Главная страница
Навигация по странице:


  • Тесты СЭ(1). Тема I. 1Силовая электроника


    Скачать 6.68 Mb.
    НазваниеТема I. 1Силовая электроника
    Дата14.01.2023
    Размер6.68 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаТесты СЭ(1).doc
    ТипДокументы
    #886582
    страница2 из 8
    1   2   3   4   5   6   7   8


      • МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа

      • Полевого транзистора с каналом n-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа

    • МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • МДП транзистора с индуцированным каналом p-типа

      • Полевого транзистора с каналом n-типа

    • МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

    1. Входная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется

      • истоковой характеристикой

      • стоковой характеристикой

      • затворной характеристикой

    • стоко-затворной характеристикой

    1. Выходная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется

      • истоковой характеристикой

    • стоковой характеристикой

      • затворной характеристикой

      • стоко-затворной характеристикой

    1. Полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком, называется

      • диод

      • биполярный транзистор

      • тиристор

    • МДП-транзистор

    1. Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает отталкивающее действие на основные носители заряда в канале, называется

      • режим обогащения

      • режим инжекции

    • режим обеднения

      • режим экстракции

    1. Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает притягивающее действие на основные носители заряда в канале , называется

    • режим обогащения

      • режим инжекции

      • режим обеднения

      • режим экстракции

    1. На рисунке показано схемное изображение

    • МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

      • Полевого транзистора с каналом n-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

    1. На рисунке показано схемное изображение

    • МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа

      • Полевого транзистора с каналом n-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа

      • МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа

    1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики

      • биполярного транзистора

      • полевого транзистора

    • МДП-транзистора со встроенным каналом

      • МДП-транзистора с индуцированным каналом

    1. МДП-транзистор с индуцированным каналом работает в режиме

    • обогащения

      • инжекции

      • обеднения

      • активном

    1. На рисунке изображена структурная схема

      • полевого транзистора

      • тиристора

    • биполярного транзистора

      • диода

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • биполярноготранзистора

      • полевого транзистора

      • тиристора

    • диода

    1. На рисунке показано схемное изображени

    • биполярноготранзистора

      • полевого транзистора

      • тиристора

      • диода

    1. На рисунке изображена вольтамперная характеристика

      • биполярноготранзистора

      • полевого транзистора

      • тиристора

    • диода

    1. Четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями, называется

      • диод

      • полевой транзистор

    • тиристор

      • биполярный транзистор

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • однооперационного тиристора

      • двухоперационного тиристора

      • симистора

    • динистора

    1. На рисунке показано схемное изображение

    • однооперационного тиристора

      • двухоперационного тиристора

      • симистора

      • динистора

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • однооперационного тиристора

    • двухоперационного тиристора

      • симистора

      • динистора

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • светодиода

    • фотодиода

      • фототиристора

      • симистора

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • однооперационного тиристора

      • двухоперационного тиристора

    • симистора

      • динистора

    1. Четырёхслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями, называется

      • биполярный транзистор

      • полевой транзистор

      • диод

    • тиристор

    1. Тиристоры, в которых переход прибора из закрытого состояния в открытое происходит при достижении напряжения между анодом и катодом некоторой граничной величины, называются

    • динисторы

      • однооперационные тиристоры

      • двухоперационные тиристоры

      • симисторы

    1. На рисунке изображена структурная схема

      • транзистора

      • диода

      • симистора

    • динистора

    1. На рисунке изображена структурная схема

      • транзистора

      • диода

    • тиристора

      • симистора

    1. Вывод, подсоединяемый к внешнему p-слою тиристора, называется

    • анод

      • катод

      • база

      • управляющий электрод

    1. Вывод, подсоединяемый к внешнему n-слою тиристора, называется

      • анод

    • катод

      • база

      • управляющий электрод

    1. Вывод, подсоединяемый к внутреннему p-слою (n-слою) тиристора, называется

      • анод

      • катод

      • база

    • управляющий электрод

    1. Для того, чтобы открыть тиристор, необходимо подать следующие сигналы

    • плюс на анод, минус на катод, импульс на управляющий электрод

      • плюс на анод, минус на катод

    1. Ток, при котором происходит закрывание тиристора, называется

      • ток закрывания

      • ток уменьшения

    • ток удержания

      • ток восстановления

    1. Напряжение между анодом и катодом, при котором открывается динистор, называется

