химия экзамен. все билеты химия учить. Виды энергии Механическая Тепловая Электрическая Световая

• Название: Виды энергии Механическая Тепловая Электрическая Световая
• Анкор: химия экзамен
• Дата: 21.02.2022
• Размер: 3.4 Mb.
• Имя файла: все билеты химия учить.docx
• Тип: Закон; #368379
• страница: 3 из 3

П рименение поляризационных представлений для предсказания характера изменений кислотно-основных свойств гидроксидов
Кислотно-основные свойства гидроксидов определяются возможностью протекания в растворе двух конкурирующих процессов: разрыву связи Kat-O и связи O-H приводящему к диссоциации по основному и кислотному типу.



Билет 28. Применение поляризационных представлений для описания характера изменения: 1) термической устойчивости в ряду: гидроксидов элементов II групп; галогенидов серебра; KCl и AgCl; CuI и CuI2; NaClO4 и HClO4; 2) способности к диссоцаиции в вводных растворах: HClO – HBrO – HIO; HIO4 H3IO5 H5IO6; 3) устойчивости комплексных ионов: [HgCl4]2- – [HgBr4]2- – [HgI4]2-; [TiCl6]3- – [TiI6]3- ; 4) окислительных свойств: HClO – HBrO – HIO.





Билет 29. Основные положения теории кристаллического поля (ТКП). Параметр расщепления кристаллическим полем, энергия спаривания электронов. Влияние природы лигандов и металла на величину энергии расщепления. Спектрохимический ряд лигандов. Низкоспиновые и высокоспиновые комплексы.

Основные положения теории кристаллического поля: Комплексное соединение существует и устойчиво благодаря электростатическому взаимодействию между центральным иона комплексообразователя и отрицательно заряженными лигандами. 1. Лиганды рассматривается как точечные заряды и точечные диполи без учёта их внутреннего строения 2. Центральный ион комплексообразователь (ионы dэлементов) рассматривается с учетом его электронной структуры и её изменения под действием электрического поля лигандов. 3. Распределение электронов по валентным орбиталям центрального иона происходит в соответствии с принципом минимум энергии и принципом Паули. 4. Параметром расщепления кристаллическим полем — является разность энергии между расщеплёнными орбиталями, обозначается Δ или 10Dq. Поскольку средняя энергия d орбиталей при переходе от сферически симметричного поля лигандов к октаэдрическому полю остаются неизменными, то относительное понижение энергии трёхкратно вырожденных t2g орбиталей происходит на величину 0,4 Δ, а повышение энергии egорбиталей на 0,6Δ . Факторы, от которых зависит величина параметра расщепления кристаллическим полем: 1. Главное квантовое число: с увеличением главного квантового числа валентных dорбиталей иона металла 3d-4d-5d в результате увеличения их размера величина (Дельта)в подобных октаэдрических комплексах последовательно увеличивается на 30-50% 2. Степень окисления металла: с увеличением степени окисления металла величина (Дельта) увеличивается - для подобных октаэдрических комплексов со степенью окисления металла +3 величина D примерно на 40-80% больше, чем для металла со степенью окисления +2. 3. Природа лиганда: наиболее распространенные лиганды могут быть расположены в ряду спектрохимическом ряду лигандов, по возрастанию величины дельта для их комлексов с ионами металлов в их обычном низшем окислительном состоянии. I- Eм.о., то первоначально происходит полное заполнение электронами t2g орбиталей и только потом eg орбиталей; спиновая мультиплетность таких низкоспиновых комплексов уменьшается по сравнению со свободным ионом металла:
Билет 30. Энергия стабилизации кристаллическим полем. Применение ТКП для описания свойств комплексных соединений: стереохимии, окислительно-восстановительных свойств и устойчивости к реакциям замещения лигандов, оптических и магнитных свойств металла на величину энергии расщепления.

Основные положения теории кристаллического поля Комплексное соединение существует и устойчиво благодаря электростатическому взаимодействию между центральным иона комплексообразователя и отрицательно заряженными лигандами или лигандами с высоким дипольным моментом.

1 . Лиганды рассматривается как точечные заряды и точечные диполи без учёта их внутреннего строения

2. Центральный ион комплексообразователь (ионы dэлементов) рассматривается с учетом его электронной структуры и её изменения под действием электрического поля лигандов.

3. Распределение электронов по валентным орбиталям центрального иона происходит в соответствии с принципом минимум энергии и принципом Паули.

4. Параметром расщепления кристаллическим полем — является разность энергии между расщеплёнными орбиталями, обозначается� или 10Dq.

П оскольку среднея энергия d орбиталей при переходе от сферически симметричного поля лигандов к октаэдрическому полю остаются неизменными, то относительное понижение энергии трёхкратно вырожденных t2g орбиталей происходит на величину 0,4� , а повышение энергии egорбиталей на 0,6� . Факторы, от которых зависит величина параметра расщепления кристаллическим полем: 1. Главное квантовое число: 2. Степень окисления металла: с увеличением степени окисления металла величина Δ увеличивается. Природа лиганда: наиболее распространенные лиганды могут быть расположены в ряду спектрохимическом ряду лигандов, по возрастанию величины дельта для их комлексов с ионами металлов в их обычном низшем окислительном состоянии. -CO

4. Геометрия лигандного окружения: величина параметра дельтаt для тетраэдрических комплексов составляет примерно 40-50% от величины Дельта 0 для аналогичных октаэдрических комплексов, что близко к теоретическому значению дельта t = 4/9 дельта 0. Высокоспиновые КС образуются легкими dэлементами и лигандами слабого порядка, а низкоспиновые наоборот, при чем если тяжелый d-элемент, но на лиганд все равно. С легким d-элементом с лигандом сильного поля тоже являются высокоспиновыми. d1 d2 d3 d8 d9 d10. для них порядок неизменный.

для d4 d5 d6 d7 есть высокоспиновые и низкоспиновые комплексы, которые напрямую зависят от энергии межэлектронного отталкивания если D < Eм.о., то заполнение электронами t2g и eg орбиталей происходит в соответствии с правилом Хунда и спиновая мультиплетность таких Высокоспиновых комплексов совпадает с мультиплетностью свободного иона металла;

если же D > Eм.о., то первоначально происходит полное заполнение электронами t2g орбиталей и только потом eg орбиталей; спиновая мультиплетность таких низкоспиновых комплексов уменьшается по сравнению со свободным ионом металла.
Билет 31. Водородная связь и её основные характеристики. Описание водородной связи в рамках модели гипервалентных связей. Внутри- и межмолекулярная водородная связь. Влияние водородной связи на свойства химических соединений (характер изменения температур кипения и плавления в ряду водородных соединений элементов р-элементов, изменение плотности воды с температурой, процессы самоионизации NH3, H2O, HF).
Билет 32. Ван-дер-ваальсовое межмолекулярное взаимодействие. Факторы, влияющие на эффективность дисперсионного, индукционного и ориентационного взаимодействия (привести примеры).