Закон ослабления нерассеянного фотонного излучения. Коэффициенты ослабления
Скачать 2.23 Mb.
|
§4. Факторы накопления фотонного излученияПоле фотонного излучения в реальных задачах определяется не только не рассеянным излучением источника, но и рассеянными фотонами, которые испытали однократное или многократное (2 и более) взаимодействий в воздухе или материале поглотителя. Кроме этого, в детектор попадает также вторичное излучение: аннигиляционное, характеристическое, тормозное. Геометрию, при которой детектор регистрирует не рассеянное (первичное), рассеянное излучения, а также вторичное излучение, называют геометрией широкого пучка или "плохой" геометрией (рис.15). Выражения (3) и (4) очень удобны для расчета ослабления излучения в веществе. Чтобы сохранить простоту записи и при этом учесть рассеянное излучение поступают следующим образом. Рассеянное в среде излучение источника и вторичное излучение учитывают введением в закон ослабления в геометрии узкого пучка сомножителя -– фактора накопления фотонного излучения : (31) Из этой формулы следует, что представляет собой отношение общего числа фотонов (не рассеянных, рассеянных и вторичных) к числу не рассеянных фотонов, которое определяется как . Рис. 15. Схема эксперимента в геометрии широкого пучка: S – источник, К – коллиматор, П – поглотитель, Д – детектор В общем случае если обозначить через G0 некоторый функционал, описывающий поле не рассеянного первичного излучения, а через GS – поле рассеянного и вторичного излучений, то фактор накопления по данному эффекту (числу частиц, дозе, интенсивности и т.д.) равен В=(G0+GS)/G0=1+GS/G0 (32) Фактор накопления равен кратности превышения характеристик поля не рассеянного, рассеянного и вторичного излучения над характеристиками поля только не рассеянного излучения. Можно сказать, что фактор накопления (ФН) равен отношению показания детектора при измерении в геометрии широкого пучка к показанию детектора при измерении в геометрии узкого пучка. ФН зависит от многих условий задачи: от того, какая характеристика поля излучения регистрируется, от геометрии, от спектра и углового распределения источника, от толщины и материала защиты, от взаимного расположения источника и детектора. В зависимости от регистрируемых характеристик поля излучения различают следующие ФН (определения даются для первичного излучения с энергией Е0). Числовой ФН (для плотности потока фотонов ): Вч(х) = (Е,x) dE / (Е0,x) Энергетический ФН (для интенсивности фотонов): Вэ(х) = (Е,x)E dE / ((Е0,x)Е0) Дозовый ФН (для поглощённой дозы в воздухе, для экспозиционной дозы): ВD(х) = (Е,x) E ав(E) dE / ((Е0,x) Е0 а в (Е0) ), здесь ав(Е) – коэффициент поглощения энергии фотонов в воздухе. ФН поглощённой энергии (для поглощённой в среде энергии): Вп(х) = (Е,x) E аср(E) dE / ((Е0,x) Е0 аср (Е0) ), здесь аср(Е) – коэффициент поглощения энергии в данной среде . Отметим, что дозовый ФН равен ФН поглощённой энергии в воздухе. Польза от применения ФН заключается в том, что с его помощью можно записать закон ослабления широкого пучка, который как правило имеет место в реальной ситуации, в том же простом виде, что и для узкого пучка (4). Например, для плотности потока частиц : (x) = 0 exp(x) Вч(х) (33) Аналогично можно записать закон ослабления для интенсивности излучения, дозы, мощности дозы и т.д., используя соответствующее значение ФН. Без использования ФН расчёт поля излучения в практических ситуациях требует точного расчёта рассеянного и вторичного излучения, что выполнить очень сложно. Удобство применения ФН заключается также в том, что он изменяется достаточно плавно в зависимости от x, Е0 и Z вещества и можно проводить достаточно точную интерполяцию ФН по ограниченному числу расчётных и экспериментальных данных. Наиболее часто используют следующие аппроксимационные формулы: Формула Бергера: В(x) = 1+axexp(bx) (x 10) Коэффициенты а и b приводятся в специальных таблицах. Формула Тейлора: В(Е0, x, Z) = А1exp(-1x) + (1-А1) exp(-2x). Коэффициенты А1 , 1 , 2 имеются в таблицах в литературе. Если первичное излучение