Тесты СЭ(1). Тема I. 1Силовая электроника
 Скачать 6.68 Mb.
|
Силовая электроникаТема I.1Силовая электроникаЗона уровней энергии, на которых находятся электроны атомов, называется разрешенная зона зона проводимости запрещенная зона валентная зона Зона уровней энергии, на которых находятся свободные электроны, называется зона проводимости запрещенная зона валентная зона разрешенная зона Зона уровней энергии, разделяющая зоны, на которых находятся электроны атомов, называется зона проводимости запрещенная зона валентная зона разрешенная зона Ширина запрещенной зоны полупроводника составляет 0,5 – 3 эВ 6 – 10 эВ 12 – 15 эВ 20 – 25 эВ Носитель положительного заряда полупроводника называется фонон ион дырка фотон Примесь, вводимая в чистый полупроводник для создания свободных электронов, называется акцепторная добавочная донорная основная Примесь, вводимая в чистый полупроводник для повышения в нем концентрации дырок, называется акцепторная добавочная донорная основная Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием электрического поля, называется диффузионнным дрейфовым ионным электронным Электрический ток, протекающий через p-n переход под действием разности концентраций носителей заряда, называется диффузионнным * дрейфовым ионным электронным Как соотносятся количество электронов и дырок в чистых полупроводниках без примесей электронов больше, чем дырок дырок больше, чем электронов свободные носители заряда отсутствуют количество дырок равно количеству электронов Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним … управляющим электродом коллектором эмиттером p-n переходом На рисунке изображена структурная схема  биполярного транзистора диода полевого транзистора тиристора На рисунке показано схемное изображение  биполярного транзистора полевого транзистора диода тиристора На рисунке показано схемное изображение  биполярного транзистора полевого транзистора тиристора стабилитрона Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к p-слою называется анод эмиттер катод коллектор Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к n-слою называется анод эмиттер катод коллектор Диффузионный ток через p-n переход полупроводникового диода вызван движением основных носителей заряда внешним источником напряжения движением неосновных носителей заряда движением как основных, так и неосновных носителей заряда Дрейфовый ток через p-n переход полупроводникового диода вызван движением основных носителей заряда внешним источником напряжения движением неосновных носителей заряда движением как основных, так и неосновных носителей заряда Контактная разность потенциалов p-n перехода кремниевых и германиевых диодов составляет 0,3 – 0,8 В 3 – 8 В 10 – 15 В 20 – 25 В При подключении к полупроводниковому диоду прямого напряжения величина объемного заряда в p-n переходе не изменяется уменьшается увеличивается вначале уменьшается, затем увеличивается При подключении к полупроводниковому диоду обратного напряжения величина объемного заряда в p-n переходе не изменяется уменьшается увеличивается вначале уменьшается, затем увеличивается При электрическом пробое полупроводникового диода ток возрастает, напряжение остается постоянным ток уменьшается, напряжение остается постоянным напряжение уменьшается, ток остается постоянным напряжение уменьшается, ток возрастает При тепловом пробое полупроводникового диода ток возрастает, напряжение остается постоянным ток уменьшается, напряжение остается постоянным напряжение уменьшается, ток остается постоянным напряжение уменьшается, ток возрастает Диоды, предназначенные для преобразования синусоидального переменного тока в постоянный, называются выпрямительные туннельные импульсные стабилитроны Диоды, предназначенные для выпрямления разнополярной последовательности сигналов длительностью в микро и наносекунды, называются выпрямительные туннельные импульсные стабилитроны Диоды, на обратных ветвях вольтамперных характеристик которых имеется участок со слабой зависимостью напряжения от протекающего тока, называются выпрямительные туннельные импульсные стабилитроны Выпрямительные диоды, у которых средний прямой ток больше 10А, называются диодами малой мощности диодами небольшой мощности диодами большой мощности диодами средней мощности На рисунке показано схемное изображение  биполярного транзистора p-n-p типа полевого транзистора с каналом р-типа полевого транзистора с каналом n-типа биполярного транзистора n-p-n типа На рисунке показано схемное изображение  биполярного транзистора p-n-p типа полевого транзистора с каналом р-типа полевого транзистора с каналом n-типа биполярного транзистора n-p-n типа На рисунке изображена структурная схема  биполярного транзистора p-n-p типа полевого транзистора с каналом р-типа полевого транзистора с каналом n-типа биполярного транзистора n-p-n типа На рисунке изображена структурная схема  биполярного транзистора p-n-p типа полевого транзистора с каналом р-типа полевого