэффициентом полезного действия (КПД).

В настоящее время наибольшее распространение получили бестрансформаторные усилители. Эти усилители имеют гораздо меньшие габаритные размеры и массу, чем трансформаторные. В них отсутствуют частотные и нелинейные искажения, а также потери мощности сигнала, обусловленные работой трансформатора. Однако в таких схемах не всегда удается согласовать выходное сопротивление усилителя с заданным сопротивлением нагрузки. Трансформаторные схемы, в отличие от бестрансформаторных, позволяют практически любую нагрузку преобразовать в оптимальную для данного усилительного каскада и поэтому в некоторых случаях имеют преимущество перед бестрансформаторными.

Так как в нашем случае задано Е_П, следует проверить возможность получения необходимой мощности в нагрузке при использовании бестрансформаторного оконечною каскада. Для такого каскада амплитуда выходного напряжения U_{ВЫХ М} связана с Е_П

U_{ВЫХ М} = Е_П /2 - U_НАЧ

где U_НАЧ - начальное (или остаточное) напряжение на транзисторе. На этапе предварительного расчета следует взять U_НАЧ = (0,5 - 1)В. Тогда на заданной нагрузке может быть получена мощность:

Р_ВЫХ = U²_{ВЫХ М} / (2 R_H) = (Е_П /2 - U_НАЧ)²/(2 R_H)=

=(36/2-1)²/(2·10)=14,45 Вт

Так как полученная по оценкам Р_ВЫХ меньше требуемого по заданию значения, т.е. Р_ВЫХ < Р_H следует использовать трансформаторную схему оконечного каскада.

Но, единственное достоинство трансформаторных оконечных каскадов, получение увеличенной мощности при ограниченном напряжении источника питания решается применением мостовой схемы.

2. Построение структурной схемы усилителя

В мостовой схеме два выходных каскада включаются в противофазе и работают на общую нагрузку, которая включается между каскадами (рис. 1).



Рисунок 1. Мостовая схема оконечного каскада

Нагрузка может подключаться к мостовой схеме непосредственно даже при однополярном питании, поскольку потенциал покоя обоих выходов одинаков. Таким образом, каждый из каскадов мостовой схемы работает на нагрузку R_H/2. Выходное напряжение на нагрузке и ток в нагрузке оказывается вдвое больше, чем напряжение каждого каскада относительно земли. Следовательно, при одном и том же напряжении питания выходная мощность на нагрузке получается в четыре раза большей.

На рис. 2 поясняется принцип действия мостовой схемы. Когда уровень входного сигнала максимален (первая полуволна на рис. 2), открыт транзистор VT1 и транзисторVT4, управляющийся сигналом, повернутым по фазе на 180°, т.е. всё напряжение питания, приложено к нагрузке. В следующий момент времени (вторая полуволна) при максимальном значении сигнала открыты транзисторы VT2 иVT3, иными словами, к нагрузке опять приложено все напряжение питания, но другими полюсами, что приводит к изменению направления протекающего тока на противоположное.



Рисунок 2. Мостовая схема оконечного каскада
Рассмотрим основные виды мостовых схем: мостовая схема последовательного возбуждения (рис. 3, а) и её модификация (рис. 3, б).

а

б

Рисунок 3. Мостовые схемы последовательного возбуждения

Недостатком приведенных схем является то, что на инвертирующие усилители сигнал подается с искажениями, которые вносит предшествующий неинвертирующий усилитель. Этого недостатка лишена мостовая схема с параллельным способом подключения сигнала (рис. 4).



Рисунок 4. Мостовая схема с параллельным способом подключения сигнала
Здесь, оба плеча мостовой схемы получают сигнал одновременно. ОУ1 работает как неинвертирующий, ОУ2 – как инвертирующий. Применим данное построение входных каскадов мостовой схемы.

Между выходами ОУ и нагрузкой включим оконечный каскад. Мощность снимаемая с каждого плеча моста в два раза меньше требуемой, то есть равна Р_Н = 23/2 =11,5 Вт.
3. Выбор принципиальной электрической схемы оконечного каскада и режима работы его транзисторов
Выходной оконечный каскад - применим двухтактный, выполненный на составных транзисторах. Составные транзисторы нужны для обеспечения большого усиления по току, чтобы в качестве предоконечного каскада можно было использовать однотактный резисторный каскад, с непосредственной связью между каскадами (рис. 5). Для транзисторов VT1, VT2 и VT3, VT4 будет использован режим работы АВ.



