Главная страница
Навигация по странице:

  • Цель работы.

  • Порядок выполнения работы Упражнение 1.

  • Упражнение 2.

  • Вопросы для самоконтроля

  • Лабораторная работа 11 снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода


    Скачать 30.96 Kb.
    НазваниеЛабораторная работа 11 снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода
    Дата02.04.2018
    Размер30.96 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файла7.docx
    ТипЛабораторная работа
    #40112

    Лабораторная работа № 11
    СНЯТИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА


    Цель работы. Изучение свойств полупроводникового диода и снятие его вольт-амперной характеристики.

    Краткие теоретические сведения о работе и описание установки

    Некоторые химические элементы и соединения называются полупроводниками. Типичными представителями полупроводников являются элементы германий и кремний. Качественное различие между металлами и полупроводниками проявляется в характере зависимости удельной проводимости от температуры. С понижением температуры проводимость металлов возрастает, а у полупроводников она убывает, приближаясь к нулю при приближении температуры к абсолютному нулю. При высоких температурах проводимость полупроводников приближается к проводимости металлов.

    Такая зависимость проводимости от температуры объясняется тем, концентрация носителей тока (электронов проводимости) в металлах практически не зависит от температуры, а в полупроводниках носители тока сами возникают в результате теплового движения.

    Электропроводность полупроводников зависит от наличия примесей других элементов. Ничтожные количества примесей весьма сильно увеличивают электропроводность полупроводников.

    Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, называются донорами. Примером донорной примеси могут служить атомы мышьяка, вводимые в кристаллическую решетку кремния. Полупроводники с донорной примесью называются полупроводниками п-типа.

    Примеси другого типа, называемые акцепторными, вызывают появление дырок, то есть вакантных мест, возникающих в результате разрывов валентных связей. Оказывается, что в электрических и магнитных полях дырки движутся так же, как двигались бы положительно заряженные частицы с зарядом, равным по величине заряду электрона, и некоторой определенной массой (вообще не равной массе электрона). Таким образом образуется дырочная проводимость, то есть проводимость р-типа, а полупроводники с такой проводимостью называются полупроводниками р-типа.

    Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электрону, а другой дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом (р п-переходом). Для получения хороших р п-переходов в пластинку чистого полупроводника вводят донорную и акцепторную примеси, создавая таким путем две области (п и р) различной проводимости.

    Сопротивление р п-перехода зависит от направления проходящего через него тока. Если ток идет в направлении от р- к п-полупроводнику, то сопротивление перехода сравнительно мало; это направление называют пропускным или прямым. При пропускании тока в направлении от п- к р-полупроводнику (обратное направление) сопротивление перехода возрастает в несколько тысяч раз по сравнению с его сопротивлением в пропускном направлении. Это значит, что р п-переход обладает односторонней проводимостью.

    Полупроводниковое устройство, содержащее один р п-переход, называется полупроводниковым диодом. На корпусе диода стрелкой указывают его пропускное направление.

    Теоретическое объяснение указанных свойств полупроводников и полупроводниковых диодов можно найти в рекомендованных для изучения курсах общей физики.

    В данной работе экспериментально определяется зависимость силы тока, протекающего через полупроводниковый диод, от приложенного к диоду напряжения. Эта зависимость называется вольт-амперной зависимость.

    Снятие вольт-амперной характеристики полупроводникового диода производится при помощи макета, внешний вид которого показан на рис. 1.

    В верхней части макета расположены источник тока 1, вольтметр 4, амперметр 6. Вольтметр и амперметр имеют по две шкалы, то есть имеют по два диапазона измерений. Вольтметр: верхняя шкала  диапазон измерений от 0 до 1,5 вольта; нижняя шкала  диапазон измерений от 0 до 0,5 вольта. Амперметр: верхняя шкала  диапазон измерений от 0 до 50 миллиампер (тА); нижняя шкала  диапазон измерений от 0 до 100 микроампер ( А).http://web-local.rudn.ru/web-local/uem/ido/8/image526.gif

    В дальнейшем верхние шкалы измерительных приборов будем называть первыми диапазонами, а нижние шкалы вторыми диапазонами. Переключение диапазонов осуществляется переключателем (или тумблером) 5. При перемещении тумблера влево включаются первые диапазоны вольтметра и амперметра, при перемещении тумблера вправо включаются вторые диапазоны. Цепь замыкается тумблером 2. Напряжение в цепи регулируется поворотом ручки потенциометра 3. При вращении ручки 3 по часовой стрелке напряжение увеличивается, при вращении против часовой стрелки  уменьшается. Напряжение на исследуемом диоде 8 измеряется вольтметром 4, а ток, текущий через диод,  амперметром 6. Тумблером 7 можно осуществить либо прямое, либо обратное включение диода. При положении "П" ток через диод идет в прямом направлении, при положении "О"  в обратном.

