Главная страница

Тесты СЭ(1). Тема I. 1Силовая электроника


Скачать 6.68 Mb.
НазваниеТема I. 1Силовая электроника
Дата14.01.2023
Размер6.68 Mb.
Формат файлаdoc
Имя файлаТесты СЭ(1).doc
ТипДокументы
#886582
страница1 из 8
  1   2   3   4   5   6   7   8

Силовая электроника

Тема I.1Силовая электроника


  1. Зона уровней энергии, на которых находятся электроны атомов, называется

  • разрешенная зона

    • зона проводимости

    • запрещенная зона

    • валентная зона

  1. Зона уровней энергии, на которых находятся свободные электроны, называется

  • зона проводимости

    • запрещенная зона

    • валентная зона

    • разрешенная зона

  1. Зона уровней энергии, разделяющая зоны, на которых находятся электроны атомов, называется

  • зона проводимости

  • запрещенная зона

  • валентная зона

  • разрешенная зона

  1. Ширина запрещенной зоны полупроводника составляет

  • 0,5 – 3 эВ

    • 6 – 10 эВ

    • 12 – 15 эВ

    • 20 – 25 эВ

  1. Носитель положительного заряда полупроводника называется

    • фонон

    • ион

  • дырка

    • фотон

  1. Примесь, вводимая в чистый полупроводник для создания свободных электронов, называется

    • акцепторная

    • добавочная

  • донорная

    • основная

  1. Примесь, вводимая в чистый полупроводник для повышения в нем концентрации дырок, называется

  • акцепторная

    • добавочная

    • донорная

    • основная

  1. Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием электрического поля, называется

    • диффузионнным

  • дрейфовым

    • ионным

    • электронным

  1. Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием разности концентраций носителей заряда, называется

  • диффузионнным *

    • дрейфовым

    • ионным

    • электронным

  1. Как соотносятся количество электронов и дырок в чистых полупроводниках без примесей

  • электронов больше, чем дырок

  • дырок больше, чем электронов

  • свободные носители заряда отсутствуют

  • количество дырок равно количеству электронов

  1. Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним …

  • управляющим электродом

  • коллектором

  • эмиттером

  • p-n переходом

  1. На рисунке изображена структурная схема

    • биполярного транзистора

  • диода

    • полевого транзистора

    • тиристора

  1. На рисунке показано схемное изображение

    • биполярного транзистора

    • полевого транзистора

  • диода

    • тиристора

  1. На рисунке показано схемное изображение

    • биполярного транзистора

    • полевого транзистора

    • тиристора

  • стабилитрона

  1. Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к p-слою называется

  • анод

    • эмиттер

    • катод

    • коллектор

  1. Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к n-слою называется

    • анод

    • эмиттер

  • катод

    • коллектор

  1. Диффузионный ток через p-n переход полупроводникового диода вызван

  • движением основных носителей заряда

  1. Дрейфовый ток через p-n переход полупроводникового диода вызван

    • движением основных носителей заряда

    • внешним источником напряжения

  • движением неосновных носителей заряда

    • движением как основных, так и неосновных носителей заряда

  1. Контактная разность потенциалов p-n перехода кремниевых и германиевых диодов составляет

  • 0,3 – 0,8 В

  • 3 – 8 В

  • 10 – 15 В

  • 20 – 25 В

  1. При подключении к полупроводниковому диоду прямого напряжения величина объемного заряда в p-n переходе

  • не изменяется

  • уменьшается

  • увеличивается

  • вначале уменьшается, затем увеличивается

  1. При подключении к полупроводниковому диоду обратного напряжения величина объемного заряда в p-n переходе

    • не изменяется

    • уменьшается

  • увеличивается

    • вначале уменьшается, затем увеличивается

  1. При электрическом пробое полупроводникового диода

  • ток возрастает, напряжение остается постоянным

  • ток уменьшается, напряжение остается постоянным

  • напряжение уменьшается, ток остается постоянным

  • напряжение уменьшается, ток возрастает

  1. При тепловом пробое полупроводникового диода

    • ток возрастает, напряжение остается постоянным

    • ток уменьшается, напряжение остается постоянным

    • напряжение уменьшается, ток остается постоянным

  • напряжение уменьшается, ток возрастает

  1. Диоды, предназначенные для преобразования синусоидального переменного тока в постоянный, называются

  • выпрямительные

    • туннельные

    • импульсные

    • стабилитроны

  1. Диоды, предназначенные для выпрямления разнополярной последовательности сигналов длительностью в микро и наносекунды, называются

    • выпрямительные

    • туннельные

  • импульсные

    • стабилитроны

  1. Диоды, на обратных ветвях вольтамперных характеристик которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от протекающего тока, называются