Рисунок 5. Схема оконечного каскада


. ••
Проведем выбор транзисторов VT3, VT4.

Значение максимально-допустимой мощности рассеянии на коллекторе при максимальной рабочей температуре (Т_МАКС = +50⁰С) должно удовлетворять условию:

Р_К.ДОП ≥ 0,4·Р_Н = 0,4·11,5 = 4,6 Вт.

Оценим амплитудные значения напряжения между выходными электродами транзистора VT3 (U_КЭМ3) и коллекторного тока I_КМ3 (ток коллектора считаем примерно равным току эмиттера):



Тогда необходимые максимальные значения напряжения и тока транзистора VT3 (VT4) должны удовлетворять условиям:

U_КЭДОП3 ≥ 1,2 Е_П = 1,2·36 = 43,2В

I_КДОП3 ≥ 1,2 I_КМ3 = 1,2·2,2 = 2,64А

Определим требование к транзисторам по предельной частоте коэффициента усиления тока:



В соответствии с полученными значениями максимально допустимых параметров в качестве VT3 и VT4 выбираем комплементарную пару транзисторов КТ817Б (п-р-п) и КТ816Б (p-n-р).

Их максимально допустимые параметры:

постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Т=+50°С равна Р_КДОП = 18 Вт,

постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_КЭДОП = 50 В,

постоянный ток коллектора I_КДОП = 3 А;

коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h_21Э ≥ 20;

граничная частота коэффициента передачи f_ГР = 3 МГц



По выходным статическим характеристикам (рис. 6) транзистора КТ 816 Б (VT4) оценим величину U_НАЧ, соответствующую I_КМ4 = I_КМ4 =2,2 А (ток коллектора считаем приблизительно равным току эмиттера). Согласно рис. 6.

U_НАЧ = 0,7В

Напряжение между выходными электродами транзистора VT4 в точке покоя: U_КЭ04 = U_КЭМ3 + U_НАЧ = 10,7 + 0,7 = 11,4 В.

Построим нагрузочную прямую переменного тока плеча каскада по точкам A(Е_П/2;0) и В(0;Е_П/2R_H) (рис. 6).

Здесь ЕП/2 = 36/2 = 18В;

Е_П/2R_H = 36/(2·10) = 1,8А,



Рисунок 6. Семейство выходных статических ВАХ транзистора КТ816Б.

Нагрузочная прямая плеча каскада на VT3 и VT4

Выберем положение точки покоя VT4. Значение тока покоя для режима АВ должно удовлетворять условию:

I_К04 / I_КМ3 = 0,05 - 0,3

Возьмем I_К04 ≈ 0,09· I_КМ3 = 0,09·2,2 = 0,2А. Этому значению I_К04 соответствует, согласно рис. 6, ток смещения базы I_Б04 = 2 мА.

По входной характеристике транзистора VT4 (рис. 7) найдем значение напряжения смещения U_БЭ04, соответствующее I_Б04 = 2 мА; U_БЭ04 = 0,74В.

Максимальный ток коллектора VT4:

I_КМАКС3 = I_КМ3 + I_К04 = 2,2 + 0,2 = 2,4 А.

Максимальный ток базы, соответствующий I_КМАКС3, согласно рис. 6, есть I_БМАКС3 = 180 мА.

По входной ВАХ транзистора VT4 (рис. 7) находим U_{БЭМАКС4}, соответствующее I_БМАКС3; U_{БЭМАКС4} ≈ 1 В.

Рисунок 7. Входная ВАХ транзистора КТ816Б.

Вычислим для транзистора VT4 амплитуду тока базы I_БМ3 и амплитуду напряжения между базой и эмиттером U_БЭМ4

I_БМ3 = I_БМАКС3 - I_Б04 = 180 - 2 = 178 мА,

U_БЭМ4 = U_{БЭМАКС4} - U_БЭ04 =1 - 0,74 = 0,26 В.

Вычислим амплитуду входного напряжения каскада на транзисторах VT3, VT4.

U_ВХМ4 = U_БЭМ4 + U_Н = 0,26 + 10,7 = 11В.

Входное сопротивление плеча каскада на VT3, VT4.

R_ВХ4 = U_ВХМ4 / I_БМ3 = 11 / 0,178 = 61,6 Ом.

Определим сопротивление резисторов R1, R2 (рис. 5), исходя из условия:

R1 = R2 = (3-5) R_ВХ4 = 4·61,6 = 246,3 Ом.

