внедрение нового товара группа ЭЛ Кремний. курсавой.исправил. Внедрение нового продукта зао группа Кремний Эл
 Скачать 1.52 Mb.
|
 Направление подготовки 27.04.05 «Инноватика» Программа академической магистратуры «Стратегии и менеджмент инноваций» КУРСОВОЙ ПРОЕКТ по дисциплине «Управление инновационными процессами»: Тема: «Внедрение нового продукта (ЗАО «Группа Кремний Эл»)». Магистрант гр.ОЗ-20-ИН-СМИ-М ФИО: Бобоев А.А. Руководитель доц. Стрижаков Д. В. Брянск 2020 ЗАДАНИЕна выполнение курсового проектирования Студенту Бобоеву Алишеру Ашуровичу Факультета ФЭУ группы ОЗ-19-ИН-СМИ-Н по теме: «Внедрение нового продукта (ЗАО «Группа Кремний Эл»)». Срок сдачи студентом курсового проекта 26. 12. 2020 г. Исходные данные к работе: основные производственно-экономические показатели предприятия; нормативно-методическая и справочная литература, статистические данные. Содержание (перечень подлежащих разработке разделов): 1.Описание инновационного проекта. 2.Характеристика инновационного продукта. 3.Анализ конкуренции на рынках сбыта нового продукта. 4.Сравнительный финансовый анализ. Дата выдачи задания «28» сентября 2020 г. Руководитель: Стрижаков Д. В. _________________ (подпись руководителя) Задание принял к исполнению: Бобоев А.А. ________________ (подпись студента) Содержание Введение……………………………………………………………………….1 1.Описание инновационного проекта………………………………………..3 2.Характеристика инновационного продукта…………………………...…8 3.Анализ конкуренции на рынках сбыта нового продукта…………...…..18 4.Сравнительный финансовый анализ……………………………………..21 Заключение……………………….………………………………………….32 Список использованной литературы……………………………………….33 Приложения………………………….………………………………………34 Введение Тенденции развития современного рынка таковы, что без постоянного расширения ассортимента продукции, его усовершенствования и улучшения качества продуктов не одно предприятие не сможет закрепиться на рынке на достаточно долгий период времени. Это возникает благодаря постоянной конкуренции на любом рынке и увеличению запросов потребителей. Поэтому для увеличения своей конкурентоспособности и экономических выгод компании стремятся выйти на новые рынки и укрепиться на старых. Важную роль при освоении нового рынка играет производство новых продуктов, аналогов которых еще не существует. Так же большое значение тут играют и пробные продажи товаров. При их проведении проверяется не только реакция потребителя на продукцию, но и выявляются слабые и сильные стороны работы сервиса, рекламы и эффективности каналов сбыта. В этот же период времени устанавливается наиболее оптимальная цена для данного ценового сегмента. Таким образом, разработка и внедрение новых продуктов на рынке является неизбежным событием в условиях рыночной экономики. Поскольку новые товары позволяют поддерживать объемы продаж на уровне, который бы обеспечивал экономические выгоды. Отсюда вытекает несколько проблем. Первая, это сам процесс разработки и дальнейшего закрепления своих прав за продуктом. А вторая проблема связанна с реакцией покупателей на новый товар, то есть их потребность в нем. Таким образом, разработка нового продукта является достаточно рисковым проектом, который должен быть подтвержден актуальными сведениями о рынке, запросах потребителей и потенциальных конкурентах, рациональным инвестиционным планом и грамотно разработанным планом маркетинга. Совокупность данных проблем при внедрении нового продукта на рынок обуславливает актуальность выбранной темы инновационного проекта. Объектом исследования является новые разработка транзисторов на рынке компании ЗАО «Группа Кремний Эл» Предметом исследования являются отношения, возникшие при внедрении продукта на рынок. Целью проекта является анализ условий рынка для запуска на него нового продукта. Для достижения поставленной цели требуется выполнить ряд задач: Рассмотреть особенности инвестиционного проекта. Охарактеризовать инвестиционный продукт. Выполнить анализ потенциальных рынков сбыта. Провести оценку конкурентоспособности предприятия. Провести оценку экономических рисков при введении продукта на рынок. При выполнении инновационного проекта были изучены теоретические аспекты использования маркетинговых программ при освоении новых рынков, методика проведения анализа целевого рынка и анализа конкурентоспособности, особенности инвестиционного планирования малых предприятий. Так же в ходе работы были использованы работы отечественных и зарубежных ученых в сфере инновационного планирования и маркетинговых исследований рынка, ресурсы сети Интернет, газетные статьи, данные статистики. 