Главная страница
Навигация по странице:

  • «МИРЭА – Российский технологический университет» РТУ МИРЭА Колледж приборостроения и информационных технологий

  • ПРАКТИЧЕСКИЕ занятия

  • «Рефлексивный экран»

  • Вариант 1 Вариант 2

  • Вариант 3 Вариант 4

  • Практическое занятие № 16. мирэа Российский технологический университет рту мирэа


    Скачать 0.55 Mb.
    Названиемирэа Российский технологический университет рту мирэа
    Дата03.03.2023
    Размер0.55 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаПрактическое занятие № 16.docx
    ТипДокументы
    #967329




    1. МИНОБРНАУКИ РОССИИ


      Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

      высшего образования

      «МИРЭА – Российский технологический университет»

      РТУ МИРЭА

    2. Колледж приборостроения и информационных технологий









    3. ПРАКТИЧЕСКИЕ занятия





    4. по учебной дисциплине (модуля, МДК) ОП.04 Электроника и схемотехника



    5. Преподаватель

    6. Специальность 10.02.05 Обеспечение информационной безопасности автоматизированных систем












    Практическое занятие №16

    1 ТЕМА: Определение h-параметров биполярных транзисторов по статическим характеристикам



    2 ЦЕЛИ РАБОТЫ:

    знакомиться со статическими характеристиками биполярного транзистора и методом определения h-параметров.

    В результате усвоения учебного материала учащиеся должны уметь:

    - составлять и диагностировать схемы электронных устройств.
    3 АКТУАЛИЗАЦИЯ ОПОРНЫХ ЗНАНИЙ
    Необходимо закончить предложения:

    Танзистор - это
    4 ПОЯСНЕНИЯ К РАБОТЕ
    В схеме с ОЭ нас будут интересовать зависимости входного тока от входного напряжения и выходного тока от выходного напряжения (рис. а, б)







    Система h-параметров - это система низкочастотных малосигнальных параметров. Для анализа этой системы параметров транзистор рекомендуется представлять в виде активного четырехполюсника.

    Чтобы исключить взаимное влияние цепей активного четырехполюсни­ка друг на друга, h-параметры измеряются в двух режимах:

    а) режим холостого хода (Х.Х.) со стороны входа (на входе включается большая индуктивность);

    б) режим короткого замыкания (К.З.) со стороны выхода (на выходе включается конденсатор большой ёмкости), при этом путь тока по постоян­ной составляющей сохраняется, а по переменной получается режим коротко­го замыкания.

    Физическая сущность h -параметров:




    1. h11 - сопротивление транзистора на входных зажимах по переменной составляющей тока, Ом, определяется в режиме К.З. со стороны выхода;

    2. h22 - проводимость транзистора на выходных зажимах транзистора, См (определяется в режиме Х.Х. со стороны входа)



    1. h21 - статический коэффициент передачи тока со входа на выход, оп­ределяется в режиме К.З. со стороны выхода








    2. h12 - коэффициент внутренней обратной связи, показывает какая часть выходного напряжения через элемент внутренней связи попадает на вход (определяется в режиме Х.Х. со стороны входа)



    Определение h-параметров по ВАХ транзистора

    Рекомендации по использованию статических ВАХ транзистора при определении статических параметров транзистора.

    Прежде, чем вести расчёт статических параметров по выходным ВАХ (при любой схеме включения), необходимо определить рабочую область на ВАХ.

    Как и в диоде, рабочая область на выходных ВАХ транзистора ограни­чивается характеристикой допустимой рассеиваемой мощности (гиперболой рассеивания). Для транзистора — это мощность, рассеиваемая на коллектор­ном переходе, которая не должна превышать допустимую для транзистора (указанную в справочнике)



    Расчёт и построение гиперболы рассеивания выполняется точно так же как и при работе с ВАХ диода.

    Примечание. При определении h-параметров по ВАХ пользуемся мето­дом «двух точек» (рис.2.), в соответствии с которым значение параметра, определенного вдоль отрезка (ав, cd и т.д.), справедливо для точки (РТ), взя­той посредине этого отрезка.




    Для исключения возможной ошибки при определении h-параметров по ВАХ необходимо строго придерживаться условий, при которых определяется тот или иной параметр.



    5 ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ
    5.1 Порядок выполнения работы:

      1. Изучить систему h-параметров биполярного транзистора.

      2. По предложенным статическим характеристикам (согласно варианта) определить h-параметры биполярного транзистора.

    6 СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
    6.1 Тема работы.

    6.2 Цель работы.

    6.3 Статические характеристики биполярного транзистор

    6.4 Расчет h-параметров.

    6.5 Выводы по выполненной работе

    6.6 Рефлексия

    Отчет оформляется в тетради
    7 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ


    1. Какие режимы работы транзистора используются для определения h-параметров

    2. Поясните представление транзистора в виде активного четырехполюсника.

    8 ЛИТЕРАТУРА
    8.1 Д.В.Игумнов, Основы полупроводниковой электроники, М: Горячая линия-Телеком, 2005, 392с.
    «Рефлексивный экран»

    По желанию необходимо выбирать себе фразу и закончить ее самостоятельно.

    Сегодня я узнал…

    Было интересно…

    Было трудно…

    Я выполнял задания…

    Я понял, что…

    Теперь я могу…

    Я почувствовал, что…

    Я приобрёл

    Я научился…

    У меня получилось…

    Я смог…

    Я попробую…

    Меня удивило…

    Урок дал мне для жизни…

    Мне захотелось…

    Расскажу дома, что
    Вариант 1


    Вариант 2



    Вариант 3



    Вариант 4




    Вариант 5


    написать администратору сайта