Главная страница
Навигация по странице:

  • Кафедра МИТ ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»

  • Вариант 22, шифр (13, 1, 1)

  • Определение класса симметрии заданных материалов, построение прямой и обратной элементарной ячейки заданных

  • Заданный металл Категория симметрии Сингония Тип решетки

  • Параметр решетки

  • Рис. 1.

  • 2. Полупроводник – Кремний

  • Формула симметрии

  • Рис. 5.

  • 2. Определение концентрации электронов для заданного металла из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о

  • ИДЗ ОЭиРМ 2023 пункты 1-2. Санктпетербургский государственный электротехнический университет лэти им. В. И. Ульянова


    Скачать 129.94 Kb.
    НазваниеСанктпетербургский государственный электротехнический университет лэти им. В. И. Ульянова
    АнкорИДЗ ОЭиРМ 2023 пункты 1-2
    Дата17.04.2023
    Размер129.94 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаIDZ_Kirpichi_Fedorov1-2.docx
    ТипИсследование
    #1068169

    МИНОБРНАУКИ РОССИИ

    САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

    ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

    «ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

    Кафедра МИТ

    ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ

    по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»

    Тема: Исследование контактных явлений в структуре металл-проводник

    Вариант 22, шифр 13, 1, 1




    Студент гр. 1111 Фёдоров В.А.

    Преподаватель Рассадина А.А.

    Санкт-Петербург

    2023

    Исходные данные




    Вариант 22, шифр (13, 1, 1)

    Таблица 1. Некоторые свойства металла













    Температура, К



    Дебая

    (TD)

    Ферми

    -4

    (TF·10 )

    плавлени я (Tпл)



    W



    ОЦК


    183.8


    3.16


    19.25


    53


    400





    3683


    4.63



    Таблица 2. Свойства собственного полупроводника







    Ширина запрещенной зоны



    Эффективная масса



    Подвижность при 300К



    Работа выхода, эВ



    EG

    (300 К), эВ

    m"n / me

    m"p / me

    μn,

    2 -1 -1

    см ·В ·с

    μp,

    2 -1 -1

    см ·В ·с

    n

    Si



    1.11

    0,98

    0,5

    1350

    480

    4.83



    Таблица 3. Концентрация n- и p-примесей в полупроводниках



    Концентрация примесей, м-3





    1. Определение класса симметрии заданных материалов,

    построение прямой и обратной элементарной ячейки заданных

    материалов. Определение размера Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К.



    1. Металл - Вольфрам

    Таблица 1.1.

    Заданный металл

    Категория симметрии

    Сингония

    Тип решетки

    Класс симметрии

    W

    высшая

    кубическая

    ОЦК



    43m



    Параметр решетки: 𝑎=3,16∗10−10м

    Формула симметрии: 3L4 4L3 9P

    Кристалл вольфрама имеет объёмоцентрированную кубическую решетку. Она отвечает ОЦК-решётке Бравэ с одноатомным базисом.

    Кратчайшее межатомное расстояние — вдоль диагоналей граней куба

    (110).

    Координационное число для ОЦК-решётки z =8: каждый атом имеет 4 ближайших соседей в своём слое и по 2 — в выше- и нижележащих слоях.

    Решетки ГЦК и ОЦК дуальны, следовательно, обратное пространство для ГЦК будет объемноцентрированное кубическое (ОЦК).

    В объёмноцентрированной кубической (ГЦК) структуре атомы расположены в вершинах и в центре элементарной ячейки, поэтому кратчайшее расстояние между ними — вдоль диагоналей куба(111) .

    Координационное число равно 12. В элементарной ячейке 2 атома.

    Базисные векторы для решетки ОЦК:





    Базисные векторы для обратной решетки:






    Рис. 1. Обратная решетка вольфрама ГЦК Рис. 2. Прямая решетка вольфрама ОЦК

    Определение размера Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К.



    Рис. 4. Зона Бриллюэна для вольфрама

    Направление X (0; 1; 0): Направление L (1; 1; 1):

    Направление K (1;1;0):

    2. Полупроводник – Кремний

    Таблица 1.2.

    Заданный полупроводник

    Категория симметрии

    Сингония

    Тип решетки

    Класс симметрии

    Si

    высшая

    кубическая

    ГЦК

    43m



    Формула симметрии: 3L4 4L3 9P

    Постоянная решетки:

    Базисные векторы для решетки ГЦК:





    Базисные векторы для обратной решетки ОЦК:





    Рис. 5. Прямая и обратная решетки кремния

    Определение размера Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К.



    Рисунок 6. Зона Бриллюэна для кремния

    Направление X (0; 1; 0):

    Направление L (1; 1; 1):

    Направление K (1;1;0):

    2. Определение концентрации электронов для заданного металла из

    условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о

    применимости теории свободных электронов.

    Поверхность Ферми не является реальной поверхностью, а лишь наглядной иллюстрацией поведения электронов в металлах

    Найдём концентрацию электронов из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми для вольфрама. Радиус сферы Ферми связан с концентрацией электронов:



    Для ГЦК выбираем наименьшее значение волнового вектора в направлениях к характерным точкам. Сфера Ферми должна касаться первой зоны Бриллюэна, отсюда мы можем приравнять ее радиус и минимальный размер зоны Бриллюэна.

    Найдем концентрацию при условии касания:





    Согласно приближению слабой связи, размер зона Бриллюэна для изотропных кристаллов кубической сингонии составляет . Для первой зоны Бриллюэна:



    Сравнив полученное значение с размером зоны Бриллюэна, выбранным ранее, можно заключить, что в применение теории свободных электронов возможна:

    Найдем концентрацию по формуле:



    Так как 𝑛0> n, теория свободных электронов неприменима, соответственно нельзя вводить понятие электронного Ферми газа.



    написать администратору сайта