Главная страница
Навигация по странице:

  • Определим входное сопротивление усилительного каскада.

  • Определим выходное сопротивление усилительного каскада.

  • Расчет усилительного тразнистора. Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполнен. Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером


    Скачать 0.53 Mb.
    НазваниеРасчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером
    АнкорРасчет усилительного тразнистора
    Дата18.05.2023
    Размер0.53 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаРасчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполнен.docx
    ТипСамостоятельная работа
    #1142265



    Самостоятельная работа №1

    по дисциплине «Электроника и схемы 2»

    на тему:

    «РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»

    Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером
    Исходные данные:

    Вариант

    Тип транзистора

    Ток покоя базы Iбп, мкА

    Напряжение питания Ек, В

    Коллекторное сопротивление Rк, Ом

    Нижняя граничная частота усиления fН, Гц

    2

    2N2369A

    50

    5

    400

    100



    1. Расчёт параметров транзистора 2N2369A
    1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ.
    Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.

    Для этого собрали схему 1 для измерения параметров транзистора.


    Рис. 1. Снятие семейства входных характеристик транзистора
    Полученные значения IБ и UБЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A.
    Таблица 1.

    Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.



    UКЭ=0В

    UКЭ=10В

    IБ, мкА

    UБЭ, мВ

    IБ, мкА

    UБЭ, мВ

    25

    475

    25

    686

    50

    495

    50

    716

    75

    507

    75

    733

    100

    516

    100

    745

    125

    523

    125

    754

    150

    529

    150

    761

    175

    534

    175

    767

    200

    538

    200

    773

    250

    545

    250

    781

    300

    551

    300

    789

    350

    557

    350

    795

    400

    562

    400

    800


    По соответствующим данным построим график Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора (Рис.2).


    Рис.2. График Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора 2N2369A
    Снятие семейства выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.

    Для этого соберем схему 2 для измерения параметров транзистора.

    Ib = const


    Рис. 3. Снятие семейства выходных характеристик транзистора
    Полученные значения тока коллектора транзистора Iк и напряжения между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ при постоянном значении тока базы Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА сведем в таблицу 2. По ним построим семейство статических входных характеристик Iк = f(Uкэ) при Iб = const транзистора 2N2369A.
    Таблица 2.

    Семейство статических выходных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.


    UКЭ

    IК при

    IБ=25 мкА

    IК при

    IБ=50 мкА

    IК при

    IБ=75 мкА

    IК при

    IБ=100 мкА

    IК при

    IБ=125 мкА

    IК при

    IБ=150 мкА

    0

    -0,2609

    -0,052726

    -0,07986

    -0,106091

    -0,132894

    -0,159651

    0,5

    2,307

    5,440

    8,310

    10,91

    13,296

    15,496

    1,0

    2,313

    5,456

    8,335

    10,943

    13,337

    15,545

    2,0

    2,327

    5,489

    8,385

    11,009

    13,418

    15,639

    3,0

    2,341

    5,522

    8,436

    11,084

    13,499

    15,733

    4,0

    2,362

    5,554

    8,487

    11,152

    13,58

    15,827

    5,0

    2,379

    5,588

    8,540

    11,218

    13,662

    15,922

    6,0

    2,394

    5,618

    8,588

    11,284

    13,743

    16,017

    7,0

    2,407

    5,654

    8,637

    11,35

    13,824

    16,112

    8,0

    2,421

    5,687

    8,693

    11,418

    13,906

    16,207

    9,0

    2,434

    5,720

    8,741

    11,484

    13,985

    16,3

    10

    2,450

    5,752

    8,789

    11,552

    14,067

    16,396

    15

    2,517

    5,919

    9,043

    11,884

    14,472

    16,868

    20

    2,590

    6,086

    9,307

    12,218

    14,882

    17,344



    По соответствующим данным построим график Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора (Рис. 4).