    Порядок выполнения работы

    Упражнение 1. Снятие вольт-амперной характеристики полупроводникового диода при прямом включении.

    1. Установить ручку потенциометра 3 в крайнее левое положение.

    2. Переключите вольтметр и амперметр на первый диапазон измерений (левое положение тумблера 5).

    3. Переключите тумблер 7 в положение "П".

    4. Тумблером 2 замкните цепь.

    5. Осторожно вращая ручку потенциометра 3 по часовой стрелке, увеличивайте напряжение в цепи и через каждый 0,1 В записывайте в таблицу 1 показания амперметра и вольтметра. Напряжение увеличивайте до тех пор, пока показание амперметра не достигнет величины 40 или 50тА. При этом необходимо снять примерно 8 показаний измерительных приборов.

    6. Окончив измерения, установите ручку потенциометра 3 в крайнее левое положение и тумблером 2 разомкните цепь.

    Таблица 1

    U, В

     

     

     

     

     

     

    ImA

     

     

     

     

     

     

    Упражнение 2. Снятие вольт-амперной характеристики полупроводникового диода при его обратном включении.

    1. Переключите вольтметр и амперметр на второй диапазон измерений (правое положение тумблера 5).

    2. Переключите тумблер 7 в положение "О".

    3. Тумблером 2 замкните цепь.

    4. Осторожно вращая ручку потенциометра 3 по часовой стрелке, увеличивайте напряжение в цепи. Через каждый 0,02 В записывайте в таблицу 2 показания амперметра и вольтметра. После достижения напряжением величины 0,1 В показания измерительных приборов снимать при значениях напряжения 0,2 В; 0,3 В; 0,4 В; 0,5 В.

    5. Окончив измерения, установите ручку потенциометра 3 в крайнее левое положение и тумблером 2 разомкните цепь.http://web-local.rudn.ru/web-local/uem/ido/8/image527.gif

    Таблица 2

    U, В

     

     

     

     

     

     

    I,  A

     

     

     

     

     

     

    По полученным данным строят график, то есть вольт-амперную характеристику диода, откладывая по горизонтальной оси вправо от начала координат прямое напряжение, а влево  обратное; по вертикальной оси откладывают вверх от начала координат прямой ток, а вниз  обратный.

    Получается график, изображенный на рис. 2 (без соблюдения масштаба).

    Пользуясь графиком (рис. 2), определяют сопротивление диода в пропускном направлении по формуле

    http://web-local.rudn.ru/web-local/uem/ido/8/image528.gif

    .

    Для определения величины r используют тот участок графика, где он мало отличается от прямой линии.

    Вопросы для самоконтроля

    1. Какие вещества относят к классу полупроводников?

    2. В чём состоит сходство проводимости полупроводников и металлов?

    3. Каковы отличия проводимости полупроводников и металлов?

    4. Расскажите о собственной проводимости полупроводников.

    5. Что означает термин “дырка” в теории проводимости полупроводников? Опишите механизм (process) перемещения “дырок” в полупроводнике.

    6. Расскажите о примесной проводимости полупроводников.

    7. Какие частицы являются основными носителями заряда в полупроводниках n-типа? Как создают полупроводники n-типа?

    8. Какие частицы являются основными носителями заряда полупроводниках р-типа? Как создают полупроводники р-типа?

    9. Чем объясняется большая температурная зависимость проводимости при- месных полупроводников? Что такое термистер?

    10. Что такое p – n переход? Опишите процесс формирования p – n перехода и причину его стабильности в отсутствии внешних воздействий.

    11. Что такое запирающий слой и в чём состоит особенность электрического сопротивления этого слоя?

    12. Какое подключение диода к источнику тока называют прямым, а какое – обратным?

    13. Чем объясняется наличие тока (небольшой величины) через полупроводниковый диод при его обратном подключении к источнику тока?

    14. Каково основное свойство и назначение полупроводникового диода?

    15. Что называют внутренним сопротивлением полупроводникового диода и как изменяется величина этого сопротивления при смене полярности приложенного к диоду внешнего электрического напряжения?


    написать администратору сайта