имеет непрерывный спектр (что часто имеет место в действительности), то вычисление ФН необходимо проводить следующим образом: В(x)=S(Е) В(Е, x) dE, где S(E) – спектр источника. ФН зависит от многих переменных, поэтому самым надёжным методом для его расчётов является метод статистического моделирования – метод Монте-Карло. Основные закономерности поведения фактора накопления: ФН монотонно возрастает с увеличением толщины вещества, так как увеличивается доля фотонов, испытавших рассеяние. Для высоких энергий и материалов с небольшими Z скорость возрастания ФН почти линейная от толщины. Для элементов с большим Z ФН растет медленнее за счет большего фотопоглощения. ФН возрастает при увеличении изотропии источника, при этом для постоянного расстояния между источником и детектором справедливо следующее соотношение: В В бар В огр , т.е. наибольший ФН в бесконечной среде. ФН при одной энергии фотонов больше в веществах с меньшим Z, где меньше сечение фотоэффекта, который приводит к поглощению излучения при большой энергии фотонов он больше в веществах с большим за счёт интенсивной генерации вторичного излучения; ФН зависит от поперечных размеров источника и возрастает с их увеличением. В таблице 5 приводятся конкретные значения ФН для двух веществ. Из неё видны основные закономерности ФН, отмеченные выше. Из таблицы также следует, что на больших расстояниях от источника вклад рассеянного излучения в поле излучения является преобладающим и может в десяткисотни раз превышать вклад от не рассеянного излучения. В качестве примера на рис. 16 и 17 приведены дозовые факторы накопления в бесконечной среде (бетон, железо) при разных энергиях источника. Таблица 5 Дозовые ФН для точечного изотропного источника в бесконечной среде
Рис. 16. Дозовые факторы накопления изотропного источника в бесконечной среде. Рис. 17. Дозовые факторы накопления изотропного источника в бесконечной среде. Задание №6 Измерить коэффициенты ослабления -излучения в Al, Fe и Cu. Определить энергию -излучения радиоактивного источника. Оценить вклад различных процессов взаимодействия -излучения с веществом в полное сечение. В качестве источника -квантов используется -активный изотоп 27Со60 с периодом полураспада 5,27 года. Схема распада 27Со60 приведена на рис.18. Из-за большой разницы в спинах (5+ 0+ и 5+ 2+) практически не происходит -распад ядра кобальта в основное и первые возбуждённые состояния никеля, а идёт на высший возбуждённый уровень (5+ 4+). Переход ядра никеля из возбуждённого состояния в основное является сильно запрещённым вследствие большой мультипольности -кванта (Е4), поэтому испускаются два каскадных -кванта. Оба -кванта излучаются при электрических квадрупольных переходах (Е2), т.е. практически испускаются только фотоны с энергиями 1,333 МэВ и 1,172 МэВ, средняя энергия излучения 1,25 МэВ. Так как -кванты, испускаемые ядром Ni, вызваны -распадом ядер Со, то и -активность источника спадает с периодом 5,27 года. Энергия -частиц мала (Егр=0,32 МэВ) и они полностью поглощаются в стенках ампулы, в которую заключён источник. Для -излучения эти стенки практически прозрачны. Рис. 18. Схема распада 27Со60 Для вычисления коэффициентов ослабления необходимо получить зависимости (4) ослабления потока -квантов от толщины поглотителя в условиях узкой геометрии. После логарифмирования этой зависимости получаем в полулогарифмическом масштабе линейную зависимость , (34) угол наклона которой и даёт искомую величину. Экспериментальное создание узкой геометрии (рис. 2) связано с необходимостью хорошей коллимации пучка, что требует использования источника большой активности. Кроме того, возникают проблемы, связанные с рассеянием фотонов в стенках каналов коллиматоров. Указанных трудностей можно избежать, если для регистрации -квантов использовать спектрометрический детектор, позволяющий выделять события, связанные с регистрацией фотонов с начальной энергией, т.