Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером» по дисциплине «Электроника. Отчет по лабораторной работе 4 Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером

• Название: Отчет по лабораторной работе 4 Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером
• Анкор: Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером» по дисциплине «Электроника
• Дата: 27.04.2023
• Размер: 190.74 Kb.
• Имя файла: elektronika_4_2.docx
• Тип: Отчет; #1094484

ФГАОУ ВО «УрФУ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»
Институт радиоэлектроники и информационных технологий — РТФ
Департамент радиоэлектроники и связи

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №4

«Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером»

по дисциплине «Электроника»

Преподаватель
Студент
Группа

Екатеринбург 2022

Цель работы: Ознакомиться с физическими свойствами работы биполярного транзистора, исследовать характеристики и параметры транзистора в схеме включения с общимэмиттером и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик

Схема лабораторной установки для исследования транзистора КТ644А



Входные характеристики:

1. 
   При Uкэ = 0 В
   

Iб, мкА	0	2	10	20	30	40	60	80	100
Uбэ, В	0	0,562	0,616	0,639	0,651	0,658	0,668	0,678	0,688

2. 
   При Uкэ = -5 В
   

Iб, мкА	0	2	10	20	30	40	60	80	100
Uбэ, В	0,4	0,563	0,618	0,641	0,653	0,660	0,670	0,680	0,690

График семейства входных характеристик при комнатной температуре:



Выходные характеристики:

1. 
   При Iб = 0 мкА
   

Uкэ, В	1	2,5	5	7	10	15	20
Iк, мА при 20℃	-	-	-	-	-	-	-
Iк, мА при 70 ℃	-	-	-	-	-	-	-

2. 
   При Iб = 30 мкА
   

Uкэ, В	1	2,5	5	7	10	15	20
Iк, мА при 20℃	1,443	1,470	1,542	1,56	1,59	1,71	1,714
Iк, мА при 70℃	1,8	1,9	2,1	2,2	2,4	2,5	2,55

3. 
   При Iб = 60 мкА
   

Uкэ, В	1	2,5	5	7	10	15	20
Iк, мА при 20℃	3,27	3,29	3,38	3,5	3,54	3,66	3,84
Iк, мА при 70℃	4,4	4,5	4,55	4,6	4,7	4,8	5

4. 
   При Iб = 90 мкА
   

Uкэ	1	2,5	5	7	10	15
Iк, мА при 20℃	5,01	5,15	5,23	5,34	5,55	5,7
Iк, мА при 70℃	6,8	6,9	7,05	7,18	7,35	7,7

График семейства выходных характеристик при комнатной температуре:



График семейства выходных характеристик при повышенной температуре:



Проходная и входная характеристики:

Iб, мкА	0	2	10	20	30	40	60	80	100
Iк, мА	0	0,05	0,45	1,01	1,65	2,17	3,31	4,61	5,84
Uбэ, В	0	0,565	0,618	0,64	0,65	0,657	0,668	0,676	0,68

Определение Н-параметров:









Параметры Т-образной эквивалентной схемы:



График проходной характеристики при Uкэ = -5 В:

Параметры	H11Э	H12Э	H21Э	H22Э	rЭ	rБ	rК			S
Размерность	Ом	10-4	-	мкСм	Ом	Ом	мОм	-	10-5	мА/В
Расчётные	500	1	65	28	3,6	264,3	2,36	0,98	9,8	130

S = β =

Iб, мкА	0	2	10	20	30	40	60	80	100
Iк, мА	0	0,05	0,45	1,01	1,65	2,17	3,2	4,2	5,15
Uбэ, В	0	0,565	0,618	0,64	0,65	0,657	0,668	0,676	0,68
β	0	25	45	50,5	55	54,25	40,32	35,6	32,2
S, мА/В	0	0,088	0,73	1,57	2,54	3,3	4,79	6,21	7,57

График зависимости β = f(Iк):



График зависимости S = f(Uбэ):



Вывод: в ходе работы я ознакомиться с физическими свойствами работы биполярного транзистора, исследовал характеристики и параметры транзистора в схеме включения с общим эмиттером, а так же изучил влияние температуры окружающей среды, температуру в печи, на ход характеристик.