1. ОПИСАНИЕ ИННОВАЦИОННОГО ПРОЕКТА В данном инновационном проекте рассматривается комплекс вопросов, связанных с производства организации ЗАО «Группа Кремний Эл», а также описание практических действий для воплощения их на успешно – развивающиеся организации «Группа Кремний Эл» г. Брянска. ЗАО "Группа Кремний ЭЛ" (входит в Союз машиностроителей России) запускает новые серийное производство транзисторов и микросхем с проектными нормами 500 нанометров в малогабаритных полимерных корпусах типа SOT-23, SOT-89 для поверхностного монтажа, которые используются в блоках вторичного питания различной радиоэлектронной техники. С помощью транзистора можно усиливать генерировать и преобразовать электрические сигналы и еще можно использовать как переключатель тока. Фонд развития промышленности предоставил брянскому производителю заем на сумму 200 млн. рублей по программе "Конверсия" на реализацию этого проекта. Общий объем инвестиций оценивался в 400 млн. рублей. 19 марта представители фонда во главе с первым заместителем директора Андреем Манойло, заместитель директора департамента радиоэлектронной промышленности Минпрома РФ Юрий Плясунов и заместитель губернатора Брянской области Александр Жигунов побывали на предприятии и в Центре коллективного пользования регионального промышленного парка. "Получить 200 млн. рублей под 1% годовых в течение первых трех лет – это очень выгодно. Нам удалось закупить современное высокотехнологичное оборудование, использование которого позволило предприятию выйти на более высокий технологический уровень, улучшить качество, временные и частотные характеристики изделий, повысить процент выхода годных изделий, уменьшить размеры кристалла, снизить трудоемкость и материалоемкость изготовления",– рассказал генеральный директор "Группа Кремний ЭЛ", председатель Брянского регионального отделения Союза машиностроителей России Олег Данцев. При этом он отметил, что в проект по состоянию на март 2019 года вложено более 1 млрд. рублей. Это средства фонда, собственные и заемные средства предприятия. "На текущий момент доля иностранных производителей на рынке транзисторов и интегральных микросхем в микрокорпусах, которые используются в блоках вторичного питания для радиоэлектронной техники, в том числе смартфонов и ноутбуков, по данным компании, превышает 95%. Благодаря реализации проекта этот показатель снизится до 30%",– отметил руководитель предприятия. Он добавил, что в планах компании – освоить новое серийное производство интегральных микросхем и транзисторов с проектными нормами 350 нанометров, уже для более сложных изделий. ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» – одно из крупнейших предприятий микроэлектроники России. Оно основано в 1958 году и является правопреемником Брянского завода полупроводниковых приборов, награжденного орденами Трудового Красного Знамени и Октябрьской Революции. Компания выпускает более 1200 номенклатурных единиц изделий микроэлектронной техники. Более 90% выпускаемой продукции используется в оборонно-промышленном комплексе. Она поставляется более 700 потребителям, в том числе ОАО "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", ОАО "Корпорация "Аэрокосмическое оборудование", ОАО "Концерн "Созвездие", ОАО "Концерн радиостроения "Вега". Вся продукция разработана заводскими специалистами. На заводе работает более 1,8 тысячи человек. История ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» и его продукция ОАО «Кремний» появился