|
|
Минобрнауки россии федеральное государственное бюджетное
За прямое включение примем измерения, когда положительный потенциал на Al и обратное включение – при положительном потенциале на ITO. На рисунке 9 представлены ВАХ полученные на экспериментальной структуре при прямом смещении в отсутствии освещения и при освещении лазером с длинной волны 405 нм (<5мВт). Из полученных результатов следует, что фотооблучение оказывает существенное влияние на электропроводность структуры ITO-ПДФ-Al.
|
Рис. 10: ВАХ образца со структурой ITO-ПДФ-Al при обратном смещении.
|
На рис.10. представлены ВАХ при обратном смещении. Из полученных результатов видно, что фотопроводимость наблюдается при обеих полярностях.
Анализ полученных результатов и спектров поглощения (рис.10.) позволяет сделать вывод о том, что основной вклад в фотопроводимость вносит излучение в 405 нм, которое лежит в области максимума поглощения пленок ПДФ. Спектры флуоресценции представленные на рисунке 11 позволяют выделить два пика на длине волны в 354 нм и 420 нм. Подробный анализ приведенный в работе [ФТТ, Т.53,В 12, 2011] позволил представить распределение уровней в запрещенной зоне полимера. Было установлено [ФТТ, Т.53,В 12, 2011], что максимумы плотности электронных состояний располагаются при энергиях 0,3 и 0,8 эВ относительно дна зоны проводимости. Таким образом, на основании работ [Антипин] и [ФТТ, Т.53,В 12, 2011], можно предположить, что появление фоточувствительности пленок ПДФ может в рамках моделей предложенных в данных работах. Т.е. изменение электронных состояний и заполнение глубоких ловушек фотогенерированными носителями заряда.
|
|
|
Скачать 2.05 Mb.