Главная страница
Навигация по странице:

  • «ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПА РАБОТЫ HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ» 1. Цель

  • 1.1 Задание на работу

  • 1.3 Выполнение задания

    		•

    лабораторная 1 ноноэлектроника. лаб1. Отчет по лабораторной работе 1 изучение принципа работы hemtтранзисторов


    Скачать 100.1 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 1 изучение принципа работы hemtтранзисторов
    Анкорлабораторная 1 ноноэлектроника
    Дата23.04.2022
    Размер100.1 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлалаб1.docx
    ТипОтчет
    #491529

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
    Федеральное государственное бюджетное образовательное

    учреждение высшего образования
    ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

    УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
    Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)


    Отчет по лабораторной работе №1

    «ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПА РАБОТЫ HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ»

    по дисциплине «Наноэлектороника»

    Выполнил:

    Проверил:
    ______________________

    « »__________2021 года

    Студент группы з-369П12-5

    Остапенко М.В.

    «19» сентября 2021 г.


    Томск 2021

    Лабораторная работа №1.


    «ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПА РАБОТЫ HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ»

    1. Цель работы:

    Целью данной работы является исследование характеристик транзистора с высокой подвижностью электронов HEMT.

    1.1 Задание на работу:

    1. Определить предельно допустимые параметры транзистора ATF-36163.

    2. Исследовать выходную характеристику (IC = f(UСИ)/UЗИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях на затворе (2–3 зависимости).

    3. Исследовать передаточную характеристику (IC = f(UЗИ)/UСИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях сток – исток (2–3 зависимости).

    1.2 Описание лабораторной установки


    Рис. 1 – Схема экспериментальной установки
    1.3 Выполнение задания

    Вариант № 4

    1. Определим предельно допустимые параметры транзистора ATF-36163

    а) Напряжение сток-исток +3 В.

    б) Напряжение затвор-исток 3 В.

    в) Ток стока максимальный 40 мА.

    г) Ток стока минимальный 15 мА.

    д) Диапазон рабочих температур -65 – 150 градусов Цельсия.

    е) Максимальная мощность 180 мВатт.
    1.3.1 Исследуем выходную характеристику (IC = f(UСИ)/UЗИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях на затворе.


    Uси В.
    Uзи = const = -0,2
    Uзи = const = -0,3
    Uзи = const = -0,4

    Iс мА
    Iс мА
    Iс мА

    0,25
    15,87
    7,59
    2

    0,5
    17,02
    8,17
    2,16

    0,75
    17,86
    8,57
    2,27

    1
    18,55
    8,89
    2,35

    1,25
    19,06
    9,14
    2,42

    1,5
    19,48
    9,34
    2,47

    1,75
    19,81
    9,50
    2,52

    2
    20,08
    9,63
    2,55

    2,25
    20,29
    9,73
    2,58

    2,5
    20,48
    9,82
    2,60

    2,75
    20,65
    9,90
    2,62

    3
    20,79
    9,97
    2,64



    Рис. 2 – Графики выходной характеристики.

    1.3.2. Исследуем передаточную характеристику (IC = f(UЗИ)/UСИ = const) HEMT-транзистора при различных напряжениях сток – исток.

    Uзи В.
    Uси = const = 1
    Uси = const = 2
    Uси = const = 3

    Iс мА
    Iс мА
    Iс мА

    -0,04
    43,48
    47,10
    47,76

    -0,08
    36,74
    39,41
    40,75

    -0,12
    29,32
    32,46
    33,88

    -0,16
    24,95
    26,51
    27,2

    -0,20
    19,27
    20,11
    21,58

    -0,24
    14,41
    15,15
    16,14

    -0,28
    10,25
    10,86
    11,48

    -0,32
    6,78
    7,45
    7,85

    -0,36
    4,00
    4,5
    4,73

    -0,40
    2,32
    2,55
    2,60

    -0,44
    0,75
    0,74
    0,96

    -0,48
    0,05
    0,07
    0,09



    Рис. 3 – Графики переходной характеристики.

    1.4 По графикам зависимостей определим следующие параметры транзистора:


    Рис. 4 –Ток насыщения.
    1.4.1 По графику (рис. 4) легко можно определить ток насыщения при разных напряжениях.


    1.4.2 Пороговое напряжение затвора (UЗИ) прибора, как правило - это напряжение перехода затвор‑исток, при котором начинает проходить ток стока. Из графика на (рис. 4) можно считать, что это напряжение равно - 0,4 В..
    1.5 Выводы по принципу работы HEMT-транзистора.

    Краткие выводы: В ходе выполнения работы мы исследовали характеристики HEMT-транзистора и определили его основные параметры, в отчёте привели таблицы и графики.

    написать администратору сайта