в 1958 г. как радиозавод . В 1947 году был изобретен точечный транзистор, а уже через 10-11 лет заводы электроники начали строиться по всей нашей стране, в том числе 9 – в Брянской области. Брянский завод полупроводниковых приборов в 1958 году строила в основном молодежь – по комсомольским путевкам, – а потом эти же юноши и девушки начали работать на производстве, заканчивали институты и техникумы, становились инженерами, технологами, мастерами. На предприятии с благодарностью вспоминают всех, кто возводил корпуса, создавал новые технологии и изделия, осваивал оборудование, закладывал лучшие заводские традиции. Предприятие за свою историю, по сути дела, пережило три технологических революции: первая ознаменовалась освоением планарных технологий, переходом с германиевых транзисторов на кремниевые, вторая – освоением интегральных микросхем, третья – освоением производства ИС с проектными нормами 700 нанометров. 60-е годы были периодом становления, создания цехов, отделов, формирования структуры. Уже через два года после основания завод изготовил первую партию германиевых транзисторов П20-21, тогда же было создано опытно-конструкторское бюро для разработки новых изделий. В 1968 году была освоена планарная технология изготовления кремниевых транзисторов, а три года спустя – интегральных схем. В 70-е годы завод интенсивно строился, вводились новые производственные площади, развивалась социальная сфера. В 1974 году был изготовлен 500-миллионный транзистор, а в 1975 – за досрочное выполнение 9-й пятилетки и вклад в развитие электронной промышленности завод был награжден орденом Трудового Красного Знамени. В 70-е годы активно разрабатывались и осваивались новые изделия. В 1975 году завод приступил к серийному выпуску четырех полупроводниковых приборов, разработанных заводским ОКБ, а через 4 года специалисты этого подразделения уже разработали первую собственную многофункциональную ИС; ее главным конструктором был директор завода Иван Яковлевич Поручиков. Подробно об этом, а также о других моментах заводской истории 60-70 годов можно прочитать в его книге «Жизнь как она есть», – он руководил предприятием с 1962 по 1980 годы. Об этом человеке с теплотой и признательностью вспоминают не только нынешние руководители, считающие его своим учителем, но и рабочие, и специалисты. В 1980 году И. Я. Поручиков был избран председателем облисполкома, а директором БЗПП назначается Вячеслав Федорович Гребенщиков. Производство ежегодно росло на 25-30%, разрабатывались десятки новых изделий, развивалась социальная сфера. В 1981 года завод был награжден орденом Октябрьской революции. С 1987 года директором завода стал Иван Павлович Тимохин. При нем предприятие начало работать в условиях хозрасчета и самофинансирования, было создано ПО «Кремний», впервые было проведено комплексное техперевооружение, создано кристальное производство, впервые в отрасли были изготовлены транзисторы на эпитаксиальных структурах диаметром 100 мм, началось производство изделий в пластмассовых корпусах. В перестройку и послеперестроечный период ответственность за судьбу завода – после ухода И. П. Тимохина в областную администрацию – взяла на себя команда руководителей, в которую вошли Е. М. Жарковский, А. И. Маевский, Ю. Е. Хочинов, В. И. Громов, В. Н. Букин, А. А. Рославицкий, Ю. Н. Севастьянов, Г. П. Хроменков. Она сделала ставку на экспорт, и завод выжил в условиях резкого падения военных заказов, сумасшедшего роста цен на материалы и энергетику, грабительских кредитов и налогов. В 1995 году началось взаимодействие «Кремния» с Федеральным фондом развития электронной техники, подписано соглашение о сотрудничестве между Фондом и администрацией области, облегчившее налоговую нагрузку на завод. В этом же году предприятие реорганизовано в холдинг. В начале нулевых завод начал активно заниматься разработкой и освоением принципиально новых изделий. В последние годы предприятие, по сути дела, переживает очередную технологическую революцию – освоение производства ИС с проектными нормами 700 нанометров по радиационно стойкой БиКМОП-технологии. В 2011 году впервые за новую историю оно выпустило изделий и оказало услуг более чем на 1 миллиард рублей, в 2012 году – на 1,1 миллиарда рублей, в 2013 году – на 1,44 миллиарда рублей. 