Выберем из стандартного ряда сопротивлений Rl = R2 = 240 Ом.

Оценим мощность рассеяния на резисторе R1 и R2

P_R1 = U²_БЭ04/Rl = 0,74²/240 = 2,3 мВт

Вычислим амплитуду тока через резистор R1 и R2

I_R1 = U_БЭМ4/Rl = 0,26/240 = 1,1 мА

Выберем транзисторы VT1, VT2. Они также представляют собой комплементарную пару и работают в режиме АВ.

Для оценки требуемых максимально допустимых параметров транзисторов найдем приблизительные значения входного тока, входного напряжения, входной мощности и каскада на VT3, VT4.

I_ВХМ(1,2) ≈ I_КМ3 / h_21Э = 2,2 / 20 = 0,11А

U_ВХМ(1,2) ≈ U_КЭМ3 = 10,7В

Р_ВХМ(1,2) ≈ Р_Н / h_21Э = 11,5/20 = 0,575Вт

Тогда необходимые максимальные параметры транзисторов:

Р_{К.ДОП(1,2)} ≥ 0,4· Р_ВХМ(1,2) = 0,4·0,575 = 0,23 Вт.

U_{КЭДОП(1,2)} ≥ 1,2 Е_П = 1,2·36 = 43,2В

I_{КДОП(1,2)} ≥ 1,2 I_ВХМ(1,2) = 1,2·0,11 = 0,132А

Требования по предельной частоте те же, что для VT3, VT4.

Выбираем в качестве VT1 и VT2 транзисторы КТ815Б(п-р-п) и КТ814Б (p-n-р).

Их максимально допустимые параметры:

постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Т=+50°С равна Р_КДОП = 7,5 Вт,

постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_КЭДОП = 50 В,

постоянный ток коллектора I_КДОП = 1,5 А;

статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

h_21Э ≥ 40;

граничная частота коэффициента передачи f_ГР = 3 МГц



Оценим сопротивление нагрузки R_Н12 плеча каскада на VT1, VT2.

R_Н12 = U_ВХМ4/(I_R1 + I_БМ3) = 11/(1,1 + 178)10^-3 = 61,4 Ом

Амплитуда тока выходного электрода транзистора VT1

I_КМ1 = I_БМ3 + I_R1 = 178 + 1,1 = 179,1 мА.

Определим значении токов и напряжений в точке покоя транзистора VT2 КТ 815 Б

I_К01 = I_Б03 + U_БЭМ4/Rl = 2·10^-3 + 0,74/240 = 5,1 мА.

U_КЭ01 = Е_Б /2 - U_БЭ03 = 36/2 - 0,74 = 17,26 В.

I_Б01 = I_К01/h_21Э1 = 5,1/40 = 0,1275 мА.

Здесь взято h_21Э1 = 40 для транзистора КТ 815 Б.

Напряжение смещения U_БЭ01 находим по входной ВАХ транзистора КТ 814 Б (рис. 8) для I_Б01 = 0,1275 мА. Согласно рис. 8, U_БЭ01 = 0,62 В.

Амплитуда тока базы VT1:

I_БМ1 = I_КМ1/h_21Э1 = 179,1/40 = 4,47 мА

Максимальное значение тока коллектора VT1:

I_КМАКС1 = I_КМ1 + I_К01 = 179,1 + 5,1 = 184,2 мА



Рисунок 8. Входная ВАХ транзистора КТ815Б.
Максимальный ток базы VT1:

I_БМАКС1 = I_БМ1 + I_Б01 = 4,47 + 0,1275 = 4,6 мА

Максимальное значение напряжения между базой и эмиттером VT1 U_{БЭМАКС1} найдем по входной характеристике VT1 (рис. 8): U_{БЭМАКС1} = 0,8В.

Амплитуда напряжения между базой и эмиттером VT1:

U_БЭМ1 = U_{БЭМАКС1} + U_БЭ01 = 0,8 - 0,62 = 0,18 В.

Амплитуда напряжения на входе каскада на VT1, VT2:

U_ВХМ1 = U_БЭМ1 + U_БЭМ4 + U_Н = 0,18 + 0,26 + 10,7 = 11,14 В.

Входное сопротивление плеча каскада на VT1, VT2.

R_ВХ1 = U_ВХМ1 / I_БМ1 = 11,14 / 4,47 = 2,5 кОм.