      • напряжение открывания

    • напряжение включения

      • напряжение пробоя

      • напряжение инжекции

    1. Тиристор 12 класса имеет максимальное обратное напряжение

      • 12 В

      • 120 В

    • 1200 В

      • 12000 В

    1. Вольтамперной характеристикой тиристора называется зависимость

    • тока анода от напряжения анод-катод

      • тока управления от напряжения анод-катод

      • тока анода от напряжения управляющий электрод-катод

      • тока управления от напряжения управляющий электрод-катод

    1. На рисунке изображена структурная схема

      • транзистора

    • диода

      • тиристора

      • симистора

    1. На рисунке изображена

    • обратная ветвь вольтамперной характеристики диода

      • входная характеристика биполярного транзистора

      • выходная характеристика биполярного транзистора

    1. Участок 3-4 на обратной ветви вольтамперной характеристики диода, изображенной на рисунке, характеризует

      • режим стабилизации обратного напряжения на диоде

      • рабочий режим диода

    • электрический пробой диода

      • тепловой пробой диода

    1. Участок 4-5 на обратной ветви вольтамперной характеристики диода, изображенной на рисунке, характеризует

      • режим стабилизации обратного напряжения на диоде

      • рабочий режим диода

      • электрический пробой диода

    • тепловой пробой диода

    1. На рисунке изображена вольтамперная характеристика

      • выпрямительного диода

    • стабилитрона

      • биполярного транзистора

      • тиристора

    1. Диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный, называется

      • туннельный

      • обратный

    • выпрямительный

      • импульсный

    1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора

    1. В изображенных на рисунке входных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, максимальным является напряжение

      • Uкб2

    • Uкб4

      • Uкб1

      • Uкб3

    1. В изображенных на рисунке входных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, минимальным является напряжение

      • Uкб2

      • Uкб4

    • Uкб1

      • Uкб3

    1. В изображенных на рисунке выходных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, максимальным является ток

      • Iб1

      • Iб2

      • Iб3

    • Iб4

    1. В изображенных на рисунке выходных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, минимальным является ток

    • Iб1

      • Iб2

      • Iб3

      • Iб4

    1. В изображенных на рисунке входных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, максимальным является напряжение

      • Uкэ2

    • Uкэ1

      • Uкэ4

      • Uкэ3

    1. В изображенных на рисунке входных статических вольтамперных характеристиках биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, минимальным является напряжение

      • Uкэ2

      • Uкэ1

    • Uкэ4

      • Uкэ3

    1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора

      • входные ВАХ в схеме с общей базой

      • выходные ВАХ в схеме с общей базой

      • входные ВАХ в схеме с общим эмиттером

    • выходные ВАХ в схеме с общим эмиттером

    1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора

      • входные ВАХ в схеме с общей базой

      • выходные ВАХ в схеме с общей базой

    • входные ВАХ вс хеме с общим эмиттером

      • выходные ВАХ в схеме с общим эмиттером

    1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики

      • входные полевого транзистора

    • выходные полевого транзистора

      • входные биполярного транзистора

      • выходные биполярного транзистора

    1. На рисунке изображена статическая вольтамперная характеристика



    • входная полевого транзистора

      • выходная полевого транзистора

      • входная биполярного транзистора

      • выходная биполярного транзистора

    1. На рисунке изображены вольтамперные характеристики

      • диода

      • биполярного транзистора

      • полевого транзистора

    • тиристора

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • фотодиода

    • светодиода

      • фототиристора

      • светотиристора

    1. На рисунке показано схемное изображение

      • фотодиода

      • светодиода

    • фоторезистора

      • светорезистора

    1. На рисунке показано схемное изображение
      1   2   3   4   5   6   7   8


    написать администратору сайта