2014 год ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» завершило с объемом товарной продукции 2,2 миллиарда рублей, заняв по этому показателю первое место среди предприятий оборонки Брянской области. Больше всех предприятие заплатило денег в бюджет и внебюджетные фонды – 474 миллионов рублей. Все эти успехи были бы невозможны без сильной команды руководителей во главе с генеральным директором О. Н. Данцевым, которая уже 20 лет несет ответственность за судьбу холдинга, профессионалов, возглавляющим основные заводские структуры: А. П. Башкатова, Н. Г. Свинарева, Ю. А. Комарова, А. Н. Гаврилина, Ю. В. Корнеева, С. Ю. Хочинова, А. В. Лелетко, Г. А. Никитенко, В. Е. Жолобака, В. Н. Ускова, всех высококлассным специалистов, мастеров, рабочих – именно эти люди сегодня продолжают делать историю завода. 2.ХАРАКТЕРИСТИКА ИНОВАЦИОННОГО ПРОДУКТА. С 1958 года ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» (бывший «Брянский завод полупроводниковых приборов») является одним из крупнейших в России разработчиков и изготовителей электронных компонентов. В рамках «Программы по энергосбережению» на предприятии организовано собственное производство энергосберегающих светильников и компактных люминесцентных ламп. Мощная конструкторская и производственная база позволяет использовать электронные компоненты собственных разработок. Сегодня ПАО «Кремний» — это современная, динамично развивающаяся компания со сложившейся корпоративной и профессиональной культурой. Она активно развивает взаимовыгодное сотрудничество со многими компаниями в различных сферах бизнеса. Дальнейшее развитие ПАО «Кремний» связано с техническим перевооружением совместного производства изделий электронной техники. К 2020 году АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» в рамках программы импортозамещения провела ряд ОКР по разработке и освоению серийного производства наиболее популярных и пользующихся спросом диодов, транзисторов, микросхем в металлополимерных, в т.ч. для поверхностного монтажа, и металлокерамических корпусах категории качества «ВП». При этом большинство изделий обладают повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов. Всего выпущено несколько сотен типов ИС и ППП. Основные параметры и конструктивное исполнение освоенных ИС иППП представлены в разделе «Новые изделия 2018-2020» перезентации. С целю дальнейшего удовлетворения потребности радиоэлектронной промышленности и ВПК в новых изделиях микроэлектронной техники АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» планирует провести ряд ОКР. Основные параметры и конструктивное исполнение новых разработок представлены в разделе «Новые изделия и перспективные разработки» презентации. 1. Разработка и освоение серийного производства на отечественном предприятии ультрабыстрых выпрямительных диодов на токи до 35 А и напряжение 1200 В  Рисунок 1. Основные параметры. Используются в радиоэлектронном оборудовании перспективных и модернизируемых образцах вооружения, военной и специальной техники наземного, воздушного, морского и космического базирования.  Рисунок 2. Корпусное исполнение. 2. Разработка и освоение серийного производства на отечественном предприятии SiC диодов Шоттки на рабочее напряжение 1200 В  Рисунок 3. Основные параметры. Назначение приборов: замена аналогов изделий иностранного производства, разрешенных к применению в радиоэлектронном оборудовании перспективных и модернизируемых образцов вооружения, военной и специальной техники наземного, воздушного, морского и космического базирования.  Рисунок 4. Корпусное исполнение. 3.Разработка и освоение серийного производства на отечественном предприятии серии биполярных транзисторов, в том числе транзисторов Дарлингтона и комплементарных.  