Минобрнауки россии федеральное государственное бюджетное

• Название: Минобрнауки россии федеральное государственное бюджетное
• Дата: 12.11.2019
• Размер: 2.05 Mb.
• Имя файла: kursovaya_Guldaria_3_kurs_2.docx
• Тип: Курсовая; #94812
• страница: 11 из 11

3.2.Экспериментальные результаты структурыAl-ПДФ-Au.

Сложность экспериментальной структуры с точки зрения объяснения полученных результатов потребовало отказаться от использования в качестве одного из слоев ITO. В качестве альтернативы была использована структура Al-ПДФ-Au. Толщина золотой пленки позволяла облучать пленку ПДФ на длине волны в 405 нм.

На рисунках 18 и 19 представлены ВАХ экспериментальных структур, полученных при комнатной температуре при прямом и обратном смещении.

Рис. 18: ВАХ образца Al-ПДФ-Au1. при отсутствии УФ, 2.при воздействии УФ на пленку с Au, 3. при воздействии УФ на пленку с Al, прямое смещение.

Рис. 19: ВАХ образца Al-ПДФ-Au 1. при отсутствии УФ, 2.при воздействии УФ на пленку с Au, 3.при воздействии УФ на пленку с Al, обратное смещение.

В отличии от предыдущих экспериментальных образцов, в структуре Au-ПДФ-Al (600 нм). пленки ПДФ по толщине существенно превышали толщину пленок в структуре ITO-ПДФ-Al (250 нм). Как и в предыдущем случае, фотооблучение оказывает влияние на электропроводность структуры Au-ПДФ-Al.

Обзор работ посвященных пленкам ITO показал, что важным является исключение влияние температуры на наблюдаемые изменения. В нашем случае такое воздействие исключить не удается. В этой связи, было проведено контрольное измерение при нагреве образца до 80^оС. ВАХ в сравнении с темновым, фото и при температуре 80^оС показано на рисунке 17.

Анализ ВАХ позволяет сделать вывод, что нагрев образца приводит к росту электропроводности. Таким образом, возникает вопрос, что является определяющим при фотооблучение,температурный вклад излучения или вклад самого излучения на электропроводность экспериментальной структуры.

Рис. 20: ВАХ образца Al-ПДФ-Au 1. При отсутствии УФ, 2.при воздействии УФ, 3. при Т=423 К.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Были измерены и проанализированы темновые и световые вольт-амперные характеристики пленок полидифениленфталида. Проведены оценки таких параметров, как подвижность носителей заряда и потенциального барьера. Анализ полученных оценок позволяет сделать вывод о том, что рост электропроводности и уменьшение величины потенциального барьера происходит при УФ облучении образцов. Но так же доказали с помощью эксперимента.

ЛИТЕРАТУРА

1. 
   Антипин, В.А. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью [Текст] / В.А. Антипин, И.Л. Валеева, А.Н.Лачинов // Письма в ЖЭТФ. 1992г.- Т. 55.- В. 9.- С. 526 - 529.
   
2. 
   Антипин, В.А. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров с невырожденным основным состоянием. [Текст]/ Валеева И.Л., Лачинов А.Н., Золотухин М.Г. // ЖЭТФ. 1994г. Т. 105. № 1. С. 156.
   
3. 
   Антипин, В.А.Электролюминисценция в несопряженных полимерах на основе пленок полиариленфталидов. [Текст] / А. Н. Лачинов, В.П. Казаков, А.А.Ковалёв, С.Н.Салазкин; С.Б. Мешкова// Теорет. и эксперим. Химия. 2009 - Т. 45. - С. 42-45.
   
4. 
   Антипин, В. А. Рекомбинационная люминесценция пленок полиариленфталидов. II. Послесвечение, инициированное электровозбуждением пленок полиариленфталидов. [Текст] / А. Н. Лачинов, Д.А. Мамыкин, А. А. Ковалёв, С. С. Остахов, В. В. Шапошникова, С. Н. Салазкин, В. П. Казаков.//Химия высоких энергий, 2010 - Т. 44, № 4, С. 345–347
   
5. 
   Антипин, В.А. Рекомбинационная люминесценция пленок полиариленфталидов. I. Электронные и оптические особенности полиариленфталидов. [Текст] / Мамыкин Д.А., Лачинов А.Н., Ковалёв А.А., Остахов С.С., Салазкин С.Н., Казаков В.П. // Химия высоких энергий. 2010. - Т. 44. № 4. - С. 340.
   
6. 
   Валеева, И.Л. Роль поляронных состояний в фотолюминисценцииполиариленфталидов. [Текст]/ А.Н. Лачинов. //Хим. физика. 1993. - Т. 12, № 4. - С.483-486.
   
7. 
   .Ефимова, А.И. Общий физический практикум физического факультета МГУ. Погрешности эксперимента. [Текст]/ Зотеев А.В., Склянкин А.А.// Учебно-методическое пособие. – М.: МГУ, Физический факультет, 2012. – 39 с.
   
8. 
   Лачинов, А.Н. Биполяронное поглощение света в полиариленфталидах. [Текст]/ O.A. Селезнева; И.Л. Валеева, М.Г. Золотухин. // Ж. прикл. спектроскопии. 1989. - Т. 51, № 5. - С. 814-817.
   
9. 
   Лачинов, А.Н. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров. [Текст]/ ВоробьеваН.В.// УФН. 2006. - Т. 176. № 12. - С. 1249.
   
10. 
    Накаряков,А.С.,. и др. Физика твердого тела // Лачинов, А.Н, 2011, том 53, вып. 12
    
11. 
    Рахмеев, Р.Г., Исследование транспорта носителей заряда через границу металл–полимер класса полиариленфталида[Текст] / Лачинов, А.Н., Юсупов, А.Р // Физика твердого тела, 2013, том 55, вып. 7
    
12. 
    Amy, F At The Gold/Pentacene Interface, Chan C., Kahn A.,Polarization Organicelectronics6, 85–91 (2005).
    
13. 
    Benson, N. Complementary organic field effect transistors by ultraviolet dielectric interface modification. [Text]/M. Schidleja, C. Melzer, R. Schmechel, and H. von Seggern//,Appl.Phys. Lett., 2006. - № 128.-Р. 15576–15577.
    
14. 
    Briseno, A. L.Hexathiapentacene:  Structure, Molecular Packing, and Thin-Film Transistors.[Text]/ Q. Miao, M.-M. Ling, C. Reese, H. Meng, Z. Bao, and F. Wudl,J. //American Chememical Society. 2007. - № 128. – P. 124-126.
    
15. 
    Brooks, J. S. Persistent photoexcited conducting states in functionalized pentacene. [Text]/ T. Tokumoto, E.-S. Choi, D. Graf, N. Biskup, D. L. Eaton, J. E.Anthony, and S. A. Odom,J.// Appl. Phys., 2004. - №. - Р 67-71.
    
16. 
    Bube, R. H., “Photoelectronic Properties of Semiconductors ”, Cambridge University Press, (1992)
    
17. 
    Cesare,Soci, «Photoconductivity of a Low-Bandgap Conjugated Polymer» ,In-Wook Hwang, Daniel Moses , Zhengguo Zhu , David Waller ,Russel Gaudiana,Christoph J. Brabec, andAlan J. Heeger