    Рис.4. График Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора 2N2369A

    1.2 Определение h – параметров транзистора 2N2369A графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером
    Определим параметр h11э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369A Iб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. По заданному току базы покоя Iбп=50 мкА, который определяет статический режим работы транзистора, на входной характеристике, соответствующей Uкэ=10 В, найдем рабочую точку "А", соответствующую этому току.



    Координаты точки "А": Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Выберем вблизи рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым найдем дифференциальное сопротивление по формуле:

    Из рис. 5 получим, что Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ. Тогда h11э определится:




    Рис.5. Графическое определение параметра h11э

    Определим параметр h12э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369A Iб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. Для этого из рабочей точки "А" проведем горизонтальную линию до пересечения с характеристикой, снятой при Uкэ=0В. Приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора 2N2369A определим по формуле:
    ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
    Этому приращению ΔUкэ соответствует приращение напряжения между базой и эмиттером транзистора:
    ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ



    Рис.6. Графическое определение параметра h12э
    Параметр h12э определим из формулы:

    Определим параметр h21э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369A Iк = f(Uкэ) при Iб = const. Найдем рабочую точку "А" на выходных характеристиках транзистора как точку пересечения прямой нагрузки (Ек = 5В, Rк = 400 Ом) с выходной ветвью ВАХ для Iбп = 50 мкА.

    По оси токов Iк откладываем значение Ек/ Rк = 12,5 мА

    По оси напряжения Uкэ откладываем Ек = 5В


    Рис.7. Графическое определение параметра h21э
    Получаем следующие координаты рабочей точки "А": Iкп =5,52 мА, Uкэ=3 В. Проведем из рабочей точки вертикальную прямую до пересечения с ветвями ВАХ при Iб1 = 25 мкА и Iб3 = 75 мкА. Рассчитаем приращение тока базы ΔIб, взятого вблизи заданного значения тока базы Iбп, по формуле:
    ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА
    Приращению ΔIб будет соответствовать приращение коллекторного тока, которое можно вычислить по формуле:
    ΔIк = Iк2 – Iк1=8,436 мА – 2,341 мА = 6,095 мА
    Параметр h21э определим из формулы:

    Определим параметр h22э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369A Iк = f(Uкэ) при Iб = 50 мкА. Для этого на ветви характеристики при Iбп = 50 мкА вблизи рабочей точки "А" выберем две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора:


    Рис.8. Графический способ нахождения параметра h22э
    ΔUкэ = Uкэ2 – Uкэ1= 4,04В – 1,84В = 2,2 В
    Uкэ вызывает приращение коллекторного тока:

    ΔIк=Iк4 – Iк3=5,46мА – 5,56мА = 0,1 мА
    Тогда параметр h22э будет равен:

    1.3 Найдем входное и выходное сопротивление транзистора 2N2369A по формулам:



    1.4 Определим коэффициент передачи по току транзистора 2N2369A β

    2. Расчет параметров элементов усилительного каскада с ОЭ


    Рис.9. Схема усилительного каскада с ОЭ
    2.1 Расчет резистивных элементов каскада
    Определение тока делителя в режиме покоя

    Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя.

    Определение напряжения на сопротивлении Rэ.

    Определение значения резистивных элементов (в соответствии с рядом номиналов сопротивлений Е24).



    В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что



    В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что



    В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что

    2.2 Расчет емкостных элементов каскада
    Определение емкости конденсатора, шунтирующей сопротивление Rэ по переменному току.

    В соответствии с рядом значений Е24 получим, что Сэ = 24 мкФ.

    Определение емкостей разделительных конденсаторов.


    В соответствии с рядом значений Е24 получим, что Ср1 = Ср2 = 9 мкФ.
    2.3. Используя найденные параметры элементов, соберем схему (рис.8) усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером
    R1 заменим реостатом с номинальным сопротивлением равным 2·R1=13,6 кОм, в соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что 2·R1=13 кОм. Установим Uвх = 0 (условие, при котором входной сигнал отсутствует) и будем добиваться режима покоя ( , Uбэп), изменяя сопротивление переменного резистора R1.

