Рис. 1. Диаграмма энергетических зон системы ITO / TPD и NiO / TPD.
Чтобы лучше понять основные физические явления, мы провели ряд экспериментов, пытаясь отделить влияние ультрафиолетового излучения (эксперименты в вакууме) от воздействия атомарного кислорода на проводимость ITO (вырожденный СК),  и NiO (два невырожденных полупроводника, n- и p-типа соответственно). Изменения удельного сопротивления (измеренные значения нормированы на значение удельного сопротивления, полученное в начале экспериментов) во время ультрафиолетового облучения в вакууме представлены на рис. 3. и NiO демонстрируют снижение удельного сопротивления почти на 20%, стабильное состояние получается примерно через 1 ч для NiO и только через 2 - 3 мин для . Напротив, мы наблюдаем очень небольшое уменьшение (2%) удельного сопротивления тонкого слоя ITO в течение самой первой минуты с последующим возвратом в исходное состояние примерно через 30 минут.
|
Скачать 2.05 Mb.