транзистора с каналом n-типа биполярного транзистора n-p-n типа Полупроводниковый прибор с двумя близко расположенными p-n переходами и тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлением инжекции неосновных носителей заряда называется полевой транзистор биполярный транзистор тиристор динистор Центральную область полупроводниковой структуры биполярного транзистора называют эмиттер коллектор база катод Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, инжектирующего носители заряда, называют эмиттер коллектор исток база Область полупроводниковой структуры биполярного транзистора, в которой происходит собирание носителей заряда, называют эмиттер база сток коллектор Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в прямом направлении, а коллекторный p-n переход в обратном, называют активный * насыщения отсечки инверсный Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный p-n переход смещен в обратном направлении, а коллекторный p-n переход в прямом, называют активный насыщения отсечки инверсный Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в прямом направлении, называют активный насыщения отсечки инверсный Режим работы биполярного транзистора, при котором эмиттерный и коллекторный p-n переходы смещены в обратном направлении, называют активный насыщения отсечки инверсный На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме  с общим истоком с общим эмиттером с общим коллектором с общей базой При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме активном насыщения отсечки инверсном На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме  с общим истоком с общим эмиттером с общим коллектором с общей базой При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме насыщения отсечки активном инверсном На рисунке изображен транзистор, включеннй по схеме  с общим стоком с общей базой с общим эмиттером с общим коллектором При указанной на схеме полярности напряжения, транзистор находится в режиме активном насыщения отсечки инверсном На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме  с общим эмиттером с общим коллектором с общей землей с общей базой На рисунке приведена структурная схема биполярного транзистора, включенного по схеме  с общим эмиттером с общим коллектором с общей землей с общей базой На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора  входные ВАХ в схеме с общей базой выходные ВАХ в схеме с общей базой входные ВАХ в схеме с общим эмиттером выходные ВАХ в схеме с общим эмиттером Обратный ток коллектора, вызванный неосновными носителями заряда, называют инжекторным диффузионным тепловым дрейфовым Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер тока коллектора от напряжения коллектор-база тока эмиттера от напряжения эмиттер-база тока базы от напряжения база-эмиттер Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общей базой, это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер тока коллектора от напряжения коллектор-база тока эмиттера от напряжения эмиттер-база тока базы от напряжения база-эмиттер Входная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер тока коллектора от напряжения коллектор-база тока эмиттера от напряжения эмиттер-база тока базы от напряжения база-эмиттер Выходная вольтамперная характеристика транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер тока коллектора от напряжения коллектор-база тока эмиттера от напряжения эмиттер-база тока базы от напряжения база-эмиттер На рисунке показана структурная схема  биполярного транзистора МДП-транзистора со встроенным каналом полевого транзистора МДП-транзистора с индуцированным каналом На рисунке показано схемное изображение  Полевого транзистора с каналом p-типа Полевого транзистора с каналом n-типа Биполярного транзистора p-n-p типа Биполярного транзистора n-p-n типа На рисунке показано схемное изображение  Полевого транзистора с каналом p-типа Полевого транзистора с каналом n-типа Биполярного транзистора p-n-p типа Биполярного транзистора n-p-n типа В полевом транзисторе, электрод от которого начинают движение носители заряда, называется эмиттер исток база затвор В полевом транзисторе, электрод к которому движутся носители заряда, называется коллектор база затвор сток В полевом транзисторе, электрод которым регулируют движение носителей заряда, называется затвор база коллектор сток Входной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость тока затвора от напряжения затвор-исток тока затвора от напряжения сток-исток тока истока от напряжения затвор-исток Выходной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость тока затвора от напряжения затвор-исток тока затвора от напряжения сток-исток тока истока от напряжения затвор-исток тока истока от напряжения сток-исток На рисунке показана структурная схема  биполярного транзистора МДП-транзистора со встроенным каналом полевого транзистора МДП-транзистора с индуцированным каналом На рисунке показано схемное изображение |