Главная страница

задания. 3адание_на_самостоятельную_работу_1. расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером


Скачать 48.64 Kb.
Названиерасчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером
Анкорзадания
Дата19.05.2022
Размер48.64 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файла3адание_на_самостоятельную_работу_1.docx
ТипДокументы
#538987

Самотоятельная работа № 1

по дисциплине «Схемотехника и электроника 2»

на тему:

«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»
Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на заданном биполярном транзисторе, выполненном по схеме с общим эмиттером.

Задание:

Произвести расчет с применением программной среды Multisim усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером (рис.1).



Порядок выполнения работы:

1. Расчёт параметров заданного транзистора.


    1. Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ.

    2. Определение h – параметров транзистора графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером.

2. Расчет параметров элементов усилительного каскада с ОЭ.

2.1 Расчет резистивных элементов каскада.

2.2 Расчет емкостных элементов каскада.

2.3. Используя найденные параметры элементов, собрать схему усилительного каскада на заданном биполярном транзисторе, выполненном по схеме с общим эмиттером в программной среде Multisim.

3. Определить параметры усилительного каскада.

3.1 Определить входное и выходное сопротивление усилительного каскада.

3.2 Определить коэффициент усиления по напряжению, току и мощности.

4. Построить амплитудно-частотную характеристику усилительного каскада, собранного на заданном транзисторе по схеме с ОЭ. По АЧХ определить максимальное значение коэффициента усиления по напряжению по напряжению и полосу пропускания Δf.
Таблица 1. Варианты исходных данных

Вариант

Тип транзистора

Ток покоя базы Iбп, мкА

Напряжение питания Ек, В

Коллекторное сопротивление Rк, Ом

Нижняя граничная частота усиления fН, Гц

1

2N2369A

50

5

300

50

2

2N2369A

50

5

400

100

3

2N2369A

50

5

500

150

4

2N2369A

50

5

600

200

5

2N2369A

50

5

700

250

6

2N2369A

50

5

800

300

7

2N2369A

50

10

600

50

8

2N2369A

50

10

600

100

9

2N2369A

50

10

700

150

10

2N2369A

50

10

800

200

11

2N2369A

50

10

900

250

12

2N2369A

50

10

1000

300

13

2N2369A

50

10

1100

50

14

2N2369A

50

15

900

100

15

2N2369A

50

15

1000

150

16

2N2369A

50

15

1200

200

17

2N2369A

50

15

1300

250

18

2N2369A

50

15

1400

300

19

2N2369A

50

15

1500

50

20

2N2369A

50

15

1600

100

21

2N2369A

50

15

1700

150

22

2N2369A

50

15

1800

200

23

2N2369A

75

5

300

250

24

2N2369A

75

5

400

300

25

2N2369A

75

10

600

50

26

2N2369A

75

10

700

100

27

2N2369A

75

10

800

150

28

2N2369A

75

10

900

200

29

2N2369A

75

15

900

250

30

2N2369A

75

15

1000

300

31

2N2369A

75

15

1200

50

32

2N2369A

75

15

1300

100

33

2N2369A

75

15

1400

150

34

2N2369A

75

15

1500

200

35

2N2369A

100

5

300

250

36

2N2369A

100

10

600

300

37

2N2369A

100

10

700

50

38

2N2369A

125

5

300

100

39

2N2369A

125

10

600

150

40

2N2369A

125

15

900

200


написать администратору сайта