е. не испытавших взаимодействия с веществом поглотителя. В данной работе для регистрации -излучения используется сцинтилляционный спектрометрический детектор с размерами кристалла NaI(Tl): диаметр – 185 мм, высота – 155 мм. Схема эксперимента показана на рис. 19. Рис. 19. Упрощённая схема эксперимента: 1 – источник, 2 – коллиматор, 3 – поглотитель, 4 – сцинтиллятор, 5 – ФЭУ, 6 – усилитель, 7 – АЦП, 8 – компьютер Детектор используется в составе программно-аппаратного комплекса «Анализатор амплитудного спектра», программное обеспечение которого позволяет проводить статистическую обработку отдельных участков спектра, выделенных маркерами. Выделяя маркерами область пика полного поглощения, мы находим количество полностью поглотившихся в кристалле фотонов с энергией, равной начальной Е0. Но не каждый попавший в кристалл фотон с энергией Е0 поглощается полностью и создаёт импульс, амплитуда которого попадает в пик полного поглощения. Доля полностью поглотившихся квантов определяется величиной фотовклада Р. Если в кристалл попало N квантов с энергией Е0, то в пике полного поглощения будет зарегистрировано Nр=NP событий. С учётом этого уравнение (4) приобретает вид: . (35) Но , где – число зарегистрированных импульсов при . Поэтому окончательно: (36) (37) Порядок выполнения работы Ознакомится с описанием программно-аппаратного комплекса ”Анализатор амплитудного спектра”. Включить установку в сеть. Включить питание крейта КАМАКа тумблером на нижней правой панели крейта. Загорится зелёная сигнальная лампочка. Включить ЭВМ и в окне ОS DOS запустить программу по адресу ANALIZ /mine.exe/. После загрузки компьютера загорится красная лампочка на контроллере КАМАКА «крейт выбран». Установить на место -источник. Геометрию измерений выбрать таким образом, чтобы не рассеянные кванты не попадали на края сцинтиллятора. Выбрать пункт меню «Накопление спектра». Установить ширину окна в 300 каналов ( левый канал – 0, правый канал – 300). Командой «Часть» установить выбранные границы отображения спектра. Запустить накопление и подобрать напряжение на ФЭУ и коэффициент усиления таким образом, чтобы спектр амплитуд импульсов после усиления укладывался в шкалу анализатора (в интервал между маркерами). Остановить накапливание и маркерами выделить пики полного поглощения. Построение кривой ослабления производить по данным, полученным с выделенного участка (поле «Расчет»). Удалить -источник и измерить скорость счета импульсов фона. Время измерения подбирать таким образом, чтобы статистическая ошибка не превышала %. Установить -источник и снять кривые ослабления для веществ с разными значениями . Время измерения выбрать таким образом, чтобы статистическая ошибка измерения не превышала 3%. Данные занести в таблицы:
В терминале OS Linux запустить программу "exp1". Ввести через пробел значения и (начиная с =0). Ввести значение . Программа находит уравнения прямых, аппроксимирующих экспериментально полученные зависимости для различных материалов, выдаёт значение и статистическую ошибку. Найденные аппроксимирующие прямые для разных поглотителей построить на одном графике. На этом же графике проставить экспериментальные точки . По найденным значениям вычислить линейные коэффициенты ослабления (макроскопические сечения) и микроскопические сечения и . Результаты занести в таблицу:
Указать погрешность измеренных значений коэффициентов ослабления. Используя графики на рис.13 или 20 оценить энергию -квантов источника. Поскольку спектр излучения содержит две близкие по энергии линии и разделить их по кривой ослабления невозможно, определяется усредненное значение энергий квантов, точнее такое значение энергии монохроматического пучка, для которого коэффициент ослабления равен найденному. Оценить степень согласия результатов опыта с экспоненциальным законом по -критерию. 17. Используя программу компьютерного моделирования прохождения излучения через вещество PCLab промоделировать траектории фотонов в легких и тяжелых материалах при разных энергиях и качественно объяснить результат. По той же программе просчитать кривую ослабления для одного из материалов. Построить кривую ослабления и вычислить коэффициент ослабления, сравнить с экспериментом. |