Рисунок 5. Основные параметры. Назначение приборов: применение в радиоэлектронном оборудовании перспективных и модернизируемых образцов вооружения, военной и специальной техники. В рамках ОКР разработаны 13 типов транзисторов, в том числе 4 PNP транзистора, 4 NPN транзистора и 5 типов транзисторов Дарлингтона (из них 4 транзистора NPN типа).  Рисунок 6. Электрические параметры.  Рисунок 7. Корпусное исполнение ОКР «Вольт-И6» Ежегодно «Группа Кремний ЭЛ» участвует в госпрограммах на создание инновационных продуктов, инвестирует в разработку и освоение новых изделий более 200 млн. рублей федерального бюджета и собственных средств, а в 2017-2018 годах, после победы в ряде конкурсов по импортозамещению – около 1 млрд. рублей. За последние 12 лет на завод пришли 150 выпускников БГТУ. Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности. Для конструирования надёжных схем на транзисторах, то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзисторов. Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т.е. управлять энергией мощного постоянного источника. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике — теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и, конечно же, в компьютерах. Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах. Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса ). Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия , сульфид цинка и широко зонные проводники. Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые. Биполярный транзистор представляет собой транзистор, в котором используются заряды носителей обеих полярностей. 4.Новые изделия и перспективные разработки «АО ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» 1. Разработка серии линейных стабилизаторов напряжения в малогабаритном металлополимерном корпусе типа SOT-23-5 (аналоги :LP2980, LP2981, LP2985).  Рисунок 8. Основные параметры стабилизатора. Супервизоры питания – интегральные микросхемы, которые изменяют состояние своего выходного цифрового сигнала, если уровень напряжения питания снизился(повысился или вышел за установленные границы) ниже (выше, за границами)определенных пороговых величин напряжения. Разрабатываемые нами супервизоры являются радиационно-стойкими и прецизионными аналоговыми СИС и БИС. - ИС1 – супервизор питания с выходным сигналом ≪сброс≫ низким логическим уровнем с КМОП выходом 4 типономиналов с номинальным значением порогового напряжения 2,5В, 3,0В, 3,3В, 5,0В (функциональный аналог микросхемы TPS3823); - ИС2 – супервизор питания с выходным сигналом ≪сброс≫ низким логическим уровнем с выходом типа "открытый сток" 4 типономиналов с номинальным значением порогового напряжения 2,5 В; 3,0 В; 3,3 В; 5,0 В (функциональный аналог микросхемы TPS3828); - ИС3 – супервизор питания с выходным сигналом ≪сброс≫ низким логическим уровнем с КМОП выходом 4 типономиналов с номинальным значением порогового напряжения 2,5 В; 3,0 В;3,3 В; 5,0 В (функциональный аналог микросхемы ADM6316).  Рисунок 9. Электрическая схема стабилизатора. 2. Разработка микросхемы драйвера в малогабаритном металлополимерном корпусе 4303Ю.8-А (SO-8)  Рисунок 10. Микросхема драйвер в корпусе 4303Ю.8-А (SO-8) Драйвер (driver — управляющее устройство, водитель) — электронное устройство, предназначенное для преобразования электрических сигналов, целью которого является управление чем-либо. Драйвером обычно называется отдельное устройство или отдельный модуль, микросхема в устройстве, обеспечивающие преобразование электрических управляющих сигналов в электрические или другие воздействия, пригодные для непосредственного управления исполнительными или сигнальными элементами. В современной автоматике, да и в бытовой технике, зачастую двигатель или электромагнит включается не выключателем, а контроллером. Скоростью вращения, направлением позволяют управлять логические устройства с формирователями на выходе — силовыми драйверами. Входы такого драйвера совместимы с логическим устройством, а на выходе формируется необходимое напряжение нужной полярности и, в случае шагового двигателя, необходимая циклограмма возбуждения его обмоток. 