Входная мощность оконечного каскада на составных транзисторах VT1-VT4:

Р_ВХ.ОК = U_ВХМ1 I_БМ1 /2 = 11,14 4,47/2 = 24,9 мВт.

Оценим коэффициенты усиления оконечного каскада по току К_IOK, напряжению К_UOK, мощности К_POK:

К_IOK = I_Н/I_БМ1 = 2,2/4,47·10^-3 = 492

К_UOK = U_Н/U_ВХМ1 = 10,7/11,14 = 0,96

К_POK = Р_Н/Р_ВХ.ОК = 11,5/24,9·10^-3 = 462

Определим сопротивление резистора R3 (рис. 5):



В соответствии со стандартным рядом сопротивлений выбираем

R3=1,2 кОм.

Вычислим амплитуду тока сигнала через резистор R3:

I_R3 = U_ВХМ1/R₃ = 11,14/1200 = 9,3 мА

Выберем диод VD в схеме на рис. 5. Для этого оценим действующее на диоде напряжение смещения U_Д и протекающий через диод прямой ток I_Д

U_Д = 2(U_БЭ01 + U_БЭ03) = 2(0,62+0,74) = 2,72 В

I_Д = I_R3 - I_Б01 = 9,3 - 0,1275 = 9,2 мА

Для выбираемого диода максимально допустимый выпрямленный ток I_{ПР ДОП} и максимально прямое напряжение U_{ПР ДОП} должны удовлетворять следующим условиям

U_{ПР ДОП} ≥ U_Д = 2,72 В

I_{ПР ДОП} ≥ I_Д = 9,2 мА

Будем использовать в качестве VD четыре последовательно включенных диода КД104А. При этом на одном диоде будет напряжение

U^I _Д = U_Д/4= 2,72/4 = 0,68 В

Вольт-амперная характеристика диода КД104А представлена на рис. 9. Для диода КД104А U_{ПР ДОП} = 2 В, I_{ПР ДОП} = 240 мА.

Согласно ВАХ, U^I _Д = 0,68 В соответствует ток I_Д = 9,2 мА.



Рисунок 9. Вольт-амперная характеристика диода КД104А

4. Расчёт схемы предоконечного каскада
При выборе ОУ обязательными требованиями является напряжение питания в диапазоне 15-18 В, для обеспечения требуемого размаха входного напряжения U_ВХМ1 = 11,14В и достаточно большой выходной ток усилителя.

С учётом данных требований выберем ОУ типа К157УД1.

Для питания ОУ применим простейшие компенсационные стабилизаторы на стабилитронах, например типа КС515А, с напряжением стабилизации U_СТ = 15В и максимальным током I_СТ = 53 мА.

Балластный резистор выберем номиналом

Rb = (E_П-U_СТ)/Ib = (18-15)/30 = 100 Ом

Здесь Ib = 30 мА, ток через балластный резистор, который меньше максимального тока стабилизации стабилитрона, но больше потребляемого тока ОУ.

При однополярном питании, заземлённые входа ОУ необходимо подключить к искусственной "земле" - потенциалу равному половине питания. Тогда на выходах ОУ, также будет половина питания и их можно гальванически, без переходных конденсаторов подключить ко входу оконечного каскада. Для ОУ2 такой искусственной "землёй" будет являться точка соединения стабилитронов VD3 и VD4. Вывод 9 ОУ1 нельзя подключить к точке соединения стабилитронов VD1 и VD2, так как этот вход является и сигнальным. Для исключения шунтирования входа низким сопротивлением стабилитронов, его необходимо подключить через высокоомное сопротивление, например 33 КОм.

Номиналы элементов цепей коррекции ОУ примем указанным в справочном листке.

В схеме, изображенной на рисунке 4, ОУ1 работает как неинвертирующий, ОУ2 – как инвертирующий. Коэффициенты усиления усилителей определяются элементами R₁₁, R₂₁, С₂₁ и R₁₂, R₂₂, С₂₂.

, ,

где Z₂₁ – импеданс цепи R₂₁, С₂₁.

Z₂₂ – импеданс цепи R₂₂, С₂₂.

Задаваясь значениями элементов R₁₁, R₂₁, С₂₁, R₁₂, R₂₂, С₂₂ можно получить любое значение.

Оценим общий коэффициент усиления по напряжению всего усилителя.