    Рис.8. Усилительный каскад на биполярном транзисторе 2N2369A с ОЭ в режиме покоя

    В режиме покоя имеем , а Uбэп= 717 мВ. Что очень близко к заданным.

    Подстроенное значение R1=2,99 кОм
    3. Определение параметров усилительного каскада.
    Измерим входное сопротивление усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером. Для этого сначала подадим на вход схемы сигнал 5 мВ при fср=10 кГц и снимем значения Uвх и Uвых (схема 4). При этом вольтметры следует поставить в режим измерения переменного напряжения (AC).


    Рис.9. Усилительный каскад на биполярном транзисторе 2N2369A с ОЭ в режиме холостого хода
    Входное напряжение усилительного каскада Uвх=2,544 мВ

    Выходное напряжение усилительного каскада Uвых=1,161 мВ

    Определим входное сопротивление усилительного каскада.

    Затем во входную цепь схемы (рис.9) добавим последовательно переменный резистор и будем изменять его сопротивление до значения, при котором вольтметр, установленный во входной цепи каскада, покажет значение U = Uвх/2 (рис.10).



    Рис.10. Измерение входного сопротивления
    Полученное значение переменного сопротивления и будет равно входному сопротивлению усилителя: Rвх=265 Ом.

    Определим выходное сопротивление усилительного каскада. Для этого установим в выходную цепь каскада переменный резистор и будем изменять его сопротивление до значения, при котором вольтметр, установленный в выходной цепи каскада, покажет значение напряжения U = Uвых/2 (рис.11).


    Рис.11. Измерение выходного сопротивления

    транзистор сопротивление каскад напряжение

    Полученное значение переменного сопротивления и будет равно выходному сопротивлению усилителя: Rвых=2675 Ом.

    По показаниям вольтметров и амперметров, расположенных во входной и в выходной цепях каскада, включенного в режиме согласования (рис.11), найдем значения коэффициентов усиления каскада:




    - коэффициент усиления по мощности

    Построим амплитудно-частотную характеристику усилительного каскада, собранного на транзисторе 2N2369A по схеме с ОЭ.



    Рис.12. Измерение АЧХ усилительного каскада с ОЭ


    Рис.13. АЧХ усилительного каскада с ОЭ
    По графику определим максимальное значение коэффициента усиления по напряжению по напряжению и полосу пропускания Δf.

    дБ– максимальное значение коэффициента усиления по напряжению

    дБ– граничные значения коэффициентов усиления по напряжению

    Полоса пропускания:
    Δf = fв – fн = 23,878 МГц – 309 Гц = 23,569 МГц

    Вывод
    я закрепила практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером.

    В ходе работы были сняты и построены входные и выходные характеристики биполярного транзистора 2N2369A, выполненного по схеме с общим эмиттером, рассчитаны h – параметров транзистора (h11э=940 Ом, h12э=22,1·10-3, h21э=121,9, h22э=45,5·10-6 См), также были рассчитаны элементы усилительного каскада и смоделирована схема в программе Electronics Workbench.

    Определив основные технические показатели и характеристики усилительного каскада и смоделировав схему, я получила следующие характеристики каскада: входное сопротивление усилителя Rвх=265 Ом (теоретически сотни Ом – единицы кОм), выходное сопротивление усилителя Rвых=2675 Ом (теоретически сотни Ом – единицы кОм), коэффициенты усиления по напряжению и по току – (теоретически десятки-сотни); (теоретически десятки-сотни), коэффициент усиления по мощности – (теоретически сотни-десятки тысяч).

    Построив АЧХ усилительного каскада, я измерила полосу пропускания, она получилась равной: Δf = fв – fн = 4,022 МГц.




    написать администратору сайта