3. Разработка 3D Si-Конденсатор.  Рисунок 11. Разработка 3D Si-Конденсатор. Основные характеристики: - ёмкость: 10 пФ - 1 мкФ; - напряжение пробоя: 6 - 400 В; - толщина конденсатора: 100 - 150 мкм; - материал электродов: Al, Au, Cu; - глубина “колодцев”: 30 - 35 мкм; Основные преимущества: - широкий диапазон рабочих температур (-60...+250° С); - высокая стабильность характеристик; - минимальный тангенс угла потерь; - высокая радиационная стойкость; - миниатюрные размеры; - гамма-процентная наработка до отказа не менее150000 часов (ɣ=95 %). Размер кристалла: 0,7 х 0,7мм2; 1,2 x 1,2 мм2; 3 х 3 мм2; и др. Конденсаторы С1, С2 имеют вывод на обратную сторону кристалла. Конденсатор С3 может использоваться для поверхностного монтажа методом перевернутого кристалла. 3. АНАЛИЗ КОНКУРЕНЦИИ НА РЫНКАХ СБЫТА ПРОДУКЦИИ В 1947 году был изобретен точечный транзистор, а уже через 10-11 лет заводы электроники начали строиться по всей нашей стране, в том числе 9 – в Брянской области. Брянский завод полупроводниковых приборов в 1958 году строила в основном молодежь – по комсомольским путевкам, – а потом эти же юноши и девушки начали работать на производстве, заканчивали институты и техникумы, становились инженерами, технологами, мастерами. На предприятии с благодарностью вспоминают всех, кто возводил корпуса, создавал новые технологии и изделия, осваивал оборудование, закладывал лучшие заводские традиции. Предприятие за свою историю, по сути дела, пережило три технологических революции: первая ознаменовалась освоением планарных технологий, переходом с германиевых транзисторов на кремниевые, вторая – освоением интегральных микросхем, третья – освоением производства ИС с проектными нормами 700 нанометров. Весь ассортимент выпускаемой предприятием продукции разработан его специалистами. О высоком уровне качества говорит тот факт, что количество отказов составляет один на 2 млн. изделий. Руководство завода проводит техперевооружение, закупает современное оборудование. АО является одним из основных налогоплательщиков Брянской области: за 2018 год им было перечислено около 700 млн. рублей налогов. За последние 12 лет на завод пришли 150 выпускников Брянского государственного технического университета, обучавшихся по его программе и на средства предприятия. Ежегодно АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» участвует в госпрограммах на создание инновационных продуктов, инвестирует в разработку и освоение новых изделий более 200 млн. рублей федерального бюджета и собственных средств, а в 2017-2018 годах, после победы в ряде конкурсов по импортозамещению, – около 1 млрд. рублей. Предприятие активно участвует в федеральной программе импортозамещения по изделиям на карбиде кремния и силовой электронике. Причем, это не воспроизводство импортных аналогов, а оригинальные разработки заводского Управления развития. В 2019 году «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» запустила серийное производство изделий микроэлектроники с проектными нормами 500 нанометров, в планах предприятия – переход на 350 нанометров. Проведем анализ основных конкурентов на рынке Брянской области. Для анализа были выбраны следующие организации по производству микроэлектроники АО ОКБ-Планета, НИИ Системных исследований РАН, НИИИС, ВЗПП-Микрон, Протон. Итак, проведем количественный анализ конкурентов на рынке дополнительных образовательных услуг (табл.1) Таблица 1 – Количественный анализ конкурентов на рынке дополнительных образовательных услуг
На основе полученных данных построим многоугольник конкурентоспособности (рис.17)  Рисунок 17 – Многоугольник конкурентоспособности на рынке. Таким образом, АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» имеет устойчивую позицию среди конкурентов. Основным конкурентом является НИИ Системных исследований РАН. Наиболее слабые позиции АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» - это рыночная доля, реклама и социальные сети. 4.Сравнительный финансовый анализ. |