Рассчитаем значения элементов R₅, R₃, С₂, R₁₀, R₂, С₁ для обеспечения требуемого коэффициента усиления по напряжению:





На средних частотах, когда сопротивление емкостей С1 и С2 будет много меньше величин резисторов R2 и R3, соответственно, получим:








5. Построение схемы электрической принципиальной
Построим принципиальную электрическую схему усилителя (Приложение 1). Здесь С1, С2, С9, С10 - разделительные конденсаторы. Элементы R6, С3, С4, С5 и R11, С6, С7, С8 цепи коррекции ОУ1 и ОУ2, соответственно.

Для стабилизации рабочего режима транзисторов оконечного каскада используются диоды VD5- VD12. R_Н - сопротивление нагрузки.

Цепи VD1, R4 и VD2, R8 и VD3, R9 и VD4, R13 - параметрические стабилизаторы напряжения.

6. Распределение заданных частотных искажений по цепям и каскадам усилителя
Распределим заданные на весь усилитель частотные искажения на нижней рабочей частоте Мн < 3 дБ по отдельным цепям, вносящим эти искажения, согласно таблицы:

Наименование цепей каскадов	Мн, дБ
Цепочка связи CR на входе	0,2-0,6
Цепочка связи CR на выходе	0,4-1,5

Распределим частотные искажения на нижней рабочей частоте следующим образом: на цепочки связи CR на входе с конденсаторами С1, С2 отводим по 0,3 дБ; на цепочки связи CR на выходе с конденсаторами С9, С10 отводим по 1,2 дБ;

Суммарный коэффициент частотных искажений составит при этом

Мн = 3 дБ.

Оценим величину емкости разделительного конденсатора на выходе каскада, если нижняя граничная частота рабочего диапазона усилителя f_H = 50 Гц, коэффициент частотных искажений на нижней частоте, отведенный на емкости С9 и С10 М_НС9 = М_НС10 = 1,2 дБ, в относительных единицах М_НС9 = М_НС10 = 1,148. Тогда



Выбираем из стандартного ряда C9=С10=2000 мкФ.

Коэффициент частотных искажений на нижней частоте, отведенный на емкости С1 и С2 М_НС1 = М_НС2 = 0,3 дБ, в относительных единицах М_НС1 = М_НС2 = 1,035. Из уравнений для коэффициента усиления ОУ1 и ОУ2 получим значения емкостей С1 и С2, при которых коэффициент падает в 1,035 раза по сравнению со средними частотами.

Получим С1=С2=10 мкФ.

7. Заключение
При заданном ограниченном напряжении источника питания, вместо традиционного решения - применение трансформаторного каскада, было принято решение - применить мостовую схему.

Из всей гаммы мостовых схем была выбрана схема с параллельным способом подключения сигнала, в которой входной сигнал подаётся одновременно на инвертирующий и неинвертирующий усилители. Данные усилители спроектированы на основе ОУ. Данное решение позволило подключить их ко входу оконечного каскада гальванически, без переходных конденсаторов. Но для раскачки оконечного каскада необходим ОУ с большим выходным током, поэтому был выбран ОУ типа К157УД1.

Между выходами ОУ и нагрузкой включен оконечный каскад, выполненный по бестрансформаторной схеме на составных комплементарных транзисторах. Мощность снимаемая с каждого плеча моста в два раза меньше требуемой.

Для термостабилизации рабочей точки выходных транзисторов используются четыре последовательно включенных диода КД104А. Выбор именно кремниевых диодов обусловлен тем, что и выходные транзисторы также кремниевые.

Для питания ОУ применены простейшие компенсационные стабилизаторы на стабилитронах. Цепи коррекции ОУ1 и ОУ2, стандартные.

Частотные искажения на нижней рабочей частоте на цепочки связи CR на входе и на выходе распределены неравномерно, с учетом рекомендаций, чтобы величины конденсаторов были как можно меньше.

В целом рассчитанный усилитель соответствует техническому заданию.

8. Список литературы
1. Короткова Т.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учебно-методическое пособие, Воронеж 2013г.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. Учебник для ВУЗов. М., Высшая школа, 2004.

3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под редакцией Б.Л. Перельмана. М., Радио и связь, 1981.

4. Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы биполярные и полевые, диоды, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочное пособие. М., Солон-Р, 2000.

5. Четвертков, И.И.; Терехов, В.М. Резисторы: Справочник. М., Радио и связь; Издание 2-е, перераб. и доп. 1991.

6. Горячева Г.А.; Добромыслов Е.Р. Конденсаторы: Справочник. М., Радио и связь; 1984.