Курсовая на тему Термоэлектрическое охлаждение элементов и устройств ЭВС . РС-71. Курсовая на тему Термоэлектрическое охлаждение элементов и устр. Термоэлектрическое охлаждение элементов и устройств эвс
Скачать 414.78 Kb.
|
Термоэлектрические эффектыК термоэлектрическим эффектам относятся следующие: явление Зеебека, явление Пельтье, явление Томсона. Явление Зеебека Связано с термо-э.д.с. (э.д.с. - электродвижущая сила). Открыто в 1821 г. Суть явления том, что в электрической цепи, состоящей из двух спаев последовательно соединенных различных материалов, возникает электродвижущая сила, если в местах контактов поддерживается различная температура. Величина термо-э.д.с. приближенно определяется следующим выражением: e = a x (T2 - T1,где a - коэффициент термо-э.д.с, зависящий от материалов и от интервала температур. Явление Пельтье Эффект, обратный явлению Зеебека. Открыт в 1834 г. Состоит в том, что при прохождении тока в цепи из различных проводников в местах контакта в дополнение к теплу Джоуля выделяется или поглощается (в зависимости от направления тока) некоторое количество тепла Qп, пропорциональное прошедшему через контакт заряду: Qп = П x q,где q - количество прошедшего через контакт электричества (q = I x t), П - коэффициент Пельтье, величина которого зависит от природы контактирующих материалов и от их температуры. Явление Томсона Открыто в 1867 г. Состоит в том, что при наличии перепада температур вдоль проводника, по которому течет ток, в дополнение к теплу Джоуля выделяется или поглощается теплота, количество которой пропорционально прошедшему заряду и разнице температур: Qt = t x (T2 - T1) x q, где t - коэффициент Томсона, зависящий от материала и от интервала температур Модули ПельтьеОбъединение большого количества пар полупроводников p- и n-типа позволяет создавать охлаждающие элементы - термоэлектрические модули, или, как их еще называют, модули Пельтье, сравнительно большой мощности. Структура полупроводникового термоэлектрического модуля Пельтье представлена на рис. 3. Рис. 3. Использование полупроводников p- и n-типа в термоэлектрических модулях. Модуль Пельтье - это термоэлектрический холодильник, состоящий из последовательно соединенных полупроводников p- и n-типа, образующих p-n- и n-p-переходы. Каждый из таких переходов имеет тепловой контакт с одним из двух радиаторов. В результате прохождения электрического тока определенной полярности образуется перепад температур между радиаторами модуля Пельтье: один радиатор работает как холодильник, другой нагревается и служит для отвода тепла. Помещенный холодной стороной на поверхность защищаемого им объекта термоэлектрический модуль, основанный на эффекте Пельтье, по сути выступает как тепловой насос, перекачивая тепло от этого объекта на горячую сторону модуля, охлаждаемую воздушным или водяным кулером. Как любой тепловой насос, он описывается формулами термодинамики. Поэтому модули Пельтье можно назвать не только термоэлектрическими, но и термодинамическими модулями. На рис. 4 представлен внешний вид типового полупроводникового термоэлектрического модуля Пельтье. Рис. 4. Полупроводниковый термоэлектрический модуль Пельтье. Типичный модуль обеспечивает значительный температурный перепад - в несколько десятков градусов. При соответствующем принудительном охлаждении нагревающегося радиатора второй радиатор (холодильник) позволяет достичь отрицательных значений температур. Для увеличения разности температур возможно каскадное включение термоэлектрических модулей Пельтье (при условии адекватного их охлаждения). Это позволяет сравнительно простыми, дешевыми и надежными средствами получить значительный перепад температур и обеспечить эффективное охлаждение защищаемых элементов. На рис. 5 представлен пример каскадного включения типовых полупроводниковых термоэлектрических модулей Пельтье. Рис. 5. Пример каскадного включения модулей Пельтье. Активные кулерыУстройства охлаждения на основе модулей Пельтье часто называют активными термоэлектрическими кулерами, или активными кулерами Пельтье, или просто кулерами Пельтье. Такой кулер обычно состоит из термоэлектрического модуля, выполняющего функции теплового насоса, и понижающих температуру горячей стороны радиатора и охлаждающего вентилятора. На рис. 6 представлена схема активного кулера, в составе которого использован полупроводниковый термоэлектрический модуль. Рис. 6. Конструкция кулера с модулем Пельтье. Использование термоэлектрических модулей Пельтье в активных кулерах делает их существенно более эффективными по сравнению со стандартными кулерами на основе традиционных радиаторов и вентиляторов. Однако в процессе конструирования и использования кулеров с модулями Пельтье необходимо учитывать ряд специфических особенностей, вытекающих из конструкции модулей, их принципа работы, архитектуры аппаратных средств компьютеров и функциональных возможностей ПО. Большое значение имеет мощность модуля Пельтье, которая, как правило, зависит от его размера и от числа и параметров используемых в нем пар полупроводников p- и n-типа. Модуль малой мощности не способен обеспечить необходимый уровень охлаждения, что приводит к нарушению работоспособности электронного элемента, например, процессора, из-за перегрева. Однако применение модулей слишком большой мощности может понизить температуру охлаждающего радиатора до уровня конденсации влаги из воздуха, что может привести к коротким замыканиям в электронных цепях компьютера. Здесь уместно напомнить, что расстояние между проводниками на современных печатных платах нередко составляет доли миллиметров. Тем не менее именно мощные модули Пельтье в составе высокопроизводительных кулеров и соответствующие системы дополнительного охлаждения и вентиляции позволили в свое время фирмам KryoTech (http://www.kryotech.com) и AMD (http://www.amd.com) в совместных исследованиях разогнать процессоры AMD, созданные по традиционной технологии, до частоты, превышающей 1 ГГц, т. е. увеличить их частоту почти в два раза по сравнению со штатным режимом. Необходимо еще подчеркнуть, что данный уровень производительности был достигнут в условиях достаточной стабильности и надежности работы процессоров в форсированных режимах. Следствием же такого экстремального разгона стал рекорд производительности среди процессоров архитектуры и системы команд 80х86. Заметим здесь, что фирма KryoTech прославилась не только своими экспериментами с экстремальным разгоном процессоров. Широкую известность получили ее установки глубокого охлаждения компьютерных компонентов. Снабженные соответствующей электронной начинкой, они оказались востребованными в составе платформ высокопроизводительных серверов и рабочих станций. A компания AMD получила подтверждение высокого уровня своих изделий и богатый экспериментальный материал для дальнейшего совершенствования архитектуры процессоров. К слову сказать, аналогичные исследования проводились также с процессорами корпорации Intel, и в них был зафиксирован значительный прирост производительности. |