    • выпрямительные

    • туннельные

    • импульсные

  • стабилитроны

  1. Выпрямительные диоды, у которых средний прямой ток больше 10А, называются

    • диодами малой мощности

    • диодами небольшой мощности

  • диодами большой мощности

    • диодами средней мощности

  1. На рисунке показано схемное изображение

    • биполярного транзистора p-n-p типа

    • полевого транзистора с каналом р-типа

    • полевого транзистора с каналом n-типа

  • биполярного транзистора n-p-n типа

  1. На рисунке показано схемное изображение

  • биполярного транзистора p-n-p типа

    • полевого транзистора с каналом р-типа

    • полевого транзистора с каналом n-типа

    • биполярного транзистора n-p-n типа

  1. На рисунке изображена структурная схема

    • биполярного транзистора p-n-p типа

    • полевого транзистора с каналом р-типа

    • полевого транзистора с каналом n-типа

  • биполярного транзистора n-p-n типа

  1. На рисунке изображена структурная схема

  • биполярного транзистора p-n-p типа

    • полевого транзистора с каналом р-типа

    • полевого транзистора с каналом n-типа

    • биполярного транзистора n-p-n типа

  1. Полупроводниковый прибор с двумя близко расположенными p-n переходами и тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлением инжекции неосновных носителей заряда называется

    • полевой транзистор

  • биполярный транзистор

    • тиристор

    • динистор

  1. Центральную область полупроводниковой структуры биполярного транзистора называют

    • эмиттер

    • коллектор

  • база

    • катод

  1. Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, инжектирующего носители заряда, называют

  • эмиттер

    • коллектор

    • исток

    • база

  1. Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, в которой происходит собирание носителей заряда, называют

    • эмиттер

    • база

    • сток

  • коллектор

  1. Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в прямом направлении, а коллекторный p-n переход в обратном, называют

  • активный *

    • насыщения

    • отсечки

    • инверсный

  1. Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в обратном направлении, а коллекторный p-n переход в прямом, называют

    • активный

    • насыщения

    • отсечки

  • инверсный

  1. Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в прямом направлении, называют

    • активный

  • насыщения

    • отсечки

    • инверсный

  1. Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в обратном направлении, называют

    • активный

    • насыщения

  • отсечки

    • инверсный

  1. На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме

    • с общим истоком

    • с общим эмиттером

    • с общим коллектором

  • с общей базой

  1. При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме

  • активном

    • насыщения

    • отсечки

    • инверсном

  1. На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме

    • с общим истоком

  • с общим эмиттером

    • с общим коллектором

    • с общей базой

  1. При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме

    • насыщения

    • отсечки

  • активном

    • инверсном

  1. На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме

    • с общим стоком

    • с общей базой

    • с общим эмиттером

  • с общим коллектором

  1. При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме

  • активном

    • насыщения

    • отсечки

    • инверсном

  1. На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме

    • с общим эмиттером

    • с общим коллектором

    • с общей землей

  • с общей базой

  1. На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме

  • с общим эмиттером

    • с общим коллектором

    • с общей землей

    • с общей базой

  1. На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора

    • входные ВАХ в схеме с общей базой

  • выходные ВАХ в схеме с общей базой

    • входные ВАХ в схеме с общим эмиттером

    • выходные ВАХ в схеме с общим эмиттером

  1. Обратный ток коллектора, вызванный неосновными носителями заряда, называют

    • инжекторным

    • диффузионным

  • тепловым

    • дрейфовым

  1. Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость

    • тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

    • тока коллектора от напряжения коллектор-база

  • тока эмиттера от напряжения эмиттер-база

    • тока базы от напряжения база-эмиттер

  1. Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость

    • тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

  • тока коллектора от напряжения коллектор-база

    • тока эмиттера от напряжения эмиттер-база

    • тока базы от напряжения база-эмиттер

  1. Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость

    • тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

    • тока коллектора от напряжения коллектор-база

    • тока эмиттера от напряжения эмиттер-база

  • тока базы от напряжения база-эмиттер

  1. Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость

  • тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

    • тока коллектора от напряжения коллектор-база

    • тока эмиттера от напряжения эмиттер-база

    • тока базы от напряжения база-эмиттер

  1. На рисунке показана структурная схема

    • биполярного транзистора

    • МДП-транзистора со встроенным каналом

  • полевого транзистора

    • МДП-транзистора с индуцированным каналом

  1. На рисунке показано схемное изображение

  • Полевого транзистора с каналом p-типа

    • Полевого транзистора с каналом n-типа

    • Биполярного транзистора p-n-p типа

    • Биполярного транзистора n-p-n типа

  1. На рисунке показано схемное изображение

    • Полевого транзистора с каналом p-типа

  • Полевого транзистора с каналом n-типа

    • Биполярного транзистора p-n-p типа

    • Биполярного транзистора n-p-n типа

  1. В полевом транзисторе, электрод от которого начинают движение носители заряда, называется

    • эмиттер

  • исток

    • база

    • затвор

  1. В полевом транзисторе, электрод к которому движутся носители заряда, называется

    • коллектор

    • база

    • затвор

  • сток

  1. В полевом транзисторе, электрод которым регулируют движение носителей заряда, называется

  • затвор

    • база

    • коллектор

    • сток

  1. Входной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость

    • тока затвора от напряжения затвор-исток

    • тока затвора от напряжения сток-исток

  • тока истока от напряжения затвор-исток

  1. Выходной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость

    • тока затвора от напряжения затвор-исток

    • тока затвора от напряжения сток-исток

    • тока истока от напряжения затвор-исток

  • тока истока от напряжения сток-исток

  1. На рисунке показана структурная схема

    • биполярного транзистора

  • МДП-транзистора со встроенным каналом

    • полевого транзистора

    • МДП-транзистора с индуцированным каналом

  1. На рисунке показано схемное изображение
      1   2   3   4   5   6   7   8


написать администратору сайта