задания. 3адание_на_самостоятельную_работу_1. расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером

• Название: расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером
• Анкор: задания
• Дата: 19.05.2022
• Размер: 48.64 Kb.
• Имя файла: 3адание_на_самостоятельную_работу_1.docx
• Тип: Документы; #538987

Самотоятельная работа № 1

по дисциплине «Схемотехника и электроника 2»

на тему:

«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»
Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на заданном биполярном транзисторе, выполненном по схеме с общим эмиттером.

Задание:

Произвести расчет с применением программной среды Multisim усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером (рис.1).



Порядок выполнения работы:

1. Расчёт параметров заданного транзистора.

1. 
   Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ.
   
2. 
   Определение h – параметров транзистора графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером.
   

2. Расчет параметров элементов усилительного каскада с ОЭ.

2.1 Расчет резистивных элементов каскада.

2.2 Расчет емкостных элементов каскада.

2.3. Используя найденные параметры элементов, собрать схему усилительного каскада на заданном биполярном транзисторе, выполненном по схеме с общим эмиттером в программной среде Multisim.

3. Определить параметры усилительного каскада.

3.1 Определить входное и выходное сопротивление усилительного каскада.

3.2 Определить коэффициент усиления по напряжению, току и мощности.

4. Построить амплитудно-частотную характеристику усилительного каскада, собранного на заданном транзисторе по схеме с ОЭ. По АЧХ определить максимальное значение коэффициента усиления по напряжению по напряжению и полосу пропускания Δf.
Таблица 1. Варианты исходных данных

Вариант	Тип транзистора	Ток покоя базы Iбп, мкА	Напряжение питания Ек, В	Коллекторное сопротивление Rк, Ом	Нижняя граничная частота усиления fН, Гц
1	2N2369A	50	5	300	50
2	2N2369A	50	5	400	100
3	2N2369A	50	5	500	150
4	2N2369A	50	5	600	200
5	2N2369A	50	5	700	250
6	2N2369A	50	5	800	300
7	2N2369A	50	10	600	50
8	2N2369A	50	10	600	100
9	2N2369A	50	10	700	150
10	2N2369A	50	10	800	200
11	2N2369A	50	10	900	250
12	2N2369A	50	10	1000	300
13	2N2369A	50	10	1100	50
14	2N2369A	50	15	900	100
15	2N2369A	50	15	1000	150
16	2N2369A	50	15	1200	200
17	2N2369A	50	15	1300	250
18	2N2369A	50	15	1400	300
19	2N2369A	50	15	1500	50
20	2N2369A	50	15	1600	100
21	2N2369A	50	15	1700	150
22	2N2369A	50	15	1800	200
23	2N2369A	75	5	300	250
24	2N2369A	75	5	400	300
25	2N2369A	75	10	600	50
26	2N2369A	75	10	700	100
27	2N2369A	75	10	800	150
28	2N2369A	75	10	900	200
29	2N2369A	75	15	900	250
30	2N2369A	75	15	1000	300
31	2N2369A	75	15	1200	50
32	2N2369A	75	15	1300	100
33	2N2369A	75	15	1400	150
34	2N2369A	75	15	1500	200
35	2N2369A	100	5	300	250
36	2N2369A	100	10	600	300
37	2N2369A	100	10	700	50
38	2N2369A	125	5	300	100
39	2N2369A	125	10	600	150
40	